霍尔效应的应用实验报告.doc

1、精品文档一、 名称：霍尔效应的应用二、目的：1 .霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2 .测绘霍尔元件的 VlIs , VhIm曲线，了解霍尔电势差 VH与霍尔元件工 作电流Is,磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。3 .学习利用霍尔效应测量磁感应强度 B及磁场分布。4 .学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。三、 器材：(1)电磁铁。(2)样品和样品架。(3) Is和Im换向开关及Vh、U切换开关。2、测试仪：(1)两组恒流源。(2)直流数字电压表。四、原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏 转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料

2、中，这种偏转就导致在垂直电 流和磁场方向上产生正负电荷的聚积， 从而形成附加的横向电场，即霍尔电场EH o 如图15-1所示的半导体试样，若在X方向通以电流IS ,在Z方向加磁场B ,则在 Y方向即试样A-A/电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的N型试样，霍尔电场逆Y方向，（b）的P 型试样则沿Y方向。即有Eh (Y) 0(N型)Eh (Y) 0(P型)显然，霍尔电场Eh是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场 力eEH与洛仑兹力eVB相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故eEH evB（1）其中Eh为霍尔电场，V是载流子在电

3、流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b,厚度为d,载流子浓度为n ,则Is nevbd（2）由（1）、（2）两式可得：Vh EHb -SB Rh -SB（3）ne dd即霍尔电压VH （A、A，电极之间的电压）与I sB乘积成正比与试样厚度d成 反比。比例系数Rh -称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。ne只要测出Vh （伏）以及知道Is （安）、B （高斯）和d （厘米）可按下式计算Rh（厘米 3/库仑）：VHd 108（4）IsB上式中的108是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯）而其它各量均采用CG砥用 单位而引入。由于产生霍尔效应的同时，伴随多种副效应，以致实测的霍尔电场间

4、电压 不等于真实的Vh值，因此必需设法消除。根据副效应产生的机理，采用电流和 磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。具体的做 法是Is和B （即Im）的大小不变，并在设定电流和磁场的正反方向后，依次测 量由下面四组不同方向的Is和B （即Im）时的Vi, V2, V3, V4,1） +Is+BVi2） +Is-BV23） -Is-BV34） -Is+BV4Vi V2 V3 V4VH.然后求它们的代数平均值，可得：4通过对称测量法求得的 VH误差很小。另一方面，射载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为：1 IB人 1 一IBI bdnqu，则可得到 Vbb（

5、6）,令R ，则Vbb R nq dnqd，R称为霍尔系数，它体现了材料的霍尔效应大小。根据霍尔效应制作的元件称 为霍尔元件。在应用中，（6）常以如下形式出现：Vbb KhIB（8） ，式中Kh £ ,称d nqd为霍尔元件灵敏度，I称为控制电流。可见，若I、Kh已知，只要测出霍尔电压 Vbb,即可算出磁场B的大小；并 且若知载流子类型（n型半导体多数载流子为电子，P型半导体多数载流子为空穴）, 则由Vbb的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。由于霍尔效应建立所需时间很短（10-1210-14s）,因此霍尔元件使用交流电或 者直流电都可。指示交流电时，得到的

6、霍尔电压也是交变的，I和Vbb应理解为有效值。五、步骤：1、测量霍耳电压Vh与工作电流Is的关系。对测试仪进行调零。将测试仪的“ 调节”和“ Im调节”旋钮均置零位， 待开机数分钟后若Vh显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位 器实现调零，即“ 0.00”。 测绘Vh - Is曲线。将实验仪的“ Vh , V ”切换开关投向Vh侧，测试仪的 “功能切换”置Vh ,保持Im值不变（取Im=0.6A）,绘制Vh - Is曲线。2、测量霍耳电压Vh与工作电流Im的关系。实验仪与测试仪各开关位置同上。保持半导体的电流Is不变（取Is=300mA）,绘制 Vh - Im 曲线。3、测量V值。将切

