私立育德工家汽车科题库

1、私立育德工家汽車科題庫電子學 題庫1.( 3 ) 一顆半導體晶片的大小是依據晶片內電晶體元件的數量來分，在一顆內含有10000個以上的電晶體元件之晶片稱為 (1)大型 (2)小型 (3)超大型積體電路 (4)中型 2.( 2 ) SSI之IC其邏輯閘有 (1)100個以下 (2)12個以下 (3)1000個以下 (4)以上皆非3.( 3 ) 在台彎發展32位元微電腦系統mice-32/68020為 (1)大同 (2)國際公司之產品 (3)全友 (4)三洋 4.( 3 ) 在常用單位倍數符號中，k代表 (1)10-3 (2)109 (3)103 (4)106 5.( 3 ) 在常用的倍數符號中，

2、代表106倍的是 (1)p (2)n (3)M (4)k6.( 2 ) 下列何者不是測量的基本單位 (1)安培 (2)歐姆 (3)米 (4)燭光7.( 2 ) INTEL公司所推出的8008是多少位元的微處理機？ (1)16位元 (2)8位元 (3)32位元 (4)4位元 8.( 4 )積體電路的特點是 (1)重量輕 (2)價格高 (3)體積大 (4)元件容量大 9.( 2 )0.02秒=？微秒 (1)20 (2)20000 (3)200 (4)2000 10.( 1 )大型積體電路LSI，每個晶片上的元件數目為 (1)1000個至10000之間 (2)小於100個 (3)100個至1000個

3、之間 (4)大於10000個11.( 4 )資訊運用是計算機和 (1)材料工業合併後的效益 (2)元件 (3)控制 (4)通訊 12.( 3 )下列何種積體電路，其晶片上包含的元件數目在1000至10000個之間？ (1)MSI (2)VLSI (3)LSI (4)SSI13.( 4 )下列何者為一8位元之CPU (1)Z8000 (2)80286 (3)8086 (4)Z80 14.( 4 )電功率的單位為 (1)焦耳 (2)伏特 (3)安培 (4)瓦特15.( 2 )真空管至今仍有部份被採用的原因是 (1)輸出功率小 (2)輸出功率大 (3)價格便宜 (4)體積大 16.( 1 )下列何種

4、中央處理單元（CPU）為16位元(bit)者？ (1)8086 (2)Z80 (3)8080 (4)R6502 17.( 4 )下列何種CPU為16位元者？ (1)6800 (2)8085 (3)R6502 (4)808818.( 4 )一般而言，邏輯閘數目最少的積體電路為： (1)MSI (2)VLSI (3)LSI (4)SSI 19.( 2 )下列何者不為4個自動化？ (1)家庭自動化（HA） (2)生產自動化（GA） (3)實驗室自動化（LA） (4)辦公室自動化（OA） (E)工廠自動化（FA）E)工廠自動化（FA）。20.( 2 )VLSI每晶片是含有 (1)1000個 (2)10

5、000個以上零件 (3)100個 (4)10個 21.( 1 )電子學就是研究帶電質點在 (1)半導體 內移動產生各種效果的科學 (2)導體 (3)非導體 (4)絕緣體 22.( 2 )超大型積體電路是： (1)體積特別大 (2)電晶體數目多 (3)晶片特別大 (4)以上皆是23.( 3 )ms是指 (1)10-3秒 (2)10-9秒 (3)10-6秒 (4)10-12秒24.( 4 )電子學未來發展趨勢以 (1)三極管 (2)計算機 (3)電晶體 (4)積體電路為發展導向25.( 4 )1nA等於 (1)109A (2)103 (3)10-6 (4)10-9 26.( 4 )在今日，大多數的

6、半導體元件都是以何種材料為主？ (1)鍺 (2)鋁 (3)砷化鎵 (4)矽 27.( 1 )PC/AT的CPU為 (1)80286 (2)80386 (3)Z8000 (4)68000 28.( 1 )下列何者不為電子元件發展的方向？ (1)高消耗功率 (2)高精密度 (3)低成本 (4)使用壽命長29.( 3 )所謂LSI（大型積體）電路是指在一個晶片上的邏輯閘數至少有 (1)10個 (2)12個 (3)100個 (4)1000個 30.( 3 )電感量的單位為 (1)法拉 (2)瓦特 (3)亨利 (4)焦耳 31.( 3 )根據精確的電子學定義，電子學的研究範疇不包括研究帶電粒子在 (1)

7、半導體中 的運動 (2)真空中 (3)金屬中 (4)氣體中 32.( 3 )Zilog公司的Z80是多少位元的微處理機？ (1)32位元 (2)16位元 (3)8位元 (4)4位元 33.( 3 )超大型積體電路（VLSI）的電晶體元件容量大約為？ (1)1001000個 (2)100010000個 (3)10000個以上 (4)10100個 34.( 2 )電子學未來發展的趨勢是 (1)元件與系統分離 (2)計算與通訊合併 (3)計算與通訊分離 (4)元件與控制分離 35.( 1 )微處理機的功能和 (1)中央處理機（CPU）的功能相同 (2)輸入裝置 (3)記憶單元 (4)輸出裝置 36.

