
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文档简介
1、第四章:运行AMPS的步骤 首先,AMPS会计算出在没有任何偏压下器件的的基本能带图,内建势场和电场,自由载流子数目和束缚载流子数目。 然后AMPS将以这个热平衡状态下的解开始进行在偏压下(光偏压,电偏压,或者是两者同时加上去)的特征的求解。这下AMPS将会输出能带图(包括准费米能级),载流子数目,电流,复合,I-V特征和光反应等等。一:器件的输出特征 暗IV特征在输入光偏压条件的窗口中,我们只要给出光偏压的范围。例如,光偏压从-1V至1V。这个电压范围不单单应用到暗I-V,而且可以应用在有光情况下的I-V。有这样的情况,如果你选在01V范围内步长为0.05V的计算条件,但是你想看到在0.88
2、V条件下的能带图,那么AMPS只能让你看到0.9V的能带图,除非你把步长改为0.04V或者式更小。当然了,步长越小,AMPS计算的时间就越长。 光IV特征这和暗IV特征的唯一区别在于你要在窗口上选中“light on”。AMPS默认提供了AM1.5,但是我们也可以自己设置。 光谱响应 如果我们想看到在每个波长上产生的光电流,就必须设置“spectral response”不管是在有光或者式无光的条件下,AMPS都会给出频谱反应。 二:输入参数的步骤1:应用于整个器件的参数2:应用于特定区域的参数3:确定光谱的参数 应用域整个器件的参数§边界条件 §表面复合速度a. SNO=
3、SNO : 电子在x=0处界面的复合速度(cm/sec)b. SPO=SPO : 空穴在x=0处界面的复合速度(cm/sec)c. SNL=SNL : 电子在x=L 处界面的复合速度(cm/sec)d. SPL=SPL : 空穴在x=L 处界面的复合速度(cm/sec)§光在前后表面的反射系数a. RF=RF : 在x=0处的反射系数b. RB=RB :在x=L处的反射系数§ 温度T(K) 应用于特定区域的参数 §区域的宽度W 或者式XLAYER(A) §材料的基本参数a. EPS : 在温度为T时候的折射率b. NC :温度为T时候导带的有效状态密度c
4、. NV : 温度为T时候价带的有效状态密度d. EG :温度为T时候的禁带宽度e. EGOP :温度为T时候的光学带隙f. CHI : 温度为T时候电子亲和能g. MUN : 温度为T时候电子的迁移率h. MUP :温度为T时候空穴的迁移率 §离散的定域缺陷能级DLVS是离散类施主能级的数目(0<=DLVS<=25);ALVS是离散类施主能级的数目(0<=DLVS<=25); 离散施主能级浓度和电离能 对于全部电离的情况,DLVS=0 ND(i)=NDi :第i个施主能级的施主浓度 对于部分电离的情况,如果DLVS>0(即存在离散类施主能级),那我们就
5、 需要设置有关第i个离散能级的如下有关参数:a. ND(i) = NDi : 第i个施主能级带浓度;b. EDON(i) :第i个施主能级带电离能,为正,以EC为零点;c. WDSD(i)=WDi :第i个施主掺杂带能级带宽度;d. DSIG/ND(i) : 第i个离散施主能级电子的交叉捕获面积;e. DSIG/PD(i) : 第i个离散施主能级空穴的交叉捕获面积 离散受主能级浓度和电离能 对于全部电离的情况,ALVS=0 NA(i)=NAi :第i个受主能级的受主浓度 对于部分电离的情况,如果ALVS>0(即存在离散类受主能级),那我们就 需要设置有关第i个离散能级的如下有关参数:a.
6、 NA(i) = NAi : 第i个受主能级的浓度; b. EACP(i) :第i个受主能级带电离能,为正,以EV为零点;c. WDSA(i)=WAi :第i个受主掺杂带能级的宽度;d. DSIG/NA(i) : 第i个离散受主能级电子的交叉捕获面积;e. DSIG/PA(i) : 第i个离散受主能级空穴的交叉捕获面积§ 连续的定域缺陷能级(在带尾和禁带中部),分为V型和U型 如果是V型,需要以下带参数:a. GDO ,GAO : 如上图中的表达式带表示的:b. ED : 类施主尾带的特征能量Ed:c. EA : 类受主尾带的特征能量Ea:d. TSIG/ND :类施主尾带电子的交叉
7、捕获面积e. TSIG/PD :类施主尾带空穴的交叉捕获面积f. TSIG/NA :类受主尾带电子的交叉捕获面积g. TSIG/PA :类受主尾带空穴的交叉捕获面积 如果是U型,除了要用到V型中要用带参数以外,还要加上以下的参数:a. GMGA : 禁带中部类受主能级状态密度GMGab. GMGD : 禁带中部类施主能级状态密度GMGdc. EDA : 转变能级Edad. MSIG/ND : 禁带中部类施主能级电子的交叉捕获面积e. MSIG/PD : 禁带中部类施主能级空穴的交叉捕获面积f. MSIG/NA : 禁带中部类受主能级电子的交叉捕获面积g. MSIG/PA : 禁带中部类受主能级
8、空穴的交叉捕获面积§ 高斯型缺陷能级(AMPS允许同时存在最多三种施主和三种受主能级) 高斯施主能级 如果DLVSG>0,则设置一下参数:(0<=i<=2)a. NDG(i) : 第i个高斯施主能级的状态密度b. EDONG(i) :第i个高斯施主能级的峰值状态密度能级,为正,Ec为零点c. WDSDG(i) :第i个高斯施主能级带标准差(eV)d. GSIG/ND(i) :第i个高斯类施主能级电子的交叉捕获面积e. GSIG/PD(i) :第i个高斯类施主能级空穴的交叉捕获面积 高斯受主能级如果ALVSG>0,则设置一下参数:(0<=i<=2)a
9、. NAG(i) : 第i个高斯受主能级的状态密度b. EACPG(i) :第i个高斯受主能级的峰值状态密度能级,为正,Ev为零点c. WDSAG(i) :第i个高斯受主能级带标准差(eV)d. GSIG/NA(i) :第i个高斯类受主能级电子的交叉捕获面积e. GSIG/PA(i) :第i个高斯类受主能级空穴的交叉捕获面积 确定光谱参数 对于光谱中的每个波长,我们需要设置以下带参数:1. 波长:LAMBDA(um)2. 入射的光通量 FLUX3. 材料中个区域对这个波长的吸收系数 ALPHA 设置完这些参数后,我们可以选择是否计算量子效率,(也叫频谱响应(spectral response:SR),即每个带宽单位光通量带电流)。SR在短路,正向偏压,反向偏压的情况下都可以计算出来。如果要得到SR,那么探测单色光带光通量水平SRFLUX就需要被设置,因为在不同的光通量可能有不同带SR。三:选择一个计算的步长 要从AMPS 中获得一个有效带模拟结果,合理的步长选择是很重要带。AMPS提供类等步长和可变步长。如果我们使用等步长的话,AMPS允许我们最多有400等分。大部分情况下,400等分足够让AMPS计算出一个有效地结果。然而,如果模拟的是一个相当复杂的或者是想要一个较好的结果,那就要用到可变步长了。这样
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