7、换开关“ Vh , V ”投向V侧，“功能切换”置V。在零 磁场下，取1s=2.00mA 测量V。4、确定样品的导电类型。将实验仪三组双刀开关均投向上方，即Is沿X方向，B沿Z方向。毫伏表测量电压为 VAA。取Is=2.00mA Im =0.6A,测量Vh大 小及极性，判断样品导电类型。5、求样品RH , n, n值。六、 记录：1.测绘Uh Is曲线，保持Im=0.6A、|s=1.004.00mA不变，在表格中记录霍 尔电压。Is (mA)U1(mV)U2(mV)U3(mV)U4(mV)VVi V2 V3 V4H4B, IsB, IsB, IsB, Is1.00-2.202.90-2.503

8、.02-2.671.50-4.034.25-3.854.44-4.162.00-5.425.59-5.185.59-5.452.50-6.826.92-6.527.23-6.873.00-8.218.261-7.85 18.62-8.244.00-11.0210.94-10.5411.42-10.982.测绘UH 1M曲线，保持Is=3.00mA; Im=0.3000.800A不变，在表格中记录霍尔电压。Im/AU1(mV)U2(mV)U3(mV)U，mV)VhViV2 V3V4B, IsB, IsB, IsB, Is40.3-4.094.131-3.73 14.521-3.120.4-5.4

9、95.50-5.105.87-5.490.5-6.846.88-6.487.30-6.880.6-8.238.27-7.878.63 1-8.250.7-9.589.63-9.229.99 -9.610.8-10.9811.02-10.6211.39-11.00测得：V =130.6mVVh=-5.40mV七、数据处理：1、根据数据表作出曲线图:-10-12uh- Uh-Is曲线图Uh/mVUh-Im曲线图 Uh-Im曲线图2、在零磁场下，取1s=2.00mA,测出V =130.6mVVH=-5.40mV<0,故样品属N型。3、确定样品的导电类型。测出霍耳电压4、求样品Rh , n,，以

10、值。由RhVHdVhd分别求出表1、 2的Rh,再求出其平均值Rh、Rh,IsB Is 0.1XglM_3_3_3_3_3_3RHRh6.15 10 3(Vm/AT)6.02 10 3(Vm/AT)(6.16 10 36.1610 36.1410 36.1610 36.1410 36.1610 3)6333333(6.02 105.96 105.99 106.0 106.03 106.09 10 )6(6.15 10 3 6.02 10 3)3.，M RH = 6.09 10 (Vm/AT)2(2) n1|Rh |e13196.09 10 3 1.6 10 19_21_1.03 10 (AT/

11、(VgmgC)(3) =-L 22.06(A/Vm)U S3 1(4) 1pHi 6.09 1022.06 0.13(T )八、预习思考题：1、霍耳元件为什么要用半导体材料，而且要求做得很薄？霍尔电压是如何产 生的？答：半导体材料的迁移率高，电阻率 适中，是制造霍耳器件较理想的材2、 工作电流和磁场为什么要换向？实际操作时如何实现？答：为了把产生霍耳效应的时候所伴随的副效应的影响从测量的结果中消除。实际操作时通过切换实验仪三组双刀开关改变电流和磁场的方向。3、 回答Is、4、Uh、U 分别表示什么含义？ Is、Im的作用分别是什么？答：Is表小样品工作电流；IM表小励磁电流；U H表小存在磁场

12、时的霍耳电 压；U表示在零磁场下的霍耳电压。Is的作用是改变电流大小和方向，Im的作 用是改变磁场的大小及方向。4、 霍耳效应有哪些应用？答：在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的 电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器。九、操作后思考题：1、如何精确测量霍耳电压？本实验采用什么方法消除各种附加电压？答：设法消除产生霍尔效应时伴随的多种副效应。本实验采用电流和磁场换 向的所谓对称测量法。2、磁场不恰好与霍耳片的法线一致，对测量结果有何影响？答：磁场不与霍尔片垂直，只有其法向分量能起作用

13、，即霍尔片产生的霍尔 电压会减小。3、 能否用霍耳元件片测量交变磁场？若能，怎样测量？答：能。4、 如何根据I, B和Vh的方向，判断所测样品为N型半导体还是P型半导体？答：先设定I, B和Vh的参考正方向：例如设定I从左向右为正，B垂直纸面 向内为正，正电荷向上偏转，则 Vh从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向 连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红表笔，上表 面接黑表笔。然后将I, B均调为正，观察电压表的正负。根据 U KIB ,如果电 压表为负数，则灵敏度K 0,电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K 0, 空穴导电，P型半导体。5、 请根据欧姆定律推导出星（电导率为电阻