8、( 1 )下列何者不為電子工業的4C？ (1)電視 (2)控制 (3)通訊 (4)電腦 37.( 4 )電晶體於 (1)1936 (2)1924 (3)1961 年由巴登、蕭克萊、布拉吞所發明 (4)1947 38.( 2 )MSI是哪種積體電路的簡稱？ (1)超大型積體電路 (2)中型積體電路 (3)大型積體電路 (4)小型積體電路 39.( 1 )以下何者為大型積體電路？ (1)LSI (2)SSI (3)VLSI (4)MSI 40.( 4 )下列何種CPU為16位元者？ (1)R6502 (2)6800 (3)4004 (4)8088 41.( 1 )電子元件發展的順序是 (1)真空管

9、、電晶體、積體電路 (2)真空管、積體電路、電晶體 (3)積體電路、真空管、電晶體 (4)電晶體、真空管、積體電路 42.( 3 )下列何種積體電路，包含的邏輯數在12100個 (1)LSI (2)VLSI (3)MSI (4)SSI43.( 2 )所謂VLSI（超大型積體）電路是指在一個半導體晶片上的零件數目為 (1)1001000個 (2)10000個以上 (3)100010000個 (4)10100個 44.( 2 )8086為何家公司產品？ (1)Motorola (2)Intel (3)IBM (4)Zilog45.( 4 )電晶體的製造材料是 (1)砷、銻 (2)磷、硼 (3)鎵、

10、銦 (4)鍺、矽 46.( 1 )某電阻器之電阻值標示為10GW，若將之換算成mW，則應為多少？ (1)1013mW (2)10-6mW (3)1012mW (4)10-5mW 47.( 4 )1msec（毫秒）等於 (1) 10-6sec (2)106sec (3) 103sec (4) 10-3sec48.( 1 )中央處理單元的英文簡寫為： (1)CPU (2)UPC (3)OCR (4)PUC 49.( 4 )下列何種積體電路，每個晶片上的元件數目，多於100個，但少於1000個？ (1)SSI (2)LSI (3)VLSI (4)MSI 50.( 1 )下列何者不為電子元件發展的方向

11、？ (1)高消耗功率 (2)低成本 (3)使用壽命長 (4)高精密度 51.( 2 )超大型積體電路（VLSI）的電晶體元件容量大約為？ (1)1001000個 (2)10000個 (3)100010000個 (4)10100個以上52.( 1 )誰製作出第一個接面型的鍺電晶體？ (1)蕭克力 (2)迪耳 (3)弗萊明 (4)基爾比53.( 4 )誰發明了二極管？ (1)布朗 (2)德福萊斯 (3)卜拉登 (4)弗萊明54.( 3 )誰利用單一鍺半導體做出了第一個積體電路？ (1)葛洛夫 (2)迪耳 (3)基爾比 (4)桑德斯 55.( 4 )第一個開始製造商用積體電路的公司為？ (1)新瑞仕

12、(Cyrix) (2)超微半導體(AMD) (3)英代爾(INTEL) (4)快捷（Fairchild）56.( 3 )下列何者非為現今英代爾（INTEL）CPU創始人之一？ (1)葛洛夫（Andrew S. Grove） (2)摩爾（Gordon Moore） (3)桑德斯（Jerry Sanders） (4)諾宜斯（Bob Noyce）57.( 2 )誰首先製造出第一個真空管？ (1)卜拉登 (2)布朗 (3)德福萊斯 (4)弗萊明58.( 4 )誰發明了三極管？ (1)布朗 (2)弗萊明 (3)卜拉登 (4)德福萊斯59.( 4 )電子學這個名詞是由誰首先提出的？ (1)湯姆生 (2)布

13、朗 (3)基爾比 (4)羅倫茲60.( 3 )以下何者未參與點觸式固態放大器的發明？ (1)卜拉登 (2)巴定 (3)基爾比 (4)蕭克力61.( 3 ) 一顆半導體晶片的大小是依據晶片內電晶體元件的數量來分，在一顆內含有10000個以上的電晶體元件之晶片稱為 (1)大型 (2)小型 (3)超大型積體電路 (4)中型 62.( 2 ) SSI之IC其邏輯閘有 (1)100個以下 (2)12個以下 (3)1000個以下 (4)以上皆非63.( 4 )電子學的研究領域並不包含探討電荷在 (1) 真空 (2) 氣體 (3) 半導體 (4) 金屬 中的移動。64.( 2 )電子學發展史上第一部電腦是使

