《模拟电子技术基础》复习201512

1、模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 曾庆科模拟电子技术复习题一、 填空题1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 、 、 ；其电阻率分别受 、 、 的增加而 。2. 用于制造半导体器件的材料通常是 、 和砷化镓。3. 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 能力会发生很大的变化。4. 纯净的、不含杂质的半导体，称为 。5. 在N型半导体中如果掺入足够量的 价元素，可将其改型为P型半导体。6. 本征半导体中掺入 族元素，例如 ，得到P型半导体。7. 杂质半导体分 和 两大类。8. N型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。P型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。9. 杂质半导体中，

2、多数载流子浓度主要取决于 ，而少数载流子则与_ _有很大关系。10. PN结的主要特性是 。11. PN结是多数载流子的 运动和少数载流子的 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称为 或 。12. PN结加正向电压时，空间电荷区变 ；PN结加反向电压时，空间电荷区变 。13. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为 。14. PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在 。15. 二极管是由 个PN结构成，因而它同样具有PN结的 特性。16. 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 ，其曲线又可分三部分： 、 、 。17. 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 ，稳

3、压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 ，击穿区的交流电阻又比正向区的 。18. 有两个晶体三极管A管的b=200，ICEO=200mA；B管的b=50，ICEO=10mA，其他参数大致相同，相比之下 管的性能较好。19. 点接触二极管的主要优点是 小，多用于 。20. 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 ，所以当 大于稳定电压UZ时，它才能产生稳压作用。21. 双极型三极管有 种极性的载流子参与导电；场效应管有 种极性的载流子参与导电。22. 三极管个电极电流的分配关系是IE= 。23. 三极管有_ _型和_ _型，前者在电路中使用的符号是_，后者在电路中使用的符号是_。24. 晶体三

4、极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 掺杂，基区宽度要 ；外部条件是：发射结要 偏置，集电结要 偏置。25. 处于放大状态的三极管IC与IB的关系是_ _；处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制， _了放大作用；处在截止状态的三极管IC» _。26. 当NPN锗管工作在放大区时，在E、B、C三个电极中，以 电位最高，_ _的电位最低；UBEQ约等于 。27. 当PNP型硅三极管处于放大状态时，在E、B、C三个电极中，以_ _极电位最高，_ _极的电位最低。28. 三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而_ _，穿透电流ICEO随温度升高而_ _，UBE随温度的升高而_ _，b

5、值随温度的升高而_ _。29. 三极管的三个主要极限参数是_ _、_ _和_ _。30. 三极管有三个电极，分别是 、 和 。31. 用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V，则该管工作在_ _区。32. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V，则从材料看为 管，从结构上看为 型管，且A为_ 极，B为 极，C为 极。33. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V，则从材料

6、看为 管，从结构上看为_ 型管，且A为 _ 极，B为 极，C为 极。34. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V，则从材料看为 管，从结构上看为 _ 型管，且A为 _ 极，B为 _ 极，C为 _ 极。35. 在放大状态下，三极管的1，2，3三个电极的电流分别为I1=1.5mA，I2=30mA，I3=1.53mA，则电极 为集电极，电极 _ 为基极，电极 _ 为发射极。b= _ ，a= _ 。36. 从输出特性上分析单级PNP管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致_ 失真，从示波器上看输出电压波形是

7、_ 失真；工作点设置偏低，则有可能导致_ 失真。37. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的_ 量，而放大电路设置静态工作点的目的是为了_ 。38. 如图一(a)是NPN管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是_ 失真，解决办法是将基极偏置电流调_ ；图一(c)是_ 失真，解决办法是将基极偏置电阻调_ 。图一tUO0(c)(b)tUO0+UCCRbRCRLUOUi(a)39. 放大电路有两种工作状态，Ui=0时的直流状态称为_ 态；当有交流信号Ui输入时，放大电路的工作状态称为_ 态，此时，三极管各极电压、电流均有_ 分量和_ 分量两部分叠加而成。40. 在画低

