半导体三极管和放大电路练习与答案_第1页
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文档简介

1、半导体三极管及其放大电路一、选择题1. 晶体管能够放大的外部条件是 a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案: c2. 当晶体管工作于饱和状态时,其 a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案: a3. 对于硅晶体管来说其死区电压约为 a 0.1V b 0.5Vc 0.7V答案: b4. 锗晶体管的导通压降约 |UBE| 为a 0.1V b 0.3V c 0.5V答案: b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的为 a 40 b 50 c 60答案: c6.

2、 反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能 a 越好 b 越差 c 无变化答案: a7. 与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能 a 高 b 低 c 一样答案: a8. 温度升高,晶体管的电流放大系数 a 增大 b 减小 c 不变答案: a9. 温度升高,晶体管的管压降 |UBE|a 升高 b 降低 c 不变答案: b10. 对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时, 极的电位最低。a 发射极 b 基极 c 集电极答案: c11. 温度升高,晶体管输入特性曲线 a 右移 b 左移 c 不变答案: b12. 温度升高,晶体管输出特性曲线 a 上移 b 下移 c 不变答案: a12. 温度升高,晶

3、体管输出特性曲线间隔 a 不变 b 减小 c 增大答案: c12. 晶体管共射极电流放大系数与集电极电流Ic 的关系是 a 两者无关 b 有关 c 无法判断 答案: a15. 当晶体管的集电极电流 Icm>Ic 时,下列说法正确的是 a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的 PC=PCM c 晶体管的一定减小 答案: c16. 对于电压放大器来说, 越小,电路的带负载能力越强 a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数 答案: b17. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管 答案: b18.

4、测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 a 处于饱和状态 b 放大状态 c 截止状态 d 已损坏 答案: c19 在单级共射放大电路中 , 若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位 a 同相 b 反相 c 相差 90 度答案: b20 在单级共射放大电路中 , 若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这 种失真是 失真a 饱和 b 截止 c 饱和和截止答案: a21. 引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是 a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高 答案: c23. 利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的 a 输出

5、功率 b 静态工作点 c 交流参数答案: c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 放大电路。a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案: a26. 引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化 答案: c27. 在放大电路中,直流负反馈可以 a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数c 稳定电路的静态工作点答案: c28. 可以放大电压,但不能放大电流的是 放大电路。a 共射极 b 共集电极 c 共基极答案: c29. 射极输出器无放大 的能力。a 电压 b 电流 c 功率 答案: a30.

6、在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是 放大电路。a 共射极 b 共集电极 c 共基极答案: b31. 与空载相比, 接上负载后,放大电路的动态范围一定 a 不变 b 变大 c 变小答案: c32. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ,接入 3k 的负载后输出电压降为 3V ,则此电路的输出电阻为 a 0.5kW b 1kWc 2kW答案: b35. 在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是 多级放大电路。a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 答案: c36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式 )多级放大电路相比,低频响应 a 好

7、 b 差 c 相同37. 在多级放大电路中,不能抑制零点漂移的 多级放大电路。a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合38. 若三级放大电路的 Au1 =Au2=30dB , Au3=20dB ,电路将输入信号放大了 倍。a 80 b 800c 1000039. 有两个性能完全相同的放大器,其开路电压增益为20dB , Ri=2k ,Ro=3k 。现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为 a 40dB b 32dBc 16dB40. 由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移,因此会引起放大电路 的输出信号产生失真。这种失真称为 失真。a 饱和 b 截止 c

8、频率41. 放大电路的两种失真分别为 失真。a 线性和非线性 b 饱和和截止 c 幅度和相位42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合(或变压器耦合)多级放大电路相比,低频响应 a 差 b 好 c 差不多44. 在考虑放大电路的频率失真时,若输入信号 Ui 为正弦波,则输出信号 _a 会产生线性失真 b 会产生非线性失真 c 为正弦波45. 在晶体管组成的三种基本放大电路中, 放大电路的高频特性最好。a 共射极 b 共集电极 c 共基极46. 对于多级放大电路,其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 a 变宽 b 变窄 c 两者一样47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率 fH a 越高 b

