物理气相沉积PPT学习教案

1、会计学1物理气相沉积物理气相沉积第1页/共73页第2页/共73页第3页/共73页第4页/共73页第5页/共73页第6页/共73页第7页/共73页第8页/共73页第9页/共73页气相沉积技术气相沉积技术:发展迅速，应用广泛发展迅速，应用广泛 表面成膜技术表面成膜技术application 制备各种特殊力学性能制备各种特殊力学性能的薄膜涂层，的薄膜涂层， 如超硬、高耐蚀、耐热和抗氧化等。如超硬、高耐蚀、耐热和抗氧化等。 制备各种功能薄膜材料和装饰薄膜涂层等。制备各种功能薄膜材料和装饰薄膜涂层等。第10页/共73页超硬薄膜涂层等。超硬薄膜涂层等。第11页/共73页since 1970s薄膜技术和薄膜

2、材料薄膜技术和薄膜材料发展突飞猛进发展突飞猛进成果累累成果累累当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域微电子工业乃至信息工业的基础工艺微电子工业乃至信息工业的基础工艺:气相沉积技术气相沉积技术+微细加工技术微细加工技术（光刻腐蚀、离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子注入和（光刻腐蚀、离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子注入和离子束混合改性等在内的微细加工技术领域）离子束混合改性等在内的微细加工技术领域）第12页/共73页可沉积的物质：可沉积的物质：金属膜、合金膜，化合物、非金属、半导体、金属膜、合金膜，化合物、非金属、半导体、陶瓷、塑料膜等。陶瓷、塑料膜等。沉积薄膜物质

3、无限制沉积薄膜物质无限制基体无限制基体无限制 第13页/共73页application1.大量用于电子器件和大规模集成电路制作大量用于电子器件和大规模集成电路制作2.制取磁性膜及磁记录介质、绝缘膜、电介质膜、制取磁性膜及磁记录介质、绝缘膜、电介质膜、压电膜、光学膜、光导膜、超导膜、传感器膜和压电膜、光学膜、光导膜、超导膜、传感器膜和耐磨、耐蚀、自润滑膜、装饰膜以及各种特殊需耐磨、耐蚀、自润滑膜、装饰膜以及各种特殊需要的功能膜等要的功能膜等在促进电子电路小型化、功能高度集成化方面发在促进电子电路小型化、功能高度集成化方面发挥着关键的作用。挥着关键的作用。第14页/共73页薄膜技术：薄膜技术： 1

4、.薄膜材料与制备技术薄膜材料与制备技术 2.薄膜沉积过程监测控制技术薄膜沉积过程监测控制技术 3.薄膜检测技术与薄膜应用技术薄膜检测技术与薄膜应用技术 薄膜产业薄膜产业门类齐全。门类齐全。第15页/共73页8.1 物理气相沉积（物理气相沉积（PVD） 物理气相沉积物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称，简称PVD法），法），是利用热蒸发、辉光放电或弧光放电等物理过程，是利用热蒸发、辉光放电或弧光放电等物理过程，在基材表面沉积所需涂层的技术。在基材表面沉积所需涂层的技术。包括包括:真空蒸发真空蒸发镀膜镀膜溅射溅射镀膜镀膜离子离子镀膜镀膜物理气相沉积物理气相沉积第1

5、6页/共73页PVD 设备设备 第17页/共73页与其他镀膜或表面处理方法相比，物理气相沉积与其他镀膜或表面处理方法相比，物理气相沉积具有以下特点：具有以下特点：（1）镀层材料广泛，可镀各种金属、合金、氧化）镀层材料广泛，可镀各种金属、合金、氧化物、氮化物、碳化物等化合物镀层，也能镀制金属、物、氮化物、碳化物等化合物镀层，也能镀制金属、化合物的多层或复合层；化合物的多层或复合层；（2）镀层附着力强；工艺温度低，工件一般无受热）镀层附着力强；工艺温度低，工件一般无受热变形或材料变质等问题，如用离子镀得到变形或材料变质等问题，如用离子镀得到TiN等硬质等硬质镀层，其工件温度可保持在镀层，其工件温度