8、频放大电路的交流通路时，通常将电路中的_ 和_ 视为短路。41. 交流放大电路的基本分析方法有_ 和_ _两种。42. 对于电压放大电路，输入电阻越_ ，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越_ ，放大电路带负载的能力越强。43. 影响放大电路工作点稳定的主要因素是_ 的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入_ 。44. 在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现_ 失真，常通过调整_ 元件来消除失真。45. 在单级共射放大电路中，无论是NPN型还是PNP型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高时，容易出现_ 失真，过低时容易产生_ 失真。若采用基极上偏置电

9、阻Rb来消除失真，对于前者应使Rb_ ，对于后者应使Rb_ 。46. 反映双极型晶体三极管（BJT管）放大能力的参数是_ ，反映场效应管（FET管）放大能力的参数是_ 。47. BJT管是_ 控制器件，而FET管则是_ 控制器件。48. 当BJT管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在_ 区；当BJT管发射结和集电结均正偏时，放大电路工作在_ 区；当BJT管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在_ 区。49. 双极型晶体三极管放大电路有_ 、_ 和_ 三种接法，其中电压、电流放大倍数都比较大的是_ 接法。所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以_ 极作为输入输出信号的共同参考点。50.

10、在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，_ 放大电路既有电压放大，又有电流放大；_ 放大电路只有电流放大，而无电压放大；_ 放大电路只有电压放大，而无电流放大。51. 在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选_ _ 电路；欲要电压放大且频率响应好的应选 电路。52. 共集电极电路的特点是：输入电阻_ ，输出电阻_ ，电压放大倍数 _ ，动态范围_ 。53. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，_ 放大电路的输入电阻最高；_ _放大电路的输出电阻最低。54. 在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，_ 电路输入输出电压同相， _ 电路输入输出电压反相。55. 在共

11、射、共基和共集三种组态单管放大电路中，当待处理的信号是电流时，可采用 放大电路，利用的是该电路的 的特点。56. 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是：_ 、 _ 和_ 。57. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 _ _ ，因此，集成运放的第一级通常采用 _ _ 。58. 零点漂移一般都是折合到_ 端来衡量的。若Au=1000，输出端最大漂移为50mV，则该放大电路的漂移为 _ 。59. 多级放大器的耦合方式有：直接耦合、 _ 和 _ 三种。60. 多级交流放大电路的极间耦合方式有_ _、_ 和 _ 三种，在低频电压放大电路中常采用_ 耦合方式，_ 耦合电路存在

12、零点漂移问题。61. 在如图二所示的电路中，VT1、VT2组成两级_ _耦合放大电路。其中VT1管组成_ _电路，VT2管组成_ _电路，又称_ _电路；电路中C1、C3、C4称为_ _电容，其作用是_ _，C2称为_ _电容，其作用是_ _。图二62. 多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压增益为20dB，则总电压增益为_ ，折算为电压放大倍数为_ 倍。63. 多级放大电路中，第一级电压放大倍数为100倍，第二级电压放大倍数为1000倍，则总电压放大倍数为_ 倍，折算为电压增益为_ dB。64. 一般而言，多级放大电路的输入电阻等于_ ；输出电阻等于_ 。65. 场效应管从结构

13、上可分为_ 和_ 两大类；从其导电沟道上可分为_ 沟道和_ 沟道两大类。66. 场效应管放大电路中，其输入电阻_ ，故栅流IG»_ 。67. 在晶体三极管放大电路中，当f=fb时，|b|值为b0（低频时的数值）的_ 倍；当f=fT时，|b|值为_ ，fT称为 _ ，fb称为 _ 。68. 为了使输出电流稳定，应引入_ _反馈，其输出电阻将_ _。69. 为了使输出电压稳定，应引入_ _反馈，其输出电阻将_ _。70. 若希望负载变化时，放大器的输出电压稳定，应引入 _ 反馈，此时输出电阻将 _ 。71. 为了使放大器的输入电阻提高，应引入_ _反馈。72. 为了使放大器的静态工作点稳

