硅片检验标准2016-2-1

1、 A/1版光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号： LW-BZ-009-A1版本： A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制： 日期：审核：日期：批准： 日期：发布日期： 实施日期：文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、 无2、 156-156.73、 无4、 B片中崩边要求为：length1.5mm；width0.5mm个数不限更改后内

2、容及条款1、 增加硅片黑色带状区域要求2、 155.8-156.73、 增加表面玷污定义4、 B片中崩边要求为：length1.5mm；width0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。翘

3、曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0.5mm、长度1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。微晶：每1cm2长度上晶粒个数10个。4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准

4、；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。5 正文5.1 表面质量 表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。5.2 外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。5.3 电性能依据硅锭硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。硅片电阻率测量一点数值，当超出B级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最

5、终判定值。5.4抽检方法（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例），不合格比例不高于0.5%。每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。（2）抽取硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。6 相关文件无7 相关记录无附表1：自检硅片检验项目及判定标准检验标准检验项目A级品B级品电性能指标Resistivity电阻率（·cm）0.73Carrier Lifetime少子寿命(s)1.2Oxygen concentration氧含量（atoms/cm3）1.0*1018Carbon concentration碳含量

6、（atoms/cm3）8*1017外形尺寸及外观Geometry几何形状正方形Thickness厚度（m）180±20TTV（m）TTV3030TTV50Size尺寸（mm）155.8size156.7Diagonal对角线（mm）218.8-220.6Rectangular angle角度（º）90±0.3Chamfer angel倒角（º）45±10Chamfer wide倒角宽度（mm）0.5wide2.5Chip崩边（宽度*延伸深度）（mm）不允许length1.5mm；width0.5mm每片不得超过4处Break age缺口（mm&

7、#178;）不允许<0.2*0.2Saw mark锯痕（m）Saw mark1515Saw mark35Warp翘曲度（m）Warp5050Warp75Bow弯曲度（m）Bow5050<Bow75Surface表面无裂纹、孔洞、微晶；表面洁净：无玷污、油污、手印；无裂纹、孔洞、微晶；表面洁净：无玷污、油污、手印，砂浆斑点个数小于5个，黑线向内延伸小于5mm。 附件1：B级硅片分类及标识方法按优先级B2至B9无重复排序标示如下：B2晶粒小，其它检验参数符合A级品标准。B3少子寿命以硅块少子寿命为标准。B4小崩边，其它检验参数符合A级品标准。B5电阻率标准以硅块电阻率为标准。B6 15

8、6mm*156mm硅片划片后的125mm*125mm硅片（以后存在划片可能）。B7锯痕1535或亮线B级（参考亮线判定标准。），其它检验参数符合A级品标准。B8 30<TTV50,其它检验参数符合A级品标准。B9 表面沾污如果存在两种以上的B级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下：第一级第二级第三级第四级第五级第六级第七级第八级第九级B1B2B5B3B8B7B4B9B6附件2 ：硅片“亮线”的判定标准2.1亮线片：硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦出现的类似抛光的硅片。2.1.1亮线处，测试深度小于10µm的硅片2.1.1.1单面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/

9、2，为 B7亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 级2.1.1.2双面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级2.1.2亮线处，测试深度1020µm的硅片2.1.2.1单面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级2.1.2.2双面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/2，为 不合格亮线面积小于硅片面积的1/2，为B72.2黑色带状区：断线处理往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后出现黑色矩形区域。2.2.1 带状区小于20mm硅片，按照附表1内检验标准判定；2.2.2 带状区大于20mm硅片，若满足附表1内A、B级标准，则判定为B；不满足B级标准的，判定为不合格；注：检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。附件3 TTV测试点选取TTV测试5点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边10-15mm处硅片厚度。见下图：此点测定电阻率此点中心距边10-15mm附件4 崩边崩边:硅片分选机在测量边缘崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易出现误判。针对B4档硅片需要人工搓开硅片进行检测。微晶：硅片上细小晶粒连续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。此类硅片属于