6、可保持在550以下，这比化学以下，这比化学气相沉积法制备同样的镀层所需的气相沉积法制备同样的镀层所需的1000要低得要低得多；多；镀层纯度高、组织致密；工艺过程主要由电参数镀层纯度高、组织致密；工艺过程主要由电参数控制，易于控制、调节；对环境无污染。控制，易于控制、调节；对环境无污染。第18页/共73页虽然存在设备较复杂、一次投资较大等缺陷，虽然存在设备较复杂、一次投资较大等缺陷，但由于以上特点，但由于以上特点，物理气相沉积技术具有广阔的发展前景。物理气相沉积技术具有广阔的发展前景。第19页/共73页8.1.1物理气相沉积的基本过程物理气相沉积的基本过程（1）气相物质的产生）气相物质的产生 一

7、类方法是使镀料加热蒸发，称为蒸发镀膜；另一类方法是使镀料加热蒸发，称为蒸发镀膜；另一类是用具有一定能量的离子轰击靶材（镀料），一类是用具有一定能量的离子轰击靶材（镀料），从靶材上击出镀料原子，称为溅射镀膜。从靶材上击出镀料原子，称为溅射镀膜。（2）气相物质的输送）气相物质的输送 气相物质的输送要求在真空中进行，这主要是为气相物质的输送要求在真空中进行，这主要是为了避免气体碰撞妨碍气相镀料到达基片。了避免气体碰撞妨碍气相镀料到达基片。（3）气相物质的沉积）气相物质的沉积 气相物质在基片上沉积是一个凝聚过程。气相物质在基片上沉积是一个凝聚过程。根据凝聚条件的不同，可以形成非晶态膜、根据凝聚条件的不

8、同，可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜。多晶膜或单晶膜。第20页/共73页蒸镀和溅射蒸镀和溅射是物理气相沉积的两类基本镀膜技术。是物理气相沉积的两类基本镀膜技术。以此为基础，又衍生出以此为基础，又衍生出反应镀和离子镀反应镀和离子镀。其中反。其中反应镀在工艺和设备上变化不大，可以认为是蒸镀应镀在工艺和设备上变化不大，可以认为是蒸镀和溅射的一种应用；而离子镀在技术上变化较大，和溅射的一种应用；而离子镀在技术上变化较大，所以通常将其与蒸镀和溅射并列为另一类镀膜技术。所以通常将其与蒸镀和溅射并列为另一类镀膜技术。第21页/共73页反应镀反应镀镀料原子在沉积时，可与其它活性气体镀料原子在沉积时，可与其它活

9、性气体分子发生化学反应而形成化合物膜，称为分子发生化学反应而形成化合物膜，称为反应镀反应镀。离子镀离子镀在镀料原子凝聚成膜的过程中，还可以同时用在镀料原子凝聚成膜的过程中，还可以同时用具有一定能量的离子轰击膜层，目的是改变膜具有一定能量的离子轰击膜层，目的是改变膜层的结构和性能，这种镀膜技术称为层的结构和性能，这种镀膜技术称为离子镀离子镀。第22页/共73页8.1.2 蒸发镀膜蒸发镀膜 蒸发镀是蒸发镀是PVD方法中最早用于工业生产的一种，方法中最早用于工业生产的一种，该方法工艺成熟，设备较完善，低熔点金属蒸发该方法工艺成熟，设备较完善，低熔点金属蒸发效果高，可用于制备介质膜、电阻、电容等，也效

10、果高，可用于制备介质膜、电阻、电容等，也可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。 定义：定义：在真空条件下，用加热蒸发的方法使镀在真空条件下，用加热蒸发的方法使镀料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法称为料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法称为蒸发镀膜，简称蒸镀。蒸发镀膜，简称蒸镀。 第23页/共73页一、蒸发原理一、蒸发原理 在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化为在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法称蒸发镀膜气相，然后凝聚在基体表面的方法称蒸发镀膜（简称蒸镀）。（简称蒸镀）。蒸发镀膜过程是由蒸发镀膜过程是由镀材物质蒸发、蒸发材