9、越低 c 无变化48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处,幅值下降 a 3dB b 6dB c 20dB49. 多级放大电路的级数愈多,则高频附加相移 a 越大 b 越小 c 无变化51. 已知某晶体管的 fT=150MHz, b=50 。当其工作频率为 50MHz 时, fa 50MHz b 30MHz c 3MHz52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为 fH 和 fL 的输入信号时, 输出电压的相位与中频区相比, 在量 值上有 度的附加值。a180 b 90 c 4553 在单级阻容耦合放大电路的波特图中,(1) 频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为 a 20dB

10、/十倍频, -20dB/十倍频,b 20dB/十倍频,20dB/十倍频,c -20dB/十倍频,20dB/十倍频,(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 °/ 十倍频,-45 °B/ 十倍频b 45 °/ 十倍频,45 °B/ 十倍频c - 45 °/ 十倍频,-45 °B/ 十倍频54. 工作在放大区的某三极管,如果当 IB从 12 A增大到 22A 时,IC从 1mA 变为 2mA ,那么它的 约为。A. 83B. 91C. 100答案: C二、判断题55. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )答

11、案:×56. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )答案:×57. 电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的; ( )答案:×58. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作; ( )答案:59. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的 输出都毫无变化; ( )答案:×60. 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。 ( )答案:×三、解答题61. 电路如图 PT3.4 所示,所有晶体管均为硅管, 均为 60, rbb' =100 ,静态时 UBEQ 0.7V 。 试求:( 1

12、)静态时 T1管和 T2 管的发射极电流。( 2 )若静态时 u O> 0 ,则应如何调节 Rc2的值才能使 uO0V ?若静态 uO0V,则 Rc2 ?电 压放大倍数为多少?图 T3.4解:( 1 ) T3 管的集电极电流IC3 ( UZ U BEQ3 )/ Re3 0.3mA静态时 T1管和 T2 管的发射极电流IE1 I E2 0.15mA(2 )若静态时 u O> 0 ,则应减小 Rc2。当 u I0 时 uO0,T4 管的集电极电流 ICQ4 VEE / Rc4 0.6mA 。Rc2 的电流及其阻值分别为I Rc1 I C2 I B4 I C20.14mAU BEQ4I

13、RC27.14k电压放大倍数求解过程如下:rbe4Au1rbb'(1) 26mV10.7kI EQ2rbb' (126mV2.74k)I EQ4Rc2rbe4 (1)Re4rbe22rbe2rbe4(1)Re41816.510Hz 时斜率为 40dB/ 十倍频,频率大f 10Hz 时相移为 90o,f 10 5HzAu Au1 Au2 29762. 电路如图 P4.8 所示,具有理想的对称性。设各管 均相同。( 1 )说明电路中各晶体管的作用;( 2 )若输入差模电压为( uI1u I2),则由此产生的差模电流为 iD,求解电路电流放大倍数 Ai 的近似表达式。解:(1 )图示

14、电路为双端输入、 单端输出的差分放大电路。 T1和 T2、T3 和 T4 分别组成的复合管为放大管, T5 和 T6组成 的镜像电流源为有源负载。(2 )由于用 T5和 T6 所构成的镜像电流源作为有源负载,将 左半部分放大管的电流变化量转换到右边, 故输出电流变化量 及电路电流放大倍数分别为iO 2(1 ) iIAi iO 2(1 )iI63. 若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2 所示,试画出整个电路的波特图。解: 20lg Aum 60dB 。在折线化幅频特性中,频率小于 于 10 5Hz 时斜率为 40dB/ 十倍频。在折线化相频特性中,时相移为 90 o。波特图如解图 P5.18

15、 所示。图 P5.2解图 P5.1864.电路如图 P2.19 所示,晶体管的 b60 , rbb' =100 。1)求解 Q 点、 Au 、Ri和 Ro;图 P2.19(2)设 U s 10mV解:(1)Q 点:有效值),问U i ? Uo?若 C3开路,则 Ui?Uo?I BQVCC U BEQ 31AI CQRb (1I BQ)Re1.86mAU CEQVCCIEQ (Rc Re) 4.56VAu 、Ri和 Ro 的分析:rberbb'(1)IRiRb rbe952Au(RcRL)rbeRoRc3k10mV(有效值),则UiRiUs953.2mVAuUiiUo2)设Us2

16、6mV952EQ304mV若 C3 开路,则RiAuUiRb rbeRc RLReRii U sRs Ri(1)Re 51.3k1.59.6mVUoAu Ui 14.4mV65. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( )答案:×66. 按要求填写下表。电路名称连接方式( e、c 、b)性能比较(大、中、小)公共极输入极输出极AuAiR iR o其它共射电路共集电路共基电路解:答案如表所示。电路名 称连接方式性能比较(大、中、小)公共 端输入 端输出端AuAiR iR o其它共射电 路ebc大大小大共集电 路cbe小大大小共基电 路bec大小小大频带宽67. 电路如

17、图 P2.4 (a)所示,图( b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ 0.7V 。利用图解法分别图 P2.4解: 空载时: IBQ20 A,ICQ2mA , U CEQ 6V ;最大不失真输出电压峰值约为5.3V ,有效值约为 3.75V 。带载时:IBQ 20 A,ICQ 2mA ,UCEQ 3V ;最大不失真输出电压峰值约为 2.3V ,有效值约为 1.63V 。 如解图 P2.4 所示。解图 P2.468. 图 P3.6 所示电路参数理想对称, 1 2rbe1 rbe2 rbe 。1)写出 RW 的滑动端在中点时 Ad的表达式;图 P3.62)写出 RW 的滑动端在最右端时 Ad的表达

18、式,比较两个结果有什么不同。解:(1)RW 的滑动端在中点时 Ad的表达式为AduO(Rc R2W )uC1uIrbeRW 的滑动端在最右端时(Rc RW )2rbeuIuC2Rc2rbeuIuOuC1uC2(RcrbeRW2 )uI所以 Ad 的表达式为AduO(RcuI2) rbe比较结果可知,两种情况下的Ad完全相等;但第二种情况下的uC1 > uC2 。69. 电路如图 P4.8 所示,具有理想的对称性。设各管 均相同。( 1 )说明电路中各晶体管的作用;( 2 )若输入差模电压为( uI1u I2 ),则由此产生的差模电流为 iD,求解电路电流放大倍数 Ai 的近似表达式。解:

19、(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放 大电路。T1和 T2、T3和 T4 分别组成的复合管为放大管, T5 和 T6 组成的镜像电流源为有源负载。( 2 )由于用 T5 和 T6 所构成的镜像电流源作为有源负 载,将左半部分放大管的电流变化量转换到右边,故输 出电流变化量及电路电流放大倍数 图 P4.8分别为iO 2(1 ) iIAiiO 2(1 )iI70. 已知某电路电压放大倍数Au试求解:1 ) Aum ? fL? fH ?2 )画出波特图。解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出Aum 、fL、fH。Au100 j10(1 j10)(1 j100105)fL 10Hz5fH 10

20、5 Hz2 )波特图如解图 P5.6 所示。解图 P5.671. 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为答案:A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 B72. 分别 改正图 P2.2 所 示各电路中 的错误 ,使它 们有可 能放大 正弦波 信号 。要求保 留 电路 原来的 共射接 法和 耦合方式。解设图 P2.6解:(a)将VCC 改为 VCCb) 在VCC 与 基极之 间加 Rb。c)将 VBB 反接,且在输入端串联一个电阻。d)在 VBB 支路加 Rb,在VCC与集电极之间加 Rc。5)RC短路UBE 0.7V则基极静态电流图 P2.273

21、. 电路如图 P2.6 所示,已知晶体管 b50 ,在下列情况下,用直流电压表测晶体 管的 集电极 电位, 应分 别为多少?设 VCC 12V , 晶体管饱和管 压降 U CE S 0.5V 。4)R b2 开 路1)正常情况2)Rb1短路3) Rb1 开 路1)0.022mAVCC U BE U BEIBRb2Rb1U C VCC I CRc 6.4V2)由于 UBE0V,T截止,UC12V 。3) 临界饱 和基极电流I BS实际基极电流VCC U CESRc0.045mAVCCU BEIB0.22mA由 于 IB>IBS, 故 T 饱和, UC UCES0.5V4) T 截 止 ,U

22、C12V5) 由于集 电极直接接 直流电 源,UCVCC12Vr'74. 电 路 如 图 P3.9 所 示 , 晶 体 管 的 =50 , bb' =100 。(1) 计算静 态时 T1管 和 T2 管的 集电极 电流 和集电 极电位 ; 图 P3.92) 用直流 表测得 uO=2V , uI=?若 u I =10mv , 则 uO=?解 :( 1 ) 用 戴 维 宁 定 理 计 算 出 左 边 电 路 的 等 效 电 阻 和 电 源 为 RL' Rc RL 6.67k , VC'CRLVCC 5VRc RL静态时 T1 管和 T2 管的集电极电流和集电极电位分

23、别为I IVEEU BEQI CQ1 I CQ2I CQ I EQ0.265mA2ReU CQ1VCCI CQRL'3.23VU CQ2 VCC 15V2) 先求出 输出 电压变化量,再求解 差模 放大倍数,最 后求出输入 电压, 如下:uOuOUCQ1 1.23Vrberbb' (1 )26mA 5.1kI EQAdRL32.72(Rb rbe)uIuOAd37.6mV若 u I=10mv , 则0.327VAduIU CQ1uO 2.9V75. 电路 如图 P4.10 所示 ,T1 与 T2 管的 特性相 同,所 有晶 体管的 均 相同 ,Rc1 远大 于二 极管的 正向电

24、 阻。 当 uI1uI2 0V 时,uO0V 。图 P4.10 求解电压放大倍数的表达式; 当有共模输入 电压 时,uO=?简述理由。 1)在忽略二极管动态电阻的情况下(1)(2) 解 :(uOAu1Au2AuRc1 rbe3 c1 2 rbe1Rc2rbe3Au2Au1(2)当 有共模输入电压时,uO 近似为零。由 于 Rc1rd, uC1uC2,因 此 BE30, 故 u O 0。u76. 减小电路非线性失真的措施有(A. 采用输入特性为线性的晶体管; C . 采用小信号功率放大电路; D.77. 三极管有和)B. 采用交流负反馈放大电路; 稳定在互补对称功放电路的乙类状态下工作 两种载流

25、子参与导电,故称作 极型晶体管;而场效应管称作极型晶体管。答案:电子,空穴,双,单78. 不论何种组态的放大电路,作放大之用的三极管都工作于输出特性曲线的区。因此接入电路时, 总要使它的发射结保持偏置,使它的集电结保持偏置。三极管的电流放大作用,实质上是指它的基极电流对集电极电流的作用。答案:放大,正向,反向,控制图279. 图 2 电路对输入的交流信号电压是否正常放大 ? 理由 是 .答案:否,因 Rb<Rc 使 VB>Vc 不能保证集电结反向偏置,特别是偏流IB 过大可能损坏发射结80. 根据图 3 某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线,可以得出1)静态点 Q

26、值: IB = IC =UCE = .2 )三极管电流放大系数 =3 )集电极电阻 Rc =4 )最大不失真输出电压幅度 (Uom)max=图3答案: IB=0.02mA,IC 1mA,UCE 3V ;50 ;Rc3K ;(Uom)max 1.5V81. 放大电路分析时,可以忽略不予考虑的参量有( )A 小数量,遇见恒大于它的数量时;B 倒数和关系中的恒小数量;C 阻抗串联关系中的恒小电阻;D 阻抗串联关系中的恒小电容答案: C82. 在全频段阻容耦合共射单级放大电路中,信号在低频段不可忽略的电容或等效电容有( )A 发射极电容元件;B 三极管的结电容;C 电路导线分布电容;D 偶合电容元件答

