BTM7811K中文

1、BTM7811K 直流电机Trilith IC 系列特性：四D-MOS开关：像桥式电路或者四开关电路一样自由配置：优化直流电机的应用管理：低漏源极导通电阻高电平：典型值是26m(在25)，最大值是65m（在110摄氏度）低电平：典型值是14m(在25)，最大值是28m（在110摄氏度）：最大峰值电流典型值：42A（在25）：非常低的静态电流：在25时的典型值为4uA：热优化封装：运行电压可达40V：PWM的工作频率可达25KHz：负载和接地短路保护11：过热滞后关闭12：滞后欠压监测13：关闭模式下进行开路检测14：过温状态标志15：内置夹断二极管16：隔源外部电流检测17：环保产品（符合Ro

2、HS标准）18：AEC（Atomic Energy Commission 原子能委员会美）许可描述：RTM7811K是英飞凌TrilithIC系列的芯片，封装内有三个管芯：一个双高参考电压开关和两个低参考电压开关。这三个垂直DMOS芯片的流经被集放在隔离的顶部框架。芯片的源脚被连接在单独的引脚上，所以BTM7811K可以当做H桥使用，也可以配置成其他形式。双高参考电压开关器件是利用智能SIPMOS( Siemens power metal-oxide-semiconductor-西门子功率金属氧化物半导体)技术生产的,此技术具有低漏源极导通电阻的DMOS漏极的能耗级，具有CMOS的间接控制、保

3、护和诊断。为达到低漏源极导通电阻和快速开关特性，低参考电压的开关器件利用S-FET逻辑级技术生产的。型号封装标志BTM7811KPG-TO263-15-1BTM7811K引脚结构：引脚配置：图1 BTM7811K的引脚配置表1 BTM7811K的引脚定义和功能引脚号标示符功能描述1NC不接2SL1低相对电压开关1的源极3IL1低相对电压开关1的模拟输入4NC不接5IH1高相对电压开关1的数字输入6ST1高相对电压开关1的状态标志；开漏输出7SH1高相对电压开关1的源极8DHVS高相对电压开关的漏极；电压供应端9GND高相对电压开关的地10IH2高相对电压开关2的数字输入11ST2高相对电压开关

4、2的状态标志；开漏输出12SH2高相对电压开关2的源极13IL2低相对电压开关2的模拟输入14SL2低相对电压开关2的源极15NC不接16DL2低相对电压开关2的漏极17DHVS高相对电压开关的漏极；电压供应端18DL1低相对电压开关1的漏极备注蓝色字体描述的引脚需要电力布线引脚使用基本条件：图2 BTM7811K 引脚使用基本条件图 2高参考电压开关的源极电流短路情况下命名泄露情况下命名Ish1、2ISCPHIDLLK结构图：图3 BTM7811K 的结构图电路描述： 输入电路：输入控制脚IH1，2由兼容TTL/CMOS的滞后施密特触发器构成。缓存放大器由此驱动并且将逻辑信号转换为需要的格式

5、用于驱动能量输出极。输入端有ESD（静电释放）夹断二极管保护。IL1和IL2两个输入端被连接在标准的N沟道垂直功率MOS场效应管。输出级：输出极有一个低漏源极导通电阻的功率H桥构成。在H桥的结构中，当连接感性负载时D-MOS型的二极管被用于续流。当高参考电压的开关器件被用于单极性开关驱动感性负载时被集成功率钳位二极管限制后会出现正负极电压尖峰。短路保护：输出端具有对地短路和过载短路保护功能，在出现以上两种短路时高参考电压的开关器件会限制负载电流。由于短路时的大功率消耗，连接点的温度会上升，到此温度值达到过温保护的限定值时，过温保护电路会关断输出晶体管。过温保护：高参考电压的开关器件具有滞后过温

6、保护电路，其作用是关断输出晶体管并且将状态输出设置为低。欠压关断：当供电电压VS高于开关导通电压VUVON时芯片开始工作，具有一定的滞后；当VS低于开关关断电压VUVOFF时，高参考的输出晶体管将被关断。开路保护：BTM7811K的开路保护电路是根据一个从高参考电压的开关器件的源极采集来的电压而工作在停止状态。为了使用开路保护检测电路，SH2引脚必须通过一个上拉电阻连接到VS上。这个上拉电阻将H桥的输出端与uC级电量供应点连接，当高参考电压开关器件处于导通状态时此供应点不必连接。这种操作将会像应用实例图5（BTM7811K的应用实例）中外接一个晶体管来实现。检查开路负载：设置IH1和IH2同时