11、料粒子的镀材物质蒸发、蒸发材料粒子的迁移和蒸发材料粒子在基板表面沉积迁移和蒸发材料粒子在基板表面沉积三个过程组成。三个过程组成。 第24页/共73页第25页/共73页蒸发镀膜是物理气相沉积的一种，与溅射镀膜和离蒸发镀膜是物理气相沉积的一种，与溅射镀膜和离子镀膜相比有如下优缺点：子镀膜相比有如下优缺点：设备简单可靠、工艺容易掌握、可进行大规模生产，设备简单可靠、工艺容易掌握、可进行大规模生产，镀膜的形成机理比较简单，多数物质均可采用真空镀膜的形成机理比较简单，多数物质均可采用真空蒸发镀膜；蒸发镀膜；但镀层与基片的结合力差，高熔点物质和低蒸气但镀层与基片的结合力差，高熔点物质和低蒸气压物质的镀膜很

12、难制作，如铂、铝等金属，蒸发压物质的镀膜很难制作，如铂、铝等金属，蒸发物质所用坩埚材料也会蒸发，混入镀膜之中成为物质所用坩埚材料也会蒸发，混入镀膜之中成为杂质。杂质。第26页/共73页二、蒸发方法二、蒸发方法 蒸发源：加热待蒸发材料并使之挥发的器具称为蒸发源：加热待蒸发材料并使之挥发的器具称为蒸发源，也称加热器。蒸发源，也称加热器。 蒸镀方法主要有下列几种：蒸镀方法主要有下列几种：1.电阻加热法：让大电流通过蒸发源，加热待镀材电阻加热法：让大电流通过蒸发源，加热待镀材料，使其蒸发的简单易行的方法。料，使其蒸发的简单易行的方法。第27页/共73页对蒸发源材料的基本要求是：高熔点，低蒸气对蒸发源材

13、料的基本要求是：高熔点，低蒸气压，在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或压，在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或互溶，具有一定的机械强度，且高温冷却后脆互溶，具有一定的机械强度，且高温冷却后脆性小等性质。常用钨、钼、钽等高熔点金属材料。性小等性质。常用钨、钼、钽等高熔点金属材料。按照蒸发材料的不同，可制成丝状、带状和板状等。按照蒸发材料的不同，可制成丝状、带状和板状等。 第28页/共73页电阻加热蒸发源电阻加热蒸发源 第29页/共73页2. 电子束加热：即用高能电子束直接轰击蒸发电子束加热：即用高能电子束直接轰击蒸发物质的表面，使其蒸发。物质的表面，使其蒸发。 由于是直接在蒸发物质中加热，避免了

14、蒸由于是直接在蒸发物质中加热，避免了蒸发物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发，故发物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发，故可制备高纯度的膜层。一般用于电子原件和半可制备高纯度的膜层。一般用于电子原件和半导体用的铝和铝合金，此外，用电子束加热也导体用的铝和铝合金，此外，用电子束加热也可以使高熔点金属（如可以使高熔点金属（如W，Mo，Ta等）熔化、等）熔化、蒸发。蒸发。第30页/共73页高频感应加热高频感应加热蒸发源蒸发源 3.高频感应加热：在高频感应线圈中放入氧化铝和石墨坩埚，蒸镀的材料高频感应加热：在高频感应线圈中放入氧化铝和石墨坩埚，蒸镀的材料置于坩锅中，通过高频交流电使材料感应加热而蒸发。置于

15、坩锅中，通过高频交流电使材料感应加热而蒸发。 此法主要用于铝的大量蒸发，得到的膜层纯净而且不受带电粒子的损害。此法主要用于铝的大量蒸发，得到的膜层纯净而且不受带电粒子的损害。 第31页/共73页8.1.3 溅射镀膜溅射镀膜 在真空室中，利用荷能粒子轰击材料表面，使在真空室中，利用荷能粒子轰击材料表面，使其原子获得足够的能量而溅出进入气相，然后在其原子获得足够的能量而溅出进入气相，然后在工件表面沉积的过程。工件表面沉积的过程。 在溅射镀膜中，被轰击的材料称为靶。在溅射镀膜中，被轰击的材料称为靶。由于离子易于在电磁场中加速或偏转，所以荷能粒由于离子易于在电磁场中加速或偏转，所以荷能粒子一般为离子，

16、这种溅射称为子一般为离子，这种溅射称为离子溅射离子溅射。用离子束。用离子束轰击靶而发生的溅射，则称为轰击靶而发生的溅射，则称为离子束溅射离子束溅射。第32页/共73页第33页/共73页 一、溅射镀膜方法一、溅射镀膜方法 （1）直流二极溅射）直流二极溅射 二极溅射是最早采用的一种溅射方法。二极溅射是最早采用的一种溅射方法。 以镀膜材料为阴极，而被镀膜材料为阳极。阴极以镀膜材料为阴极，而被镀膜材料为阳极。阴极上接上接13kV的直流负高压，阳极通常接地。工作时的直流负高压，阳极通常接地。工作时先抽真空，再通氩气，使真空室内达到溅射气压。先抽真空，再通氩气，使真空室内达到溅射气压。接通电源，阴极靶上的