14、定，应引入_ _反馈。73. 若要减小放大器从信号源索取电流，应引入_ _反馈。74. 若要提高放大器的带负载能力，应引入_ _反馈。75. 若信号源的内阻大，应引入_ _反馈，效果才显著。76. 交流串联负反馈只有信号源内阻 较小 时，效果才显著。77. 电路引入负反馈可以改善放大电路的性能，如_ _、_ _、_ 、_ _等等。78. 某放大器无反馈时，输入信号为20mV，输出电压为10V。而引入负反馈后，欲使输出电压不变，则输入信号应增大为200mV，故所引入的反馈深度为_ _。79. 在低频功率放大器中，集电极电流的导通角q= _ 为甲类；导通角q= _ 为乙类；_ <q<_

15、 为甲乙类。80. 乙类互补推挽功率放大电路存在_ 失真，为克服它，应使它工作在 _ 工作状态。81. 一个交流输出功率Po=20W的乙类互补推挽功率放大电路，应选每只晶体三极管集电极最大允许功耗PCM至少为_ W。对于UCC=±24V的OCL功放，每管的耐压U(BR)CEO³_ V。82. 复合管在功放电路中的作用是 _ 。83. 对功率放大电路的基本要求是能够向负载提供足够大的输出功率，有较高的_ _和较小的 _ 。84. 对于互补对称功率放大电路，两边的三极管（均是单管）要求它们的导电类型 _ ，各个参数 _ 。85. 已知差分放大电路的两个输入电压uI1=20mV，

16、uI2=14mV，则其差模输入电压uId= _ mV，共模输入电压uIC=_ mV；当输入电压uI1=uI2=20mV时，其差模输入电压uId= _ mV，共模输入电压uIC= _ mV；当输入电压uI1=-uI2=20mV时，其差模输入电压uId= _ mV，共模输入电压uIC=_ mV。86. 差分放大电路的差模输入信号是指两管输入端的信号具有 _ 的特点；共模输入信号是指两管输入端的信号具有 _ 的特点。87. 差分放大电路的差模放大倍数比共模放大倍数要 _ ；双端输出形式的共模抑制比比单端输出形式要_ ；双端输出形式的输出电阻比单端输出形式的输出电阻要 _ ；双端输入形式的输入电阻和单

17、端输入形式的输入电阻 _ 。88. 长尾式差分放大电路中的射极公共电阻Re对差模信号可视为 _ ；而对共模信号具有_ 作用。89. 集成运放的第一级通常采用_ 电路，主要是为了减小_ ，提高 _ 。90. 有源负载在集成运放的中间级中所起的作用是 _ 。91. 理想集成运放的开环电压放大倍数=_ ；差模输入电阻= _ ；输出电阻= _ ；共模抑制比KCMR=_ ；-3dB带宽fh= _ 。92. 理想运放在线性区工作时，其两输入端的电位（u+，u-）_ ，电流（i+，i-） _ 。93. 集成运放的“虚短”概念是指 _ ；“虚断”的概念是指 _ ；“虚地”的概念是指 _ 。94. 在基本积分电

18、路和微分电路中，反馈支路应分别接入_ 和_ _ 元件。95. 用理想运放组成的放大器，应工作在 _ 状态；而电压比较器则应工作在 _ 状态，所以电压比较器的输出只有_ 和_ 两种电平。96. 由集成运放组成的方波发生器，它是由_ 和 _ 组成的。97. 线性稳压电源（即串联型稳压电源）包括_ 、_ 、 _ 和_ 四个部分。98. 设电源变压器次级电压有效值为U2，则桥式整流电容滤波电路的输出电压Uo= _ ；当电容因故开路，仅有负载RL时，输出电压Uo=_ ；当电容滤波电路的负载RL开路时，输出电压Uo=_ ；若桥式整流电路的四个整流二极管中有一个被开路（损坏），而且电容也因故开路，仅有负载R

19、L时，则输出电压Uo= _ 。二、 单项选择题1. 本征激发体现了半导体的( )特性。D A. 光敏性 B. 热敏性 C. 掺杂性 D. A和B 2. 在室温下，本征半导体中的载流子数目( )。D A. 很多 B. 较多 C. 较少 D. 极少3. 在本征半导体中，本征激发产生的载流子是( )。D A. 自由电子 B. 空穴 C. 正负离子 D. A和B 4. 在热力学零度时，本征半导体相当于( )。C A. 导体 B. 超导体 C. 绝缘体 D. 半导体5. 在( )中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。 CA. P型半导体 B. