cadence实验：PMOS、NMOS设计步骤_第1页
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文档简介

1、PMOS 、NMOS 版图设计尺寸参考说明：数字1、2、3 代表画版图时，第一层、第二层、第三层或说成第一步、第二步、第三步，一步一步做下来。一、 PMOS 版图有关尺寸参考1、THIN （薄氧化层）：与DIFF （扩散区/有源区）等价，在画版图时可以用 DIFF 代替。长度 3.4 宽度 1.2 （默认单位 um）2、 GPOLY:多晶硅导电层做 mos管的栅极，可以用POLY1代替，也可以做互 连线。长：2.4宽：0.4 离有源区（即上面的THIN）左边缘1.5u，比有源区上下各长出 0.6u3、CO NT ：引线孔，连接金属与多晶硅 /有源区 ，第一层金属的接点 。 大小 0.4*0.4

2、 离有源区上边缘 0.4 左边缘 0.34、METAL1 ：第一层金属，用于水平布线，如电源和地 ，器件之间的连接必须 依靠它 。大小：0.8*0.8 离 CONT 各 0.25、THIN （或 DIFF）: 大小 1.0*1.0 离 CONT 各 0.3 ,或离 METAL1 各 0.16 PPIMP （或PIMP）: P型注入掩膜。长：4.0宽：1.8离有源区上边缘0.3， 离有源区左边缘 0.37、NWELL : N阱，不仅用在制造P型器件，常在隔离的时候也看到它 。长6.5宽 5.7 ，离 PPIMP 左边缘 1.2 ，离 PPIMP 上边缘 2.78、再另外做一个节点： CONT（0

3、.4*0.4） ， METAL1 （0.8*0.8） ， THIN （1.0*1.0） 在已经画好图形的上方， CONT 离 PPIMP 上端 1.35 ，离 NWELL 左端 1.89、在新节点上加一个 NPIMP （或 NIMP）： N 型注入掩膜 ，大小为 1.7*1.7 ，离 THIN 各0.35NMOS版图有关尺寸参考1、THIN :长 3.4 宽 0.42、GPLOY :与 PMOS 相同离有源区（即上面的THIN）左边缘1.5u，比有源区上下各长出0.6u3、CONT :0.4*0.4，离有源区上边缘 0.3，左边缘0.34、METAL1 :与 PMOS 相同5、THIN :与 PMOS 相同& NPIMP :长4.0宽1.6离有源区上边缘0.3，离有源区左边缘 0.37、再另外做一个节点：CONT（0.4*0.4）, METAL1（0.8*0.8）,THIN （ 1.0*1.0）在已画好图形的下方，CONT离NPIMP下端1.15，离NPIMP左端0.68、在新节点上加一个 PPIMP: 大小1.7*1.7离THIN 各0.35第三部分：画一个反相器时要做一个输入引脚1、GPOLY:大小为1.6*1.6 （大小可以随意），离PMOS的NWELL下边缘0.7u（距离可以随意），此线框进入PMOS与NMOS相连的GPOLY深度为0.2 。2、

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