27、案: A ,D83. 对三极管基本放大电路析时,须乘以( 1+ )倍折算的元件是(A 折算到发射极电流并联支路的三极管输入电阻 rbe ;B 折算到基区的三极管发射结电阻 rb ' e;C 折算到基极电流串联回路的发射极电阻Re ;D 折算到基极电流串联回路的发射极电容 Ce ;答案: B ,C84. 在放大电路的交流通路中()可以视为短路。A 无内阻的直流电压源; B 高、中频交流信号下工作的耦合电容元件;C 高、中交流信号下的三极管结电容; D 高、中频交流信号下有旁路电容的电阻元件 答案: A, B85 .减小放大信号非线性失真的措施有()。A 采用输入线性好的晶体管; B 采用

28、交流负反馈放大电路;C 稳定在合适静态工作点的小信号的电压或功率放大电路下工作;D. 稳定在互补对称功放电路的甲乙类状态下工作;86. 电路如图 6 所示,说明下列三种情况时, 电路各属于和种组态,各有何特点?(1)U2 = 0 ,从 C 极输出:共极组态特点: .(2)U2 = 0 ,从 E 极输出:共极组态特点:.(3)U1 = 0 ,从 C 极输出:共极组态特点:.答案: (1) 共射组态,有电压(反相)、电流放大能力(2)共集组态,有电流、无电压(同相)放大能力,输入电阻高,输出电阻低(3)共基组态,有电压(同相)、无电流放大能力,频率特性好87. 固定偏流电路如图 7(a) 所示。已

29、知: VCC = 12V ,Rb = 280k , Rc = 3k, RL = 3 k ,三极管= 50, 取 rbb'= 200 , 求:(1)静态工作点 Q;( 2)求电压增益 Au ;(3)假如该电路的输出波形出现如图7(b) 所示的失真 ,问是属于截止失真还是饱和失真中的哪个元件可以消除这种失真 ?UBE = 0.7V.?调整电路如何调整 ?图 7(b)图 7( a)答案:( 1)IB 0.04mA,IC IE 2mA,UCE 6V(1)rbe 963 , R L' 1.5 K , Au -78(2)饱和失真,调节偏流电阻 Rb ,增大阻值88. 射极偏置电路如图 8所

30、示。已知 : VCC = 12V ,Rb1 = 2.5k , Rb2 =7.5k ,Rc = 2k, Re = 1k , RL = 2k ,三极管 = 30, 取 rbb'= 300 , UBE = 0.7V. 求: ( 1)静态工作点 Q ;( 2)电压增益 Au ;( 3)电路输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro图8答案:(1)VB 3V, IC IE 2.3mA, IB 0.077mA, UCE 5.1V(2)Ri 483 ,Ro RC = 2K (3)rbe 650 , R L' 1 K , Au -46.289. 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。A.

31、 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏答案: B90. 试分 析图 T2.2 所示 各电路是否 能够放 大正弦 交流 信号,简 述理由 。设图中所有 电 容对交流信号均可视为短路。解 :( a ) 不 能 。 因 为 输 入 信 号 被 V B B 短 路 。(b)可能。(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必 然失真。(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(e)不 能。因为输 入信号 被 C2 短 路。(f)不能。因为输出信号被 VCC 短路,恒为零。( g)可 能 。(h)可能。(i)不能。因 为 T 截止。VREFV

32、BE2 ( VEE )C3REFR(120.712)V23.3mA1kRe1 VI IVBE(80.7)V 313C3(23.33 31310 3)Ae1 IBJT T1 的恒流源负载,提高带负载能力。91. 电路如图题 6.1.2 所示,所有 BJT 的均很大, VBE 0.7V ,且 T2、T3特性相同, 电路参数如图。 问:(1)T2、T3和 R 组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)电路中 T1、Re1起电平移动作用, 保证 vi 0 时, vo 0 。求 IREF 、 Ic3 和 Re1 的值。 解(1)T2、T3和 R 组成镜像电流源电路,在电路中作为(2)当 vi 0 时,vo

33、092. 双端输人、 双端输出理想的差分式放大电路如图题6.2.2 所示。求解下列问题( 1)若 vi1 =1500 V。vi2 =500 V,求差模输人电压 vid, 共模输入电压 vic 的值;(2 )若 AVD 100 ,求差模输 出电压 vod ;( 3 )当输入电压为 vid 时,若从 C2 点输 出,求 vc2 与 vid 的相位关系; ( 4 )若输出电压 vo 1000 v i1 999 v i2 时,求电路的从 AVD 、Avc 和 KCMR 的值。解( 1)差模输人电压为vid vi1 vi2 1500 V 500 V 1000 V 共模输人电压为11vic(vi1 vi

34、2)(1500 500) V 1000 V22(2 )AVD100 ,差模输出电压为vod AVD vid 100 1000 V 100mV(3 ) vc2与 vid 同相。(4) vo 1000vi1 999vi2,求 A VD 、 AVD 和 K CMRvo AVD vid AVC v icAVD (vi1 vi2 ) AVC 2(vi1 vi2 ) 11(AVD2 AVC )vi1 (AVD2 AVC )vi2所以1(AVD 12 AVC) 10001(AVDAVC ) 9992A则AVC 1,AVD 999.5,K CMR | | 999.5AVC93. 电路如图题 6.2 .5 所示

35、, JFET 的 gm 2mS ,rDS 20 k ,求:( 1 )双端输出时的差模电压增益 AVD (v o1-v o2 ) v id 的值;( 2 )电路改为单端输出时, AVD1 、 Avc 1 和 KCMR 的值。解( 1)差模电压增益A VDvO1 v O2vidgm(Rd |rDS)2mS6.67k 13.32 )单端输出时,差模电压增益6.67共模电压增益AVC1gm(Rd |rDS )1 gm(2Rs )332 10 3(63.67 1033) 0.331 2 10 3 (20 103)共模抑制比K CMR6.670.3320.294. 电路如图题 6.2.7 所示,已知 BJ

36、T 的1=2=3=50 , rce=200 k ,V BE =0.7 V ,试求单端输出时的差模电压 增益 AVD2 、共模抑制比 KCMR 、差模输人电阻 Rid 和输出电阻 Ro 。提示: AB 两端的交流电阻r ABr 0rce3 1rbe3 (R1 |R2 )解 R2 两端的电压为R2R1 R2VEE33 5.6( 9) 3.1VIVR2VBE33.1 0.73 A 2mA1.2 103IE3Re3IE1I E 21 I E32 E31mArbe1200(1VT1) T 1.53kI E1rbe3200(1VT3) T 0.86kIE3R1 |R2 1.95kRe3VR2单端输出差模电

37、压增益(Rc2 |RL)2Rs rbe1 (1 )Re1 AB 两端交流电阻为AVD250 3.22 0.1 1.5312(1 50) 0.1r AB ro rce3 1rbe3 单端输出的共模电压增益 (Rc2 |RL )3R e3R1 |R2R e3200 150 1.2 k 3.2M1.20.86 1.95AVc250 3.22(1共模抑制比)ro2 (1 50) 3.2 1030.0005K CMRAVD 2AVC 2120.0005240002Rs 输出电阻 Ro Rc2 4.7k 95. 电路如图题 6.2.9 所示, 其它参数如图所示。求:差模输人电阻 Ridrbe1 (1)Re

