HRTEM高分辨率标定4

1、实用标油灌 一 ® o P .带轴挺正的，直接标就行，而且是低指数,可以按照标准普标定。丁00 d '°, * » J V®VD b 1 ，L M.w '|C o 9 b °' ® 卡片了，还有就是，有没有第二相,或者有序空位,那需要查查pdf 一般大变形的样品会出都会差生周围的弱斑点，取向有微小的变化, 现衍射斑点拉长。再有就是结晶生长的样品，生长的过程中也取向会 形成略小的差别r就会形成你上面的衍射,要成多晶的话，需要有很 多个取向随机的晶粒，你这个显然不是。用DM软件测量面间距有两种方法，一是在像中直接测

2、量,这种方 D:> < > o ， fa A e . 法测量方向必须严格垂直于要测的晶面,一般不常用。另外一种方法就是在FFT中测量相应的斑点因为HRTEM与相应FFT有对应关 > ,2 、仁 - 1 0» .2 *. / 系FFT一个斑点代表HRTEM中的相应一组面。方法是将像做FFT , 然后用ROI Tool中虚直线工具准确连接相应斑点到中心斑，然后在软件菜单Analysis中里选Calibate，就会有正空间面间E遍示。FFT中点少说明像的分辨率或质量不高。希望能得到高人指点啊，最好上 面2种方法都介绍一下啊?非常感谢USTB版主帮我做了这次TEM实验

3、标定后也i青教了 UST版主。感谢版主!两张SAED图，左图经111方向旋转19.5度后得到右图，如果按照 图中的标定，两张图可以自洽 可是图中的1/2位置的弱点不好解释, 能不能解释成超晶格？藤翳文档， ” 实用解准立案3.9493.924512.783672.77522.77492.270582.270421.97451.9622650.6610095.2123.6423.6430.013010.821.28晶体结构参数如下: 物质:(Bi0.7La03)FeO3space group: C222 lattice parameters: a=5<5504fb=5.5498,c=3.9

4、49z 90,90,90,以下是XRD图谱中出现的d值 k ”©4O4CH K L 2Theta/deg d/? I/rel.00122.49711022.639111 32.12920032.2302032.23320139.66302139.66600245.92422046.22751.7891.7638432.1 51.9970 52,0640 52,0692 57.2132 57.2151 57.4061 57.4112 67.2070 67.4390 67.4483 71.6322 71.9172 71.9211 72,0881 72.0960 72.1493 76.22

5、81.75727 r 1.755171.755021.6088532.5816.2416.2413.111.608791.603891.603771391831.38761.387451316331.311811.311751.309131.309011.308171.24813.1126.0226.0118394.564.564.0416.0316.027.987.977.96143822311320精彩文档.宾用标准文案02311322400400311340043311我觉得可以说是超晶格，不过最好有高分辨图0 肯定不对.如果大点是(111)那小点就是1/2 (111)很滑稽.蔚彩文档.

6、 V 实用稀准式卷应该是超结构斑点，如果知道(Bi0.7La03)FeO3 space group: C222 0-*3的具体原子位置可以算一下看看，或者再做高分辨确认一下。超晶格1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念.他们设想如果用两种晶格匹配很好的材料交替地生长周期性结构,每层材 料的厚度在lOOnrn以下,如图所示.则电子沿生长方向的运动将会 产生振荡，可用于制造微波器件.他们的这个设想两年以后在一种分 子束外延设备上得以实现。一个双超晶格精彩羽里实用冲文震:超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交可见, 事实上就是特定形式的层状精细替生长并保持严格周期

7、性的多层膜， 复合材料。超晶格又分以下几种组分超晶格：在超晶格结构中，如./ * * . « ： « . e O O * e * Q.J . > . Cj 果超晶格的重复单元是由不同半1.导体材料的薄膜堆垛而成的叫 pm 飞 一.3 Q o .4 . »% .巴。< 做组分超晶格掺杂超晶格：在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类 型的方法做2.成的新型人造周期性半导体结构的材料。任何一种半 导体材料只要很好控制掺杂类型都可掺杂超晶格的优点：以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般匕眼小，搂杂超晶格 ,%, * .rw,09 9,V »

8、;°,C 中没有像组分超晶格那样明杂质引起的晶格畸变也较小 ,掺杂超晶格 的有效量隙可以具有从零到位调制的基显的异质界面;体材料能 量隙之间的任何值,取决于各分层厚度和掺杂浓度的选择。多维超 晶格3,应变超晶格4.1、量子阱具有明显量子种不同的半导体材料相间排列形成的、量子阱是指由2由于量子阱限制效应的电子或空穴的势阱。量子阱的最基 本特征是，的限制，导致载流子）宽度（只有当阱宽尺度足够小时才能 形成量子阱波函数在一维方向上的局域化。、多量子阱2精彩文糕0C ' 0 f D 严 9 *o 、 > :K P 实唐柄潴文案fB »9 r如果势垒种不同半导体材料薄层

9、交替生长形成的多层结构中,2、在由则多层结以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，层足够厚, j a,c o«构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。、超晶格（耦合的多 量子阱）3原来在各量子阱中分立的相邻阱之间的耦合很强，如果势 垒层很薄一能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及微带（）能级将 扩展成能带具有超晶格特点的结势垒的厚度有关，这样的多层结构称 为超晶格。构有时称为耦合的多量子阱。李晶李晶是指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面(即特定 取向关系)构成镜面对称的位向关系,这两个晶体就称为季晶，此公 共晶面就称李晶面。李晶界可分为两类.共格字晶界(coherent t

10、win boundary)和非共:格李晶界(incoherent twin boundary),如上图焉番交感实用标隐文案共格李晶界就是李晶面在李晶面上的原子同时位于两个晶体点阵的 属于自然地完全匹配是无畸变的完全共结点上，为两个晶体所共有一 很稳定,格晶面，它的界面能很低,约为普通晶界界面能的1/10在 显微镜下呈直线，这种亨品界较为常见。即可得到另一种学品界 非如果掌晶界相对于李晶面旋转一角度，共格李晶界0此时，李晶界 上只有部分原子为两部分晶体所共有,因而原子错其酸严重，这种李 晶界的能量相对较高，约为普通晶界的0 1/2可分为依李晶形成原因的不同,李晶的形成与堆垛层错有密切关系等。正因为李晶与层错能密切退火李晶和、生长李晶形变挛晶 相关，一般层错能高的晶 体不易产生李晶。李晶，英文叫twinning ,李晶其实是金属塑性变形里的一个重要概念。挛生与滑移是两种基本的塑性形变机制。从微« °°w.-."a*0c' eN n° w *ft * * f观上看，晶体原子排列沿某一特定面镜像对称。那个面叫李晶面。孚 °? OC