7、为低点位，也就是高参考电压的两个开关器件同时关断；：设置IL2为低点位，IL1为高电位，也就是只有低参考电压开关器件1导通；：将上拉电阻通过一个晶体管连接到5V电源上。1、如果负载连接正确的话，SH2引脚的电压将会被下降到一个接近于0V的数值。2、如果负载没有连接电阻，SH2引脚的电压将会上升到一个接近于VCC的数值。3、如果SH2引脚的电压高于开路检测器的检测电压VOUT(OL),则ST引脚的电位将会被下拉。状态标志：状态输出引脚是具有齐纳二极管的开漏输出，所以需要上拉一个电阻，如同应用电路图5（BTM7811K的应用实例）。下表中各种错误的诊断结果是通过导通漏极输出脚ST至低电位。图 3

8、真值表和诊断标志IH1IH2SH1SH2ST1ST2备注输入输出正常工作如同真值表00LL11待机状态01LH11开关器件2工作10HL11开关器件1工作11HH11开关器件1、2都工作高参考电压开关1开路0XZX01检测到1XHX11高参考电压开关2开路X0XZ10检测到X1XH11高参考电压开关1过温0XLX111XLX01检测到高参考电压开关2过温X0XL11X1XL10检测到高参考电压开关1、2都过温00LL1101LL01检测到10LL10检测到11LL00检测到欠压XXLL11没检测到备注复杂的同步错误表格没有列出输入：0-逻辑低电平 1-逻辑高电平输出：H-相对高电平；L-相对低

9、电平；Z-三态输出；X-电压级别未定状态：1-没错误； 0-有错误电气特性：最大绝对额定值： 温度范围是：-40110；电压是相对于大地的；电流时相对于正极流入芯片引脚的电流（除非另有指定）。标号参数符号限制值单位备注最小最大高参考电压开关器件（DHVS、IH1/2、SH1/2）5.1.1供电电压VS-0.342V-5.1.2全短路保护供电VS（SCP）-28V5.1.3高参考电压开关漏极电流IS-14ATA =25，TP<100ms5.1.4高参考电压开关输入电流IIH-55mAIH1和IH2引脚的5.1.5高参考电压开关输入电压VIH-1016VIH1和IH2引脚的状态输出ST5.1

10、.6状态引脚上拉电压VST-0.35.4V5.1.7状态引脚输出电流IST-55mAST1和ST2引脚的低参考电压开关器件（DL1/2、IL1/2、SL1/2）5.1.8漏源极夹断电压VDSL50-VVIL=0V,IDL<1mA,Tj=255.1.9低参考电压开关漏极电流IDL2126ATA =25，TP<100ms5.1.1042ATA =25，TP<10ms5.1.1167ATA =25，TP<1ms5.1.12低参考电压开关输入电压VIL2020VIL1和IL2引脚的温度5.1.13连接温度Tj-401105.1.14存储温度Tstg-50150静电释放保护5.1

11、.15低参考电压开关器件输入端承受静电释放电压VESD-0.5kV其他引脚接地的情况下5.1.16高参考电压开关器件输入端承受静电释放电压VESD-1kV5.1.17高参考电压开关器件状态端承受静电释放电压VESD-2kV5.1.18开关器件输出端承受静电释放电压VESD-4kV：此表格不是产品测试的结果，只是设计参数。：单极性脉冲：内部限定的：此结果是根据EIA/JESD22-A114-B标准测试得到的。以下内容用HS开关和LS开关代替高、低参考电压开关器件。有效范围：标号参数符号限制值单位备注最小最大5.2.1供电电压VSVUVOFF42V当VS上升到VUVOFF之上时5.2.2PWM供电

