第15章半导体器件

1、第15章半导体二极管、三极管1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应()。(a)带负电 (b)带正电 (c)不带电2当温度升高时，半导体的导电能力将()。(a)增强 (b)减弱 (c)不变3在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的 电阻率()。(a)很高(b)很低(c)等于N型或P型半导体的电阻率 4半导体二极管的主要特点是具有()。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)5.理想二极管的正向电阻为()(a)零(b)无穷大6二极管接在电路中，若测得a、 b两端电位如图所示，则二极管 工作状态为()。(a)导通(b)截止 (c)击穿7 .如果把一个小功率二极管直接 同一个

2、电源电压为1.5V、内阻为零 的电池实行正向连接，电路如图所 示，则后果是该管()。(a)击穿(b)电流为零 (c) 电 流 正常(d)电流过大使管子烧坏电压放大作用(c)约几千欧Q1-5V 严Uo&电路如图所示，二极管D为理 想元件，Us =5 V，则电压uO=()。(a) Us (b) U s / 2(c)零9018电路如图所示，所有二极管均 为理想元件，则D,、D2、D3的工作状态为()。(a) D1导通，D2、D3截止(b) D1、D2截止，D3导通(c) D1、D3截止，D2导通(d) D1、D2、D3 均截止0V 1-D2O +12V卜D33VD2为理想元件，判断D1、D2

3、的工作状态为()。(a)D1导通，D2截止(b)D1导通，D2导通(c)D1截止,D2导通(d)D1截止,D2截止10019电路如图所示，二极管Di、11023型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。(a) 1V (b) 0.2 V12031电路如图所示，二极管为同 一型号的理想元件，电阻R = 4，电位Ua=1V， Ub =3V，贝U电位Uf等于( )(c) 0.6 VO + 12V(a)1 V(b)3 V (c)12 VUF13033电路如图所示，二极管为理想 元 件，q=6siV, U=3V，当=-瞬间，输出电压Uo等于()。(a) 0 V (b)6 V(c)3 VUiR

4、UUoOU14035电路如图所示，D为理想二 极管，Ui = 6sint V，则输出电压的最大值 Uom =()。(a)6 V(b)3 V(c) 3 VuO16040电路如图1所示，二极管D 为理想元件U =3V, ui=6sin tV,贝U输出电压uo的波形为图2中()。3g03 (d)-1+.-?9 615039电路如图'1所示:>已知U =6V, u=18sintV，波形如图2，二极管正向导通时的压降可忽略不计，则-二二极管两端电压UD的波形为图3中（）。图217047 电路如图1所示,-二二极管D为冲信号如图2所示，且RC«Tp（)。18050 电路如图所示，D

5、1,D2均为硅管（正向压降0.7V), D为锗管（正向压降0.3V)U = 6V ,忽忍略二极管的反向电流则流过D1、D2的电流分别为(）。(a)2mA，2mA(b)0 ,2mA(c)2mA，019054 电路如图所示，D1 , D2均为理想二极管,当输入信号Ui=6 siin 3 tV时,输出电压UO的最大值为（)°理想 时元件,输出%入电压UiUO的波形2.5k' iD2DiRi2.5kO R2(a)+1V(b)+4V(c)+6VO20k'. 110k21060稳压管反向击穿后,其后果能的影响是()。(a)rz小则稳压性能差(b)rz小影响稳压性能25067

6、9;电路如图所示，稳压管的稳疋电压Uz =10V,稳压管的最大稳疋电流IzMAX = 20)mA,输入直流电压Ui=20V,限流电阻R最小应选()。(a)0.1k11(b)0.5k1'1则稳压性能好 (c) rz的大小(c) 0.15k1 126068电路如图所示，直流电压Ui =10 V，稳压管的稳定电压Uz = 6 V，限流电阻R 上的压降Ur为()(a)10V(b)6V(c)4V(d)-4V20057电路如图所示，D为硅二极 管，根据所给出的电路参数判断 该管为()。(a) 正偏(b) 反偏(c) 零偏(a) 永久性损坏(b) 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损(c

7、) 由于击穿而导致性能下降22061温度稳定性最好的稳压管是(a) 稳定电压Uz = 6 V的管子(b) 稳定电压Uz > 6 V的管子(c) 稳定电压Uz < 6 V的管子 23064稳压管的动态电阻rz是指 (a) 稳定电压Uz与相应电流lz之比(b) 稳压管端电压变化量:Uz与相应电流变化量 lz的比值(c) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值24065动态电阻rz是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压UJVRODt27070图1所示电路中，二极管D 为理想元件，设Ui =10sin 3 tV,稳压 管Dz的稳定电压为5V,正向压 降不计，则输出电压Uo的波形为 图2中（

8、）。28071电路如图所示，稳压管Dz正 向压降视为零，它的稳定电压为 7V，则回路中的电流等于（）。（a）0（b） 10mA（c）25mA（d）5.75mA29073电路如图所示，设Dz1的稳定 电压为6 V，DZ2的稳定电压为12 V，设稳压管的正向压降为0.7 V， 则输出电压Uo等于 （）。（a）18V（b）6.7V（c）30V（d）12.7V30076 普通双极型晶体管是由（a）一个PN结组成（b）二个PN结组成（c）三个PN结组成31079测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、-0.7V 和-4.7V，则该管为 （）。（a） NPN 型锗管（b） PNP 型锗管（

