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文档简介

1、光敏电阻特性实验时间:2021.02.04创作:欧阳育二、实验目的:了解光敏电阻的光照特性、光谱特性和伏安特性等基本特性。三、基本原理:1、光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由 状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。2、光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自 身的电阻愈小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。3、光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和外加电 压有关。四、需用器件与单元:主机箱、安装架、普通光源、各种滤光镜、光电器件实验(-)模板、光敏电阻探头、照度计模板、光照度探头。五、实验步骤:1、亮电阻和暗电阻测量(1) 光敏电阻实验原理图(2

2、) 调节光敏电阻工作电压:(3) 亮电阻测试:(4) 暗电阻测试:实验结果:分析:般情况下,实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1MQ,甚至 高达100MQ,而亮电阻则在几kQ以下,可见测量数据有效。 2光照特性测试光敏电阻的工作电压一定时(5V),它的阻值(光电流)随光 照度变化而变化。按表3-2进行测量,作图3-2.o分析:理论上,光敏电阻在弱光照下,光电流I与光照度E具有良 好的线性;在强光照下则为非线性。根据测试数据所画得的光 照特性曲线较好地满足上述情况,说明实验操作准确。3伏安特性测试光敏电阻在一定的光照度下,光电流随外加电压的变化而变化(1) 调节光源电压为100LX时对应的电压值(2

3、) 调节光敏电阻工作电压的值读取相应的光电流(3) 重复测试不同照度的伏安特性,将测量数据填入表3-3, 并作图3-3o分析:(1) 、由图3-3可知,在给定光照下,光敏电阻的阻值与外 加电压无关,仅由光敏电阻本身性质决定,但是不同光照情况 下的伏安特性具有不同的斜率,即光照强度不同,阻值不同。(2) 、当光敏电阻承受的功率超过它本身的额定功率,曲线 开始变弯,说明光电流趋向饱和。4光谱特性测试光敏电阻在一定的工作电压时,在等能量、不同波长的光作用 下,其阻值的变化是不同的,即光电流大小不一样。本实验光 功率以lmW为标准,更换光源前端盖的滤光镜获得不同波长 的光。将测量数据填入表3-4,并作

4、图34。分析:光谱特性与光敏电阻材料有关。从图3-4可知,本实验选用 的光敏电阻的光谱响应范围在可见光区域,而峰值大概出现在 600nm,在稍离此波长的光谱响应迅速衰减,在远离处则无响 应。因此,在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源种 类相结合考虑,以获得满意的结果。六、思考题为什么测光敏电阻亮阻和暗阻要经过10秒后再读数?答:因为光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的,非平衡载流 子的产生与复合都是一个时间过程,此过程在一定程度上影响 光敏电阻对光照的响应。因此,测亮阻和暗阻时要考虑此时间 过程,一般取值10秒。七、实验总结1、在测量光照特性前,要先明确所用光源的光照度与光源工作 电压的对应关系,以便通过调节电压控制光照度的大小。2、在测量光谱特性前,要先明确不同波长的光源光功率与光源 电压的对应关系,以确保采用不同波长时,其功率大小

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