14、用那一種元件製造而成的？ (1) 電晶體 (2) 真空管 (3) I.C. (4) 超導體。65.( 1 )第二代電子學以下列何種元件為主？ (1) 電晶體 (2) 真空管 (3)I.C. (4) 超導體。66.( 4 )超大型積體電路(VLSI)是指在一個晶片中含有元件數在 (1)100 個以下(2) 1001000 個 (3) 100010000 個 (4) 10000 個以上。67.( 3 )晶片內含1000 個至10000 個元件者稱為 (1)SSI (2)MSI (3)LSI(4)VLSI。68.( 4 )能量1焦耳代表 (1)1安培小時 (2)1安培秒 (3)1仟瓦小時 (4)1瓦

15、特秒69.( 4 )1 BTU等於 (1)0.252 (2)2.252 (3)25.2 (4)252卡70.( 2 )一規格為100V、1000W之電爐，若接於120V之電源，其功率變為 (1)1200W (2)1440W (3)1000W (4)833W71.( 2 )某導體在3秒內任一截面積共通過24庫侖電荷，又在1分鐘內將720焦耳電能轉變成熱能，則此導體之端電壓為 (1)1 (2)1.5 (3)2 (4)4 伏特72.( 2 )有一只蓄電池以5A電流連續充電20小時，求此蓄電池充電電量為多少安培小時？多少庫侖？ (1)200，7.2 ´ 105 (2)100，3.6 

16、0; 105 (3)100，-3.6 ´ 105 (4)200，-7.2 ´ 105 AH，庫侖73.( 2 )以A、B兩條相同材料製成之導線，若A導線線徑2mm，通以20安培電流，B導線直徑4mm，通以40安培電流，則電子移動速率比vA : vB = (1)1:2 (2)2:1 (3)1:4 (4)4:174.( 1 )有一額定為100V/1000W的電熱器，現接於80V之電源，則其消耗之電功率為 (1)640 (2)1000 (3)500 (4)250 W75.( 3 )將一帶12.5 ´ 1016個電子之電荷在10秒內，自A點移至B點，已知VA = 100V

17、，VB = 600V，則作功 (1)6.25 ´ 1019 (2)100 (3)10 (4)1 焦耳76.( 3 )根據原子最外層軌道電子的解說，下列敘述何者錯誤？ (1)少於4個價電子的物質為導體 (2)多於4個價電子的物質為絕緣體 (3)等於4個價電子的物質是導體，同時又為絕緣體 (4)只有一個電子稱為自由電子77.( 3 )根據近代原子理論，電子按照K、L、M、N、O、P、Q層之順序排列，則M層之最大電子數是 (1)2 (2)8 (3)18 (4)3278.( 2 )有關電流的敘述何者錯誤？ (1)每秒鐘通過導體任一截面積之電量 (2)就同一電流而言，電子移動速率與導線截面積成

18、正比 (3)慣用電流方向與電子流的方向相同 (4)就同一導體而言，電子移動速率與外加電壓成正比79.( 4 )100W燈泡使用20小時，損耗幾度電？ (1)0.1 (2)0.2 (3)1 (4)280.( 4 )若有三系統相串聯，每個系統效率分別為90% : 86% : 50%，輸入能量為200焦耳，則總輸出能量為 (1)180 (2)172 (3)100 (4)77.4 焦耳81.( 4 )兩正電荷共帶有30微庫侖之電量，彼此在空氣中相距30公分，則其所可能具有之最大作用力為 (1)5 (2)15 (3)20 (4)22.5 牛頓82.( 3 )下列與電的相關敘述，何者錯誤？ (1)使電荷移

19、動而做功之動力稱為電動勢 (2)導體中電子移動的方向就是傳統電流之反方向 (3)1度電相當於1千瓦之電功率 (4)同性電荷相斥、異性電荷相吸83.( 1 )某校有教室50間，每間40瓦雙管日光燈8盞，平均每月使用25天，每天4.5小時，則用於此間教室照明的電力是每月多少度？ (1)3600 (2)1000 (3)3600000 (4)100000084.( 2 )一導體之電位，可常保持30伏，如將600靜庫之電荷由地面移至該導體上，則所需之功應為若干？ (1)30爾格 (2)60爾格 (3)90爾格 (4)以上皆非85.( 2 )絕緣體原子結構中，最外層軌道上的電子數 (1)等於8個 (2)多

20、於4個 (3)少於4個 (4)等於4個86.( 1 )電路中電流由高電位處流至低電位處，所作之功為 (1)正功，即消耗能量 (2)負功，即吸收能量 (3)沒有區別 (4)不一定87.( 1 )一仟瓦小時的能量，相當於多少BTU的熱量 (1)3428BTU (2)1055BTU (3)252BTU (4)4185BTU88.( 2 )如圖所示Q1 = Q2 = Q3 = 10-4庫侖，且Q1、Q2帶正電荷，Q3帶負電荷，彼此互隔3公尺成正三角形試求Q1所受之作用力為 (1)10牛頓，向上 (2)10牛頓，向左 (3)10牛頓，向右 (4)10牛頓，向下89.( 2 )通常定義1伏特，是指移動1庫

21、侖電荷須做多少焦耳的功？ (1)0.1焦耳 (2)1焦耳 (3)10焦耳 (4)100焦耳90.( 4 )有一220伏5馬力之直流電動機，於滿載運轉期間，由電源側測得輸入電能為3.73×106焦耳，設滿載效率為84%，則該機滿載運轉時間為 (1)約20分鐘 (2)12分鐘 (3)13分鐘 (4)14分鐘91.( 1 )有兩條導線材質相同，A導線直徑為1mm，流通的電流為5A；B導線直徑為2mm，流通的電流為10A，則兩條導線中電子漂移的速度 (1)vA > vB (2)vA < vB (3)vA = vB (4)不一定92.( 1 )某導線接入電源時，其內部電子移動之速率

22、為6cm/sec，若接入之電源加倍時，其電子移動之速率將變為 (1)12 (2)3 (3)6 (4)8 cm/sec93.( 3 )代表十億分之一或10-9之符號為 (1)G (2)m (3)n (4)p94.( 4 )一電路上每秒有3.125 ´ 1016個電子向右，有6.25 ´1016個電洞向右，則電流為 (1)0.5A (2)1.0A (3)15A (4)5mA95.( 4 )兩帶電體間距離加倍時，則其間之作用力 (1)加倍 (2)減半 (3)變成4倍 (4)為原來的倍96.( 4 )如圖所示，有三個帶電體a、b、c，其中Qa = + 4 ´ 10-6庫侖

23、，Qb = 2 ´ 10-6庫侖，Qc = -6 ´ 10-6庫侖試求b帶電體所受之力及其方向 (1)1.25 ´ 10-3牛頓向左 (2)1.25 ´ 10-3牛頓向右 (3)14.75 ´ 10-3牛頓向左 (4)14.75 ´ 10-3牛頓向右97.( 2 )有一帶負電之驗電器，其金箔展開至某角度，若將帶正電的導體接近此驗電器時，金箔展開角會 (1)不變 (2)先閉合後又逐漸張開 (3)一直張開 (4)先張開後閉合98.( 2 )某生家內有一部效率為80%，8kW之抽水馬達，每天運轉8小時，一個月平均運轉25工作天，若每度電費為

24、1.5元，則每個月浪費電費幾元？ (1)2400元 (2)600元 (3)1920元 (4)480元99.( 3 )有一5馬力之電動機額定運轉20分鐘，其消耗之電能約為 (1)7.2仟焦耳 (2)2238仟焦耳 (3)4476仟焦耳 (4)8952仟焦耳100.( 3 )一個12V汽車電池規格為40AH（安培-小時），大約可以供應5W的燈泡點亮多少小時？ (1)72 (2)84 (3)96 (4)108 小時101.( 1 )如圖所示為某一電路中之電壓及電流之曲線圖，試求0 t 15秒內，此電路消耗之電能量 (1)0 (2)250 (3)125 (4)50 焦耳102.( 3 )兩靜止電荷帶電

25、量分別為q1、q2，距離為r，其間庫侖力的關係，下列何者敘述正確？ (1)與q1成正比 (2)與q2成正比 (3)與q1、q2的乘積成正比 (4)與r2成正比103.( 2 )某電池蓄有自由電子5 ´ 1022個，若此電池以定電流2安培供應負載，則可以持續多少秒？ (1)1000 (2)4000 (3)8000 (4)12000 秒104.( 1 )一馬達之效率為80%，在220伏特電源中，獲取8安培之輸入電流，則其輸出馬力為 (1)1.89 (2)1760 (3)2.36 (4)1408105.( 2 )利用尖端放電原理製成的是 (1)電容器 (2)避雷針 (3)電感器 (4)電晶

26、體106.( 3 )一個500W的電熱器，連續使用12小時，共消耗多少度電能？ (1)500 (2)6000 (3)6 (4)60 度107.( 1 )有4個點電荷P、Q、R、S，若其中P與Q相斥，Q與R相吸，R與S相吸，則 (1)P與R相吸 (2)P與S相吸 (3)P、R、S均帶正電 (4)Q與S相吸108.( 4 )將0.25庫侖的正電荷由電位為70伏特處移至A點，須作正功10焦耳，則A點的電位為 (1)30 (2)40 (3)70 (4)110 伏特109.( 3 )某電容器存有50庫侖電量，若是在0.2秒內放電完畢，則平均電流為多少安培？ (1)0.2 (2)50 (3)250 (4)

27、10 A110.( 2 )一30kW直流發電機，在滿載時效率為90%，請計算滿載時的損失大約為多少kW？ (1)3kW (2)3.3kW (3)33kW (4)33.3kW111.( 1 )一個系統的效率必定 (1)小於1 (2)大於1 (3)等於1 (4)小於零112.( 1 )一原為中性之物質被移去 -1.5微庫侖之電荷，後來再加18.7 ´ 1011個電子，此物質最後電量為何 (1)1.2微庫侖 (2)1.4微庫侖 (3)0.8微庫侖 (4)0.6微庫侖113.( 2 )將一電荷（10mC）由電位100V處移至10000V須作功若干？ (1)0.99J (2)0.099J (3

28、)0.0099J (4)9.9J114.( 2 )一個電子帶有 (1)+ 1.6 ´ 10-19庫侖 (2)-1.6 ´ 10-19庫侖 (3)+ 6.25 ´ 1018庫侖 (4)- 6.25 ´ 1018庫侖115.( 4 )有一發電機的輸入電壓為120V、輸入電流為8A、效率為80%，則輸出的馬力為 (1)2.52馬力 (2)4.25馬力 (3)1.31馬力 (4)1.03馬力116.( 4 )如圖所示，Vab = (1)90伏特 (2)110伏特 (3)150伏特 (4)130伏特117.( 3 )下列何者為電流的實用單位？ (1)伏特 V (2

29、)歐姆 (3)安培 A (4)瓦特 W118.( 4 )燈泡兩端加1V的直流電壓，若流過燈泡的電流為1A，則燈泡每分鐘消耗的電能為 (1)1W (2)1J (3)60W (4)60J119.( 3 )有甲、乙、丙三個系統，當甲與乙串聯，輸入功率1000W，輸出功率720W，當乙與丙串聯，輸入功率2000W，輸出功率1200W，已知甲效率為90%，求若甲與丙串聯輸入功率5kW，其輸出功率為 (1)3750 (2)3600 (3)3375 (4)3225 W120.( 2 )一原子失去電子後，其游離後將變成 (1)不帶電 (2)帶正電的離子 (3)帶負電的離子 (4)可能帶正電亦可能帶負電121.

30、( 2 )某稽納二極體的稽納電壓10V，內阻為8W，若工作在30mA時，則其兩端電壓為 (1)10V (2)10.24V (3)10.024V (4)10.4V 122.( 4 )一原子失去電子後，其游離後將變成 (1)可能帶正電亦可能帶負電 (2)不帶電 (3)帶負電的離子 (4)帶正電的離子 123.( 2 )下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確? (1)矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體 (2)矽二極體的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體 (3)矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體 (4)矽二極體的反向飽和電流高鍺二極體124.( 3 )下列那一個元素非為半導體材料？ (1)矽 (2)鍺 (3)鋰 (4

31、)砷化鎵 125.( 5 )當逆向偏壓從10V減少到5V時，二極體接面的空乏區將 (1)變大 (2)變小 (3)不受影響 (4)崩潰126.( 2 )整個P型半導體是呈現 (1)正電性 (2)電中性 (3)視雜質原子序而定 (4)負電性 127.( 2 )矽二極體與1kW電阻及5V串聯，假如陽極接到是電源正端，陰極相對於電源負端的電壓為 (1)5.7V (2)4.3V (3)0.3V (4)0.7V 128.( 4 )稽納二極體（Zener Diode）使用於穩壓時，是操作在？ (1)濾波 (2)正向導通 (3)整流 (4)逆向崩潰 129.( 2 )一稽納二極體在25時的崩潰電壓為10V，其

32、溫度係數為0.05%/，試求55時的稽納電壓為多少？ (1)9.85V (2)10.15V (3)8.5V (4)11.5V130.( 4 )有一個二極體在室溫時，電流為6mA，則其交流順向電阻約為 (1)2.5W (2)0.5W (3)1.5W (4)4W131.( 2 )障壁電壓乃是在PN接面區域內有 (1)電洞 (2)正、負離子 (3)自由電子 (4)自由電子與電洞132.( 2 )圖中，若IZ min =1mA, IL max =49mA，則達到穩壓15V工作的RZ 最大值為若干？ (1)400W (2)600W (3)800W (4)1kW 133.( 1 )下列敘述何者不正確？ (