9、c） NPN 型硅管（d）PNP型硅管32080已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为Ve = -1.7V，Vb=-1.4V，Vc = 5V，则该管类型为（）。（a） NPN 型锗管（b） PNP 型锗管（c） NPN 型硅管（d）-0.3V，则此管的类型为 （ ）。PNP型硅管 33083图示的三极管接在放大电 路中，该管工作正常，测得Ube =(a)锗(d)PNP型锗管管（c）NPN型硅管(b) NPN PNP 型硅点是具有（a）单向导电性（b）电流放大作用 35086如果改变晶体管基极电压的极 极电流34084晶体管的主要特（C）性,稳压作用使发射结由正偏导通改为反偏，则集（ ）。（a

10、）反向 （b）近似等于零（c）不变（d）增大36088晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。（a）发射结反偏，集电结正偏 （b）发射结、集电结均反偏（c）发射结、集电结均正偏 （d）发射结正偏，集电结反偏37090已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则 6V所对应的电极为（ ）。(a)发射极(b)集电极（c）基极380!91晶体管的穿透电流'CEO是表明（）(a)该管温度稳疋性好坏的参数(b)该管允许通过最大电流的极限参数(c)该管放大能力的参数39093 表明晶体管质量优劣的主要参数是（）。（a）:、Icbo（ Iceo）（b）!

11、CM、PCM（c） U（ BR）CEO ，'cm40095某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM = 500 mW，集电极最大允许电流 ICM = 500 mA，在实际应用线路中测得它的集电极电流IC =100 mA，UCE = 6 V，其后 果为（）。（a）该管应过热而损坏（b）该管可长期安全工作（c）该管可安全工作、但：将下降41100已知某晶体管的ICEO为200A，当基极电流为20A时，集电极电流为1mA， 则该管的Icbo约等于（）。（a） 8 mA （b） 10 mA （c） 5 丄A（d） 20.42102单管放大电路的静态基极电流lB适当增加时，晶体管的输入电阻rbe

12、将 （ ）。（a）减小 （b） 增加（c）不变43104在计算低频小功率晶体管输入电阻rbe时，有三位同学用了三种方法，而且 计算结果差别很大，请指岀正确的表达式是（）。(a)Uberbe ="1 B(b)rbe =UceIb26mV(c) rbe = 300:IBmA44106区45108(a)管46111(所谓晶体管输岀特性曲线(c) 截止区如果接在电路中某晶体管 子深度饱和(b)管子截止(c)管 图中已标)o)o (a)放大区(b) 饱5.3V6 V47113电位-7V,(a)线性 状态(c)截48116(a)(c)49118管处极与 作 出各硅晶体管电极的发放位,短路，则(态

13、极状判断处于截止状态的晶体管0.7 V2.3V(b)(a)测得是：Vb= -3.2V, Ve = -2.5V, Vc = 则该管工作在()。态(b) 饱和工状态PNP硅管示,晶体管处饱和状态 截止状态 电路如图所 于(a)饱和状态(b)截止(b)示,放大状放大状态场效应管的漏极所示，则该场效50123线如(a) P沟道耗尽道增强型MOS(c) P沟道增强道耗尽型MOS型MOS管型MOS管作三个极的Re51124图示为场效应管的转移特 性和漏极特性曲线，由此可判 断该场效应管为()。(a) 绝缘栅N沟道耗尽型(b) 绝缘栅P沟道耗尽型(c) 绝缘栅N沟道增强型52130某场效应管的转移特性如 图

14、所示，则此场效应管为( )°(a) 绝缘栅N沟道耗尽型(b) 绝缘栅P沟道耗尽型(c) 绝缘栅N沟道增强型54135某绝缘栅场效应管的符号 如图所示，则该绝缘栅场效应管 应为 ()。(a) N沟道增强型(b) N沟道耗尽 型 (c) P沟道耗尽型551071电路如图所示，设二极管 D1, D2为理想元件，试计算电路中 电流h，12的值。InDGI2D2D1561072电路如图所示，试分析当 u3 V时，哪些二极管导通？ 当 4=0 V时，哪些二极管导通？(写 出分析过程并设二极管正向压 降为0.7 V °。O+3k QU|+ 5VD4571073电路如图1所示，设输入信号Ui1，Ui2的波形如图2 所示，若忽略 二极管的正向压降，试画出输出电压Uo 的波形，并说明t1，t2时间内 二极管D1, D2的工作状态。D1图1已知输入电压581074电路如图1所示,U=150sincct V 女口图 2 所示,设D1, D2均为理想元件, 试画出电压Uo的波形。1.C7.d13. b19.c25.b31.d37.a43.c 49.c2.a8.8a14. b20.b26.c32.a38.a44. a50.b3.a9.9a15. c21.b27.b33.a39.a45. b51.c4.b10.a16. b22.a28.a34.b40.a46.