17、负高压在两极间产生辉光接通电源，阴极靶上的负高压在两极间产生辉光放电并建立起一个等离子区，其中带正电的氩离子放电并建立起一个等离子区，其中带正电的氩离子在阴极附近的阴极电位降作用下，加速轰击阴极在阴极附近的阴极电位降作用下，加速轰击阴极靶、使靶物质表面溅射，并以分子或原子状态沉积靶、使靶物质表面溅射，并以分子或原子状态沉积在基片表面，形成靶材料的薄膜。在基片表面，形成靶材料的薄膜。第34页/共73页靶材靶材基材基材阳极阳极阴极阴极辉光放电产生离子辉光放电产生离子溅射气体溅射气体Ar直流二极溅射直流二极溅射第35页/共73页这种装置的最大优点是结构简单，控制方便。这种装置的最大优点是结构简单，控

18、制方便。缺点有：缺点有：因工作压力较高因工作压力较高, 膜层有沾污；沉积速率低，膜层有沾污；沉积速率低，不能镀不能镀10m以上的膜厚；由于大量二次电子以上的膜厚；由于大量二次电子直接轰击基片使基片温升过高。直接轰击基片使基片温升过高。第36页/共73页（2）三极溅射）三极溅射 三极溅射是在二极溅射三极溅射是在二极溅射的装置上附加一个的装置上附加一个电极电极热阴极，发热阴极，发射热电子，热电子射热电子，热电子在电场吸引下穿过在电场吸引下穿过靶与基极间的等离靶与基极间的等离子体区，使热电子子体区，使热电子强化放电，它既能强化放电，它既能使溅射速率有所提使溅射速率有所提高，又能使溅射工高，又能使溅射

19、工况的控制更为方便况的控制更为方便。这样，溅射速率。这样，溅射速率提高，由于沉积真提高，由于沉积真空度提高，镀层质空度提高，镀层质量得到改善。量得到改善。第37页/共73页（3）磁控溅射）磁控溅射 磁控溅射是磁控溅射是70年代迅速发展起来的新型溅射技术。年代迅速发展起来的新型溅射技术。 其特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶，其特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶，以控制二次电子的运动，离子轰击靶面所产生以控制二次电子的运动，离子轰击靶面所产生的二次电子在电磁场作用下，被压缩在近靶面的二次电子在电磁场作用下，被压缩在近靶面作回旋运动，延长了到达阳极的路程，大大提作回旋运动，延长了到达阳极的路程，大

20、大提高了与气体原子的碰撞概率，因而提高溅射率。高了与气体原子的碰撞概率，因而提高溅射率。磁控溅射目前已在工业生产中实际应用。这是由于磁控溅射磁控溅射目前已在工业生产中实际应用。这是由于磁控溅射的镀膜速率与二极溅射相比提高了一个数量级。具有沉积速的镀膜速率与二极溅射相比提高了一个数量级。具有沉积速率、基片的温升低、对膜层的损伤小等优点。率、基片的温升低、对膜层的损伤小等优点。1974年年Chapin发明了适用于工业应用的平面磁控溅射发明了适用于工业应用的平面磁控溅射靶，对进入生产领域起了推动作用。靶，对进入生产领域起了推动作用。第38页/共73页第39页/共73页（4）反应溅射）反应溅射 在阴极

21、溅射中，真空槽中需要充入气体作为媒在阴极溅射中，真空槽中需要充入气体作为媒 介，使辉光放电得以启动和维持。介，使辉光放电得以启动和维持。 最常用的气体是氩气。如果在通入的气体中掺入最常用的气体是氩气。如果在通入的气体中掺入易与靶材发生反应的气体（如易与靶材发生反应的气体（如O2，N2等），因而等），因而能沉积制得靶材的化合物膜（如靶材氧化物，氮化能沉积制得靶材的化合物膜（如靶材氧化物，氮化物等化合物薄膜）。物等化合物薄膜）。 其实际装置，除为了混合气体需设置两个气体引其实际装置，除为了混合气体需设置两个气体引入口以及将基片加热到入口以及将基片加热到500以外，与两极溅射和以外，与两极溅射和射频

22、溅射无多大差别。射频溅射无多大差别。 溅射是物理气相沉积技术中最容易控制合金成分溅射是物理气相沉积技术中最容易控制合金成分的方法。的方法。第40页/共73页二、溅射镀膜的特点二、溅射镀膜的特点与真空蒸镀法相比，有如下特点：与真空蒸镀法相比，有如下特点：结合力高；结合力高；容易得到高熔点物质的膜；容易得到高熔点物质的膜；可以在较大面积上得到均一的薄膜；可以在较大面积上得到均一的薄膜；容易控制膜的组成；容易控制膜的组成；可以长时间地连续运转；可以长时间地连续运转；有良好的再现性；有良好的再现性；几乎可制造一切物质的薄膜。几乎可制造一切物质的薄膜。 第41页/共73页三、溅射的用途三、溅射的用途 溅

23、射薄膜按其不同的功能和应用可大致分为机械溅射薄膜按其不同的功能和应用可大致分为机械功能膜和物理功能膜两大类。功能膜和物理功能膜两大类。前者包括耐摩、减摩、耐热、抗蚀等表面强化薄膜前者包括耐摩、减摩、耐热、抗蚀等表面强化薄膜材料、固体润滑薄膜材料；材料、固体润滑薄膜材料；后者包括电、磁、声、光等功能薄膜材料等。后者包括电、磁、声、光等功能薄膜材料等。 第42页/共73页 采用采用Cr，Cr-CrN等合金等合金靶或镶嵌靶，在靶或镶嵌靶，在N2, CH4等气氛中进行反应溅射镀等气氛中进行反应溅射镀膜，可以在各种工件膜，可以在各种工件上镀上镀Cr,CrC,CrN等镀层。等镀层。纯纯Cr的显微硬度为的显

24、微硬度为425840HV，CrN为为1000350OHV，不仅硬，不仅硬度高且摩擦系数小，可度高且摩擦系数小，可代替水溶液电镀铬。代替水溶液电镀铬。电镀会使钢发生氢脆、速率电镀会使钢发生氢脆、速率慢，而且会产生环境污慢，而且会产生环境污染问题。染问题。 第43页/共73页用用TiN，TiC等超硬镀层涂覆刀具、模具等表面，摩等超硬镀层涂覆刀具、模具等表面，摩擦系数小，化学稳定性好，具有优良的耐热、耐擦系数小，化学稳定性好，具有优良的耐热、耐磨、抗氧化、耐冲击等性能，既可以提高刀具、模磨、抗氧化、耐冲击等性能，既可以提高刀具、模具等的工作特性，又可以提高使用寿命，一般可使具等的工作特性，又可以提高

25、使用寿命，一般可使刀具寿命提高刀具寿命提高310倍。倍。 TiN，TiC，Al2O3等膜层化学性能稳定，在许多等膜层化学性能稳定，在许多介质中具有良好的耐蚀性，可作基体材料保护膜。介质中具有良好的耐蚀性，可作基体材料保护膜。第44页/共73页8.1.4 离子镀膜离子镀膜 一、离子镀的原理一、离子镀的原理 离子镀是在真空条件下，借助于一种惰性气体的离子镀是在真空条件下，借助于一种惰性气体的辉光放电使气体或被蒸发物质部分离化，气体或被辉光放电使气体或被蒸发物质部分离化，气体或被蒸发物质离子经电场加速后对带负电荷的基体轰击蒸发物质离子经电场加速后对带负电荷的基体轰击的同时把蒸发物或其反应物沉积在基体

26、上。的同时把蒸发物或其反应物沉积在基体上。 离子镀的技术基础是真空蒸镀，其过程包括镀离子镀的技术基础是真空蒸镀，其过程包括镀膜材料的受热，蒸发，离子化和电场加速沉积的膜材料的受热，蒸发，离子化和电场加速沉积的过程。过程。第45页/共73页二、离子镀的特点二、离子镀的特点（1）离子镀可在较低温度下进行离子镀可在较低温度下进行。化学气相沉积一般均需在化学气相沉积一般均需在900以上进行，所以处以上进行，所以处理后要考虑晶粒细化和变形问题，而离子镀可在理后要考虑晶粒细化和变形问题，而离子镀可在900下进行，可作为成品件的最终处理工序。下进行，可作为成品件的最终处理工序。（2）膜层的附着力强。膜层的附

