半导体存储器和可编程逻辑器件

1、第九章可编程逻辑器件第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1 . ROMfc主要由哪几部分组成？8-2 .试比较 ROM PROMf口 EPROMS E2PROMt哪些异同？8-3 . PROM EPROM口 E2PROMfc使用上有哪些优缺点？8-4 . RAMS主要由哪几部分组成？各有什么作用？8-5 .静态 RAMF口动态 RAMt哪些区别？8-6 . RAMF口 ROMT什么区别，它们各适用于什么场合？8-7.试用RO峡现下列组合逻辑函数。8-8比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同？8-9试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题 8-9所示，写出Y1、Y Y3与A、R C、

2、D的逻辑关系表达式。图题8-98-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示，写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？8-12在下列应用场合，选用哪类PLD最为适合。(1)小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。(2)产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。(3)要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。CLK 0E=1r图题8-108-13选择题1. 一个容量为1KX 8的存储器有 个存储单元。A. 8B. 8KC. 8000D. 81 922 .要构成容量为 4KX8的RAM需要 片容量为256 X

3、 4的RAMA. 2B. 4C. 8D. 323 .寻址 容量为16Kx8的RAMI!要 根地址线。A. 4 B. 8C. 14D. 1 6 E. 16K4 .若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个， 则它们的输出线(即字线加位线)共有 条。A. 8B. 1 6C. 32D. 2565 .某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量 为。A. 8X3 B. 8KX8C.256 X 8D. 256 X2566 .采用对称双地址结构寻址的1 024 X 1的存储矩阵有 。A. 10 行 10歹U B. 5 行 5 歹U C. 32行 32 歹U D.1 0 24 行

4、1 0 24 歹U7 .随机存取存储器具有 功能。A.读/写 B.无读/写C.只读D.只写8 .欲将容量为128 X 1的RAM扩展为1 024 X 8,则需要控制各片选端 的辅助译码器的输出端数为。A. 1B. 2C. 3D. 89 .欲将容量为256 X 1的RAM扩展为1 024 X 8,则需要控制各片选端 的辅助译码器的输入端数为。A. 4B. 2C. 3D. 810 .只读存储器ROM在运行时具有 功能。A.读/无写 B.无读/写 C.读/写D.无读/无写1 1 .只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内 容。A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变1

5、2.随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中 的内容。A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变1 3 . 一个 容量为 512X1的静态RAMM有。A.地址线9根，数据线1根B.地址线1根，数据线9根C.地址线512根，数据线9根D.地址线9根，数据线512根14.用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 相应地并联在一起。A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线1 5 . PROM的与陈列（地址译码器）是。A.全译码可编程阵列B.全译码不可编程阵列C.非全译码可编程阵列D.非全译码不可编程阵列第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1 ROM主要由地址译码

6、器、存储距阵、输出缓冲器8-2 相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0或1。不同点：只读存储器ROW于存放固定不变的数据，存储内容不能随 便更改。PROM是可编程只读存储器。EPRO睡可擦除的可编程只读存储器EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。8-3 PROM是可编程只读存储器。EPRO匪可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。8-4 RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由 许多个存储单元排列而成。在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元 由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写

7、操作。8-5静态RAM的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态RAM勺存储单元是利用MOST具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷 的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周 期性地对存储数据进行刷新8-6只读存储器ROMS于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。随 时读出数据或改写存储的数据，并且读/写数据的速度很快，因此，RAM用于需要 经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但 RAM在断电后，数据将全部丢失8-7电路如图所示：WO 3 跖 慌a W5 亚8 WT 9 V0W10 *1】爵 14A -A B-D c-c D-D8-8

8、PAL有双极型熔丝工艺和 E2CMO甑种工艺。前一种不能改写，后 一种能改写。它们的 输出电路的结构类型由型号决定，在一些定型产品 中仍在使用，一般不再用来开发新产品。 GAL采用SCMOS：艺，改写方 便。GAL器件采用了可编程的输出逻辑宏单元 OLMC通过编程设置成不 同的输出方式，可以用同一种型号的 GAL器件实现PAL器件所有的各种 输出电路工作模式，从而增强了器件的通用性，它是目前应用最广泛的 PLD8-9Y=AB+BC+CD+ADY 2=AA bb cC DDY 3=BD ACy 4=bd AC8-10 驱动方程：D=MQ2nQMQ2nQin; Q=MQ2nQin MQznQin182第九章可编程逻辑器件状态方程：Qn+1=Mq2 nQ1nn nn+1n nn nM Q2 Q1Q 2 =MQ2 Q1MQ2 Q1状态转换图:1L*-11M=1 （三进制加法计数器）M=0 （三进制减法计数器）15.1848-11 目前适用最多的PLD产品主要有可编程阵列逻辑 PAL （ProgrammabelArray Logic的缩写）、通用阵列逻辑 GAL （Generic Array Logic的缩写）和在系统可编程器件ISP-PLD （In-System