38、 201.1.53 510.1 k13.5k设所有 BJT 的20 ,rbe 2.5K ,1 )两级放大电路的电压增益 Av Av1rce200K ,FET 的 gm 4mS ,Av2 ;(2 )Rid 和 Ro;(3)第一v o1级单端输出时的差模电压增益 A VD1 o1 、共模电压增益 Avc1 和共模抑制比 K CMRvid注:源极恒流源交流等效电阻为ror ce5 1(R e5 R p 3 )R3 | (rbe6 R e6) rbe5 (R e5 Rp3 )解 (1 )两级放大电路的电压增益AVDAV1 AV 2gm RL1Rc3rbe3(1)Rp2g mRd1Rp12| rbe3(

39、1) R p2)2Rc34 5.12.520 12 (1 20)0.2rbe3 (1Rp2)R2p27302 )输入电阻R1 | rgsRc43 )第一级单端输出时的差模电压增益1'gm R L12输出电阻A VD 112gmRidRoR d15.1R15.1MRc324kR p1 | rbe32 be3R p2(1) R2p210.2Rp3)(Re5T1 、T2 源极恒流源交流等效电阻ro rce5 1 R3 | ( rbe6 Re6 ) rbe5 (Re 5 Rp 3 )20 8.5200 1 k 2664k2.8 2.5 8.5第一级单端输出的共模电压增益gm R L1A VC1

40、4 5.1 3 0.96 10 31 gm (2ro)1 4 2 2664共模抑制比0.9160.120 3 10.6 103晶体管的 100 ,UBE 0.7 V ,饱和管压降 UCES 0.4 V ;稳压管的稳定电K CMRA VD1A VC196. 电路如图所示,压UZ 4V ,正向导通电压 UD 0.7 V ,稳定电流 IZ5 mA ,最大稳定电流 IZM 25 mA 。试问:1)当uI 为0 V、1.5 V 、25 V 时uO 各为多少?2 )若 Rc 短路,将产生什么现象?解题过程】1 )当 uI 0 时,晶体管截止;稳压管的电流在IZ 和 IZM 之间,故 uOUZ4 V 。 当

41、 uI 15V 时,晶体管导通,基极电流 假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流由于 uO >UCES 0.4 V ,说明假设成立,即晶体管工作在放大状态。值得指出的是,虽然当 uI 为 0 V 和 1.5 V 时 uO 均为 4 V ,但是原因不同;前者因晶体管截 止、稳压管工作在稳压区,且稳定电压为 4 V ,使 uO 4 V ;后者因晶体管工作在放大区使 uO 4 V , 此时稳压管因电流为零而截止。当 uI 2.5 V 时,晶体管导通,基极电流假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流在正电源供电的情况下, uO 不可能小于零, 故假设不成立, 说明晶体管工作在饱和状态。 实际上,也

42、可以假设晶体管工作在饱和状态,求出临界饱和时的基极电流为IB=0.18 mA > IBS ,说明假设成立,即晶体管工作在饱和状态。(2)若Rc短路,电源电压将加在稳压管两端, 使稳压管损坏。 若稳压管烧断, 则uO VCC 12 V 。若稳压管烧成短路,则将电源短路;如果电源没有短路保护措施,则也将因输出电流过大而 损坏97. 电路如图所示,晶体管导通时 UBE 0.7V , =50 。试分析uI 为 0V、1V 、1.5V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO 的值。【解题过程】(1)当 VBB 0时, T截止, uO 12V 。2)当 VBB 1V 时,因为所以 T 处于放大状

43、态。( 3)当 VBB 3V 时,因为A所以 T 处于饱和状态。98. 在 T=25 时,测得某晶体管的 IC=4mA , IB=45 ,ICBO=1 。若晶体管的温度系数为 1%/ , 在 T=45 时,测得 IB=60 ,这时 IC= ?【解题过程】T=25 时的值为T=45 时,有99. 试问图示各电路能否实现电压放大?若不能,请指出电路中的错误。图中各电容对交流可视为短图(a)图 (b)图(c)【解题过程】图(d)图(a)电路不能实现电压放大。电路缺少集电极电阻,动态时电源相当于短路,输出端没有交流电压信号。图(b) 电路不能实现电压放大。电路中缺少基极偏置电阻,动态时电源相当于短路,