27、着力强。如在不锈钢上镀制如在不锈钢上镀制2050厚的银膜，可达到厚的银膜，可达到300N/mm2粘附强度。粘附强度。主要原因：主要原因： 离子轰击时基片产生溅射，使表面杂质层清离子轰击时基片产生溅射，使表面杂质层清除、吸附层解吸，使基片表面清洁，提高了膜层附除、吸附层解吸，使基片表面清洁，提高了膜层附着力；着力； 溅射使膜离子向基片注入和扩散，膜晶格中结溅射使膜离子向基片注入和扩散，膜晶格中结合不牢的原子将被再溅射，只有结合牢固的粒子形合不牢的原子将被再溅射，只有结合牢固的粒子形成膜；成膜；第46页/共73页轰击离子的动能转变为热能，对蒸镀表面产生轰击离子的动能转变为热能，对蒸镀表面产生了自动

28、加热效应，提高表层组织的结晶性能，促进了自动加热效应，提高表层组织的结晶性能，促进了化学反应，而离子轰击产生的晶体缺陷与自加热了化学反应，而离子轰击产生的晶体缺陷与自加热效应的共同作用，增强了扩散作用；效应的共同作用，增强了扩散作用； 飞散在空间的基片原子有一部分再返回基片表飞散在空间的基片原子有一部分再返回基片表面与蒸发材料原子混合和离子注入基片表面，促进面与蒸发材料原子混合和离子注入基片表面，促进了混合界面层的形成。了混合界面层的形成。第47页/共73页（3）绕镀能力强绕镀能力强。首先，蒸发物质由于在等离子区被电离为正离子，首先，蒸发物质由于在等离子区被电离为正离子，这些正离子随电场的电力

29、线运动而终止在带负电的这些正离子随电场的电力线运动而终止在带负电的基片的所有表面，因而在基片的正面、反面甚至基基片的所有表面，因而在基片的正面、反面甚至基片的内孔、凹槽、狭缝等都能沉积上薄膜。片的内孔、凹槽、狭缝等都能沉积上薄膜。其次是由于气体的散射效应，特别是在工件压强较其次是由于气体的散射效应，特别是在工件压强较高时，沉积材料的蒸气离子和蒸气分子在它到达基高时，沉积材料的蒸气离子和蒸气分子在它到达基片的路径上将与残余气体发生多次碰撞，使沉积材片的路径上将与残余气体发生多次碰撞，使沉积材料散射到基片周围，因而基片所有表面均能被镀料散射到基片周围，因而基片所有表面均能被镀覆。覆。第48页/共7

30、3页（4）沉积速度快，镀层质量好。沉积速度快，镀层质量好。离子镀获得的膜层，组织致密，气孔、气泡少。而离子镀获得的膜层，组织致密，气孔、气泡少。而且镀前对工件清洗，处理较简单，成膜速度快，可且镀前对工件清洗，处理较简单，成膜速度快，可达达150m/min，而溅射只有而溅射只有0.011m /min。离子镀可镀制厚达离子镀可镀制厚达 30m的膜层，是制备厚膜的的膜层，是制备厚膜的重要手段。重要手段。第49页/共73页（5）工件材料和镀膜材料选择性广工件材料和镀膜材料选择性广。工件材料除金属以外，陶瓷、玻璃、塑料均可以，工件材料除金属以外，陶瓷、玻璃、塑料均可以，镀膜材料可以是金属和合金，也可以是

31、碳化物、氧镀膜材料可以是金属和合金，也可以是碳化物、氧化物和玻璃等，并可进行多元素多层镀覆。化物和玻璃等，并可进行多元素多层镀覆。 第50页/共73页三、离子镀的类型三、离子镀的类型 离子镀设备要在真空、气体放电的条件下完成镀离子镀设备要在真空、气体放电的条件下完成镀 膜和离子轰击过程。因此，离子镀设备要由真空室膜和离子轰击过程。因此，离子镀设备要由真空室、蒸发源、高压电源、离化装置、放置工件的阴、蒸发源、高压电源、离化装置、放置工件的阴极等部分组成。极等部分组成。 第51页/共73页 1空心阴极离子镀（空心阴极离子镀（HCD） HCD法是利用空心热阴极放电产生等离子体。空心钽管作为阴极，氩气