12、电压VS（PWM）818V5.2.3低参考电压开关输入电压VIH-0.315V5.2.4高参考电压开关输入电压VIL-0.320V5.2.5状态输出电流IST02mA5.2.6连接温度Tj-40110热电阻特性：标号参数符号限制值单位备注最小典型最大5.3.1LS的设计值RthJCL-1.05kW5.3.2HS的设计值RthJCH-1.45kW5.3.3连接外围电路RthJA-16-kW：是设计参数 ：此参数根据XXXXX规定得来等等。ISH1 = ISH2 = ISL1 = ISL2 = 0 A; 40 < Tj < 110 ; 8 V < VS < 18 V标号参数

13、符号限制值单位备注最小典型最大HS开关的电流消耗5.4.1静态电流Is-49uAIH1=IH2=0V Tj=25-15IH1=IH2=0V5.4.2一个HS开关工作时的供应电流Is-48mAIH1=IH2=5VVS=12V5.4.3两个HS开关同时工作时的供应电流Is-816IH1=IH2=5VVS=12V5.4.4HS开关的漏电流IHSLK-7uAIH1=IH2=5VVS=12VTj=855.4.5续流条件下逻辑地的漏电流ILKCL=IFH+ISH-2.210mAIFH=5AVS=12VLS开关的电流消耗5.4.6输入电流IIL-10100nAVIL=20VVDSL=0V5.4.7LS开关的

14、漏电流IDLLK-12uAVIL=0VVDSL=40VTj=85HS开关欠压停止工作5.4.8开关导通电压VUVON-5VVS增加5.4.9开关关断电压VUVOFF1.8-4.5VS减少5.4.10开关通断滞后电压VUVHY-1-VUVON减去VUVOFF输出级5.4.11HS开关反向二极管的正向电压VFH-0.81.2VIFH=5A5.4.12LS开关反向二极管的正向电压VFL-0.81.2VIFL=5A5.4.13HS开关静态导通电阻RDS ON H-26-mISH=5A,VS=12VTj=254565mISH=5A,VS=12VTj=1105.4.14LS开关静态导通电阻RDS ON L

15、-14-mISL=5A,VIL=5VTj=252028mISL=5A,VIL=5VTj=1105.4.15错流自由操作的最大负载电流ILMAX ccf711-AVS>8V-14-AVS=10V-17-AVS=12VHS开关对地的短路电流5.4.16开关电容初始峰值电流ISCP H354865ATj=-40-42-ATj=25273648ATj=110HS开关对VS的短路电流5.4.17输出下拉电阻RO71442kVDSL=3V热关断5.4.18热关断连接点温度TjSD1551801905.4.19热导通连接点温度TjSO1501701805.4.20温度滞后T-10-T=TjSD-TjS

16、OHS开关的状态输出脚ST5.4.21输出低电压VSTL-0.20.6VIST=1.6mA5.4.22漏电流ISTLK-5uAVST=5V5.4.23齐纳限定电压VSTZ5.4-VIST=1.6mA5.4.24开路时状态随正极输入斜坡改变的时间Td(SToffo+)-50uS5.4.25开路时状态随负极极输入斜坡改变的时间Td(SToffo-)-705.4.26过温时状态随正极输入斜坡改变的时间Td(STofft+)-1.610RST=47K5.4.27过温时状态随负极输入斜坡改变的时间Td(STofft-)-14100RST=47K关断模式下的开路检测5.4.28开路检测电压VOUT(OL)

17、234VVS=12VHS开关通断时间参数5.4.29VSH上升至90%时的导通时间tON-100200uSRload=12VS=12V5.4.30VSH下降至10%时的关断时间tOFF-120250uS5.4.31导通时VSH从10-30%的转变速率dV/dtON-0.51.1V/uS5.4.32关断时VSH从70-40%的转变速率-dV/dtOFF-0.71.3V/uSLS开关通断时间参数5.4.33导通延迟时间td(on)-20-ns阻性负载ISL=3A,VDSL=12VVIL=5V,RG=165.4.34上升时间tr-85-5.4.35关断延迟时间td(off)-60-5.4.36跌落时间td-80-LS开关通各极的电量5.4.37源极输入电量QIS-4.5-nCISL=3A,VDSL=12V5.4.38漏极输入电量QID-12-nCISL=3A,VDSL=12V5.4.39总电量Q-3060nCISL=3A,VDSL=12VVIL=05V5.4.40输入坪电压V(plateau)-2.6-VISL=3A,