44、输入 交流电压信号也被短路。图(c) 电路也不能实现电压放大。电路中晶体管发射结没有直流偏置电压,静态电流, 放大电路工作在截止状态。图(d)电路能实现小信号电压放大。 为了保证输出信号不失真 (截止、 饱和),当输入信号为 正时,应不足以使三极管饱和;当输入信号为负时,应不会使三极管截止。100. 电路如图所示。设晶体管的 UBE = 0.7V 。试求:(1) 静态时晶体管的 IBQ 、ICQ 、UCEQ 及管子功耗 PC(= ICQUCEQ )值 ;(2) 当加入峰值为 15mV 的正弦波输入电压 ui 时的输出电压交流分量 uo ;(3) 输入上述信号时管子的平均功耗 PC (av )值

45、,并与静态时管子的功耗比较;(4) 若将电路中的晶体管换成另一只的管子,电路还能否正常放大信号,为什么?解题过程】(1)(2) 由于,故uo 的峰值为 27.7 mV , uo 与 ui 的相位相反。(3) 管子在放大电路有信号时的功耗 可见,动态时管子的功耗有所降低。(4) 当 =150 时,可见,管子工作于饱和状态,故电路不能正常放大信号。101. 在图 (a)所示电路中, 已知晶体管的 =100 ,rbe =1 k ;静态时 UBEQ =0.7 V , UCEQ=6 V , IBQ=20 A;输入电压为 20 mV ;耦合电容对交流信号可视为短路。判断下列结论是否正确, 凡对的在括号内打

46、“”,否则打“×”。(1) 电路的电压放大倍数 () () () ()( 2 )电路的输入电阻 () () () ()(3)电路的输出电阻 () () ()(4)信号源的电压有效值 () ()【解题过程】 为了得到正确结论,可首先画出图 (a) 所示电路的交流等效电路,如图 (b) 所示;然后按各动态参 数的定义分别求解它们的数值。由图可得 , ,(1 )、均用静态量求解,故不正确;当电路带负载时,输出电压应为考虑了负载作用的 ,为空载时的,故也不正确。结论是:×,×, ×, 。(2)、均用静态量求解 Ri ,故不正确; 放大电路的输入电阻 Ri 是放大

47、电路自身的参数, 与信号源内阻 Rs 无关,故也不正确。结论是:×,×, ,×。( 3)输出电阻 Ro 是放大电路自身的参数,与负载电阻 RL 无关,故不正确;用静态量 求解 Ro ,故也不正确。结论是:×,×。(4)从图 (b) 可知,是在 Rs 和 Ri 回路中 Ri 所得的电压,故结论是:×,。图(a)图(b)102. 单级放大电路如图所示,已知 Vcc=15V , , 此时调到,晶体管饱和压降 UCES 为 1V , 晶体管的结电容可以忽略。试求:( 1)静态工作点, : (2)中频电压放大倍数、输出电阻、输入电阻;(3)估计

48、上限截止频率和下限截止频率;( 4)动态范围 =?输入电压最大值 Ui p= ?(5)当输入电压的最大值大于 Ui p 时将首先出现什么失真?相关知识】1 )共射极放大电路。(2)放大电路的频率特性。 解题过程】1 )采用估算法求解静态工作点。由图可知故(2)利用微变等效电路法,求解放大电路的动态指标。3 )当电路中只有一个惯性环节时,电路的截止频率可以表示为,其中为电容所在回路的等效电阻。在高频区,根据题意,晶体管的结电容可以忽略,影响电路上限截止频率的电容只有负载等 效电容。故电路的上限截止频率为在低频区,影响下限截止频率的电容有、和。可以分别考虑输入回路电容(、 )和 输出回路电容()的影响,再综合考虑它们共同作用时对电路下限截止频率的影响。 只考虑输出回路电容时只考虑输入回路电容和时,为了简化计算,忽略偏置电阻及射极电阻的影响,把射

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