33、1)Si及Ge的原子序皆為14 (2)Si的障壁電壓約為0.7V (3)Si及Ge皆是4價元素 (4)Ge的障壁電壓約為0.3V 134.( 2 )LED發光之顏色與下列何者有關？ (1)通過電流大小 (2)材料能帶間隙 (3)外加電壓頻率 (4)外加電壓大小 135.( 2 )二極體不能做下列的哪一項工作？ (1)截波 (2)放大 (3)檢波 (4)整流 136.( 3 )下列有關外質半導體之敘述，何者錯誤？ (1)外質半導體本身之電性仍屬電中性 (2)將三價雜質元素摻入純半導體中，以形成P型半導體 (3)P型半導體之少數載子為電洞 (4)N型半導體之多數載子為自由電子 137.( 4 )右

34、圖之電路，流過稽納二極體之電流約為 (1)3.7mA (2)1.5mA (3)0.63mA (4)3.1mA 138.( 1 )下列何種二極體通常都在崩潰區工作 (1)稽納二極體 (2)變容二極體 (3)發光二極體 (4)檢波二極體 139.( 4 )有關鍺與矽半導體特性的敘述，下列何者為正確？ (1)矽工作溫度遠低於鍺 (2)矽二極體的切入電壓低於鍺 (3)矽的逆向飽和電流高於鍺 (4)矽的逆向峰值電壓遠高於鍺 140.( 2 )一般的矽質PN二極體導通時，兩端的電位差約為？ (1)0.9伏特 (2)0.6伏特 (3)0.2伏特 (4)1.2伏特 141.( 3 )關於稽納二極體的敘述，下列

35、何者為是？ (1)VZ的電壓在56V之間，溫度係數為負 (2)VZ大於6V呈稽納崩潰，其溫度係數為正 (3)VZ大於6V，呈累增崩潰，其溫度係數為正 (4)VZ小於5V呈稽納崩潰，溫度係數為正 142.( 2 )純半導體內若摻入銻（Sb）元素的原子則形成 (1)本質半導體 (2)N型半導體 (3)帶電半導體 (4)P型半導體 143.( 3 )如圖所示，通過R的電流為 (1)0.04A (2)0.2A (3)0.02A (4)0.1A 144.( 4 )下列有關二極體材料的敘述何者錯誤？ (1)具有5個價電子的雜質稱為施體（Donor） (2) P型材料的少數載子是電子 (3) N型材料的多數

36、載子是電子 (4)經過摻雜（Doping）處理的半導體稱為本質（Intrinsic）半導體 145.( 2 )半導體的電流如何產生？ (1)正、負離子 (2)電子和電洞均有 (3)僅由電洞 (4)僅由電子 146.( 3 )如圖所示，有一個PN接面的二極體，請問在N型半導體接面附近的總電荷極性為？ (1)不能決定 (2)中性的 (3)正的 (4)負的 147.( 1 )在純半導體中加入雜質原子的過程稱為 (1)摻雜 (2)晶格化 (3)再結合 (4)鍵結 148.( 4 )稽納二極體常被廣泛地使用在 (1)可變電阻器 (2)電流限制器 (3)電流穩定器 (4)電壓調整器 149.( 2 )下列

37、何種二極體的空乏區最窄？ (1)發光二極體 (2)透納二極體 (3)稽納二極體 (4)變容二極體 150.( 2 )二極體由P型材料與N型材料接合而成，當二極體被反偏時的電流稱為逆向飽和電流，逆向飽和電流的大小主要與下列何者有關? (1)反向偏壓的大小 (2)二極體所在環境的溫度 (3)加反向偏壓的時間 (4)與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時間同時有關151.( 3 )對於二極體，下列敘述何者正確？ (1)並聯可增最大逆向電壓 (2)施加逆向偏壓愈大，則空乏區寬度變小 (3)用在檢波時，要工作在非線性區 (4)串聯可增加最大電流 152.( 2 )稽納電壓在5V時，是屬於何種崩潰效應 (1)累

38、增崩潰 (2)稽納崩潰 (3)以上皆可能 (4)以上皆非153.( 2 )如圖所示齊納（Zener）電路中，設齊納二極體的崩潰電壓為20V，則其通過的電流IZ等於 (1)0A (2)1A (3)2A (4)3A154.( 2 )如圖所示，稽納二極體稽納電壓VZ為7.5V，逆向膝點電流IZK為2mA逆向最大電流IZM為30mA，稽納電阻rZ為10W，當Vs由20V變至60V時，Vo變動範圍最接近下列何者？ (1)逆向電流超過30mA，二極體燒毀，Vo無法測出 (2)0.2V (3)0.4V (4)0V (E)0.6V 155.( 4 )溫度升高時，一般金屬導體電阻增加，而半導體（矽等）在溫度上升

39、時，其電阻值 (1)上升 (2)不變 (3)成為絕緣體 (4)下降 156.( 1 )二極體串聯可增加 (1)最大逆向電壓 (2)最大電流 (3)交換時間 (4)以上皆正確157.( 1 )稽納二極體用於穩壓電路時，其工作電流IZ 為 (1)IZK < IZ < IZM (2)IZ > IZM (3)IZ < IZK (4)以上皆對158.( 2 )在P型半導體中，傳導電流的載子主要是 (1)質子 (2)電洞 (3)電子 (4)離子 159.( 4 )在本質半導體中，由於載子濃度不均勻而產生的電流，稱為 (1)漂移電流 (2)電子流 (3)漏電流 (4)擴散電流 160

40、.( 2 )下列敘述何者正確？ (1)N型半導體之主要載子為電洞 (2)電洞僅存在於半導體中 (3)受體是五價元素 (4)施體是三價元素 161.( 4 )稽納（Zener）二極體，一般最常用於何種電路？ (1)濾波電路 (2)放大電路 (3)振盪電路 (4)穩壓電路162.( 3 )PN二極體的作用與二極體真空管極為相似，二極體中的N型區，相當於二極管的 (1)屏極 (2)視外加偏壓之極性而定 (3)陰極 (4)以上皆非163.( 1 )以GaAs為材料作之電晶體比Si材料作之電晶體，能在較高頻率使用，主要是因為 (1)移動率較快 (2)濃度較高 (3)帶電量較大 (4)以上皆非164.(

41、3 )電路符號為 是 (1)稽納二極體 (2)LED (3)變容二極體 (4)光電二極體 165.( 4 )一般PN二極體兩端的順向偏壓隨溫度的變化量約為 (1)+0.25mV/ (2)+25mV/ (3)+2.5mV/ (4)-2.5mV/ 。166.( 1 )在室溫下，未加偏壓之PN二極體在PN接面附近的狀況為： (1)P型半導體帶負電，N型半導體帶正電 (2)P型及N型半導體皆不帶電 (3)P型及N型半導體所帶之電性不固定 (4)P型半導體帶正電，N型半導體帶負電 167.( 1 )三價雜質加到矽形成 (1)P型半導體 (2)N型半導體 (3)空乏區 (4)鍺 168.( 1 )某二極體

42、在VD =0.5V時，ID =10mA，其靜態電阻RD為 (1)50W (2)0.5kW (3)5kW (4)5W 169.( 3 )下列VI（電壓對電流）特性曲線，何者代表理想二極體（Vr為切入電壓）？ (1) (2) (3) (4) 170.( 2 )二極體反向偏壓時，空乏區寬度會 (1)變小 (2)變大 (3)不變 (4)變大或者變小171.( 1 )稽納二極體用於穩壓電路時，其工作區域為 (1)崩潰區 (2)順向區 (3)負電阻區 (4)以上皆非172.( 4 )在絕對溫度零度（0°K）時，本質半導體內所有價電子 (1)都在導帶內 (2)均為自由電子 (3)都在禁帶內 (4)

43、都在價帶內173.( 1 )如圖所示，欲使齊納（Zener）二極體正常工作，其RL最小值為 (1)50W (2)0W (3)10W (4)100W 174.( 3 )稽納（Zener）二極體用於穩壓電路時，其工作區域為 (1)負電阻區 (2)順向區 (3)崩潰區 (4)以上皆非175.( 4 )二極體用在檢波時，要工作在 (1)皆可 (2)線性區 (3)不可用二極體 (4)非線性區 176.( 4 )如圖所示穩壓電路中，流過5kW電阻的電流為 (1)3mA (2)2mA (3)5mA (4)1mA 177.( 1 )下列有關Zener二極體，何者錯誤？ (1)無法作為限壓裝置 (2)一般二極體

44、之崩潰可分成累增崩潰，稽納崩潰 (3)又稱為崩潰二極體 (4)有一定的崩潰電壓 178.( 1 )如圖之電路，若Vi = +5V，求Vo為？ (1)2.5V (2)+5V (3)+2.5V (4)5V179.( 2 )在P型半導體中，載子的狀況是 (1)有多數電子及少數電洞 (2)有多數電洞及少數電子 (3)只有電洞 (4)只有電子 180.( 2 )LED所發出之光為 (1)多色光 (2)單色光 (3)單色聚合光 (4)以上皆非181.( 1 )二極體的障壁電位，即為其電壓電流特性曲線上的 (1)切入電壓 (2)稽納電壓 (3)崩潰電壓 (4)以上皆非182.( 4 )有關二極體的敘述，下列