32、法是利用空心热阴极放电产生等离子体。空心钽管作为阴极，氩气通过钽管流入真空室，辅助阳极距阴极较近，二者作为引燃弧光放电的通过钽管流入真空室，辅助阳极距阴极较近，二者作为引燃弧光放电的两两极。阳极是镀料。弧光放电时，电子轰击阳极镀料，使其熔化而实现蒸极。阳极是镀料。弧光放电时，电子轰击阳极镀料，使其熔化而实现蒸镀。蒸镀时基片加上镀。蒸镀时基片加上负偏压负偏压即可从等离子体中吸引氩离子向基片轰击，即可从等离子体中吸引氩离子向基片轰击，实实现离子镀。现离子镀。阴极阴极阳极阳极第52页/共73页 空心阴极离子镀有显著优点，可镀材料广空心阴极离子镀有显著优点，可镀材料广泛，既可以镀单质膜，也可以镀化合物

33、膜。泛，既可以镀单质膜，也可以镀化合物膜。目目前广泛用于镀制高速钢刀具前广泛用于镀制高速钢刀具TiN超硬膜。超硬膜。第53页/共73页 2活性反应离子镀活性反应离子镀 在离子镀的过程中，若在真空室中导入与金属蒸在离子镀的过程中，若在真空室中导入与金属蒸气起反应的气体，比如气起反应的气体，比如O2、N2、C2H2、CH4等代替等代替Ar或掺在或掺在Ar之中，并用各种不同的放电方式，使金之中，并用各种不同的放电方式，使金属蒸气和反应气体的分子、原子激活、离化，促进属蒸气和反应气体的分子、原子激活、离化，促进其间的化学反应，在工件表面就可以获得化合物镀其间的化学反应，在工件表面就可以获得化合物镀层。

34、这种方法称为活性反离子镀法层。这种方法称为活性反离子镀法。第54页/共73页第55页/共73页 2活性反应离子镀活性反应离子镀 ARE活性蒸镀有如下特点：活性蒸镀有如下特点： （1）工艺温度低）工艺温度低 因电离而增加了反应物的因电离而增加了反应物的活性，在较低温度下就能获得硬度高、附着活性，在较低温度下就能获得硬度高、附着性性良好的镀层。良好的镀层。第56页/共73页CVD的工艺温度高达的工艺温度高达1000，而，而ARE法的法的工艺温度可在工艺温度可在500以下。以下。 （2）可得到多种化合物）可得到多种化合物 通过导入各种反应通过导入各种反应气体，就可以得到各种化合物。几乎所有过气体，就

35、可以得到各种化合物。几乎所有过渡渡族元素均能形成氮化物、碳化物。族元素均能形成氮化物、碳化物。第57页/共73页（3）可在任何基体上涂覆）可在任何基体上涂覆 由于使用了大功由于使用了大功率、高功率密度的电子束蒸发源，因此几乎率、高功率密度的电子束蒸发源，因此几乎可可以蒸镀所有的金属和化合物，也可在非金属以蒸镀所有的金属和化合物，也可在非金属材材料如陶瓷、玻璃上镀膜。料如陶瓷、玻璃上镀膜。第58页/共73页（4）镀层生长速度快）镀层生长速度快 成膜速度可达成膜速度可达4.5mm/h。通过改变蒸发源功率及改变蒸发源。通过改变蒸发源功率及改变蒸发源与工件之间的距离，都可以对镀层生成速度与工件之间的距离，都可以对镀层生成速度进进行控制。行控制。第59页/共73页 3多弧离子镀多弧离子镀 多弧放电蒸发多弧放电蒸发源源是在是在70年代由前年代由前苏苏联发展起来的。联发展起来的。美美国在国在1980年从苏年从苏联联引进这种技术，引进这种技术，至至今欧美一些公司今欧美一些公司都都在大力发展多弧在大力发展多弧离离子镀技术。近十子镀技术。近十几几年来国内引进多年来国内引进多台台镀制镀制TiN超硬膜超硬膜的设备，其中大的设备，其中大多多数是