45、何者為非？ (1)二極體為單向導通元件 (2)二極體可作為整流元件 (3)理想二極體，導通時，電阻為零 (4)二極體逆向偏壓時，其電阻約為110kW183.( 2 )二極體的動態電阻rd為 (1)VT /1mA (2)nVT /ID (3)VD /ID (4)nVT /Is 184.( 3 )二極體的順向導通電流方程式為？ (1)Id =Is (2)Id =Is(1-) (3)Id =Is(-1) (4)Id =0185.( 2 )下列何種元素摻入純半導體材料中可將純質半導體的電特性轉變為P型半導體？ (1)砷 (2)硼 (3)銻 (4)磷 186.( 4 )如圖所示，若V=20伏，R=1kW

46、, RL=1kW, DZ之稽納電壓為6伏，則DZ上散逸的功率PZ為 (1)60mW (2)52mW (3)40mW (4)48mW 187.( 2 )( B )67.障壁電勢乃是其區域內有 (1)電洞 (2)正離子及負離子 (3)正負電壓 (4)電子 188.( 1 )如圖所示，當Vin 為12V時，則輸出Vout為？ (1)4.8V (2)12V (3)5.8V (4)5.1V 189.( 3 )下列何者對矽、鍺二極體之陳述錯誤 (1)矽的能隙較大 (2)矽的漏電流較小 (3)矽的導電性較佳 (4)矽的溫度穩定性較佳 190.( 2 )下列有關稽納二極體的敘述，何者不正確？ (1)可做為參考

47、電源 (2)崩潰時電流維持一定值 (3)可應用於穩壓電路 (4)順偏時其特性與一般二極體相同 191.( 1 )稽納二極體在電路上，一般作用是？ (1)穩壓器 (2)整流器 (3)放大器 (4)濾波器192.( 2 )下列有關二極體的敘述，何者有誤？ (1)鍺比矽有較小的障壁電壓（barrier potential），更適合用在截波電路 (2)實驗中常用的二極體編號為2N4xxx系列 (3)一般的二極體有記號或標註的那一端，通常為N極 (4)可以使用三用電表檢驗二極體的材質 193.( 4 )下列有關半導體之敘述，何者錯誤？ (1)外質半導體的導電性較本質半導體好 (2)N型半導體加入的雜質為

48、五價元素 (3)P型半導體加入的雜質為受體 (4)N型半導體的多數載子為電洞 194.( 4 )稽納二極體通常是工作於 (1)順向電壓 (2)零電壓 (3)逆向低電壓 (4)逆向崩潰電壓195.( 2 )某矽二極體在溫度20時的逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至50時，則逆向飽和電流變為 (1)20nA (2)40nA (3)30nA (4)60nA196.( 1 )下列敘述，何者錯誤？ (1)在N型半導體裡，電洞的濃度將隨溫度的昇高而減少 (2)半導體（矽等），溫度上昇時，其電阻下降 (3)在P型半導體裡，導電的載子主要是電洞 (4)當溫度昇高時，一般金屬導體電阻增加 197.( 3 )PN

49、二極體是 (1)線性元件 (2)拋物線元件 (3)非線性元件 (4)以上皆非198.( 2 )二極體之逆向飽和電流通常會隨溫度之上升而？ (1)無變化 (2)變大 (3)不一定 (4)變小 199.( 4 )二極體在順向偏壓時，下列敘述何者正確？ (1)截止電流 (2)有大電阻 (3)有大電壓降 (4)導通電流200.( 4 )如圖所發生的電流I稱為 (1)渦流 (2)順向電流 (3)接觸電流 (4)逆向電流 201.( 1 )矽元素為 (1)4 (2)5 價元素 (3)2 (4)3 202.( 1 )光電二極體之逆向電流與入射光強度成 (1)正比 (2)立方成正比 (3)平方成正比 (4)平

50、方成反比203.( 1 )下列何者不適於高頻電路？ (1)稽納二極體 (2)透納二極體 (3)變容二極體 (4)蕭特基二極體 204.( 3 )矽二極體的兩端施加直流電壓為0.9伏特，並測得電流為10毫安培，則此二極體的靜態電阻 (1)900歐姆 (2)100仟歐姆 (3)90歐姆 (4)100歐姆 (E)90仟歐姆 E)100歐姆。205.( 3 )電洞是 (1)正電子 (2)傳導帶的電子 (3)電子離開價電帶所留下的空位 (4)傳導帶的空位 206.( 1 )如圖所示的符號為何種元件 (1)變容二極體 (2)PN二極體 (3)稽納二極體 (4)隧道二極體 207.( 4 )在PN二極體中，較容易產生電子流的方向是 (1)兩方向都很容易 (2)由P型至N型區 (3)兩方向都很難 (4)由N型至P型區 208.( 4 )有一PN二極體，在25時加上0.65V，電流I=5mA，當溫度上升到45時，求I=5mA時的電壓值應為 (1)0.66V (2)0.64V (3)0.65V (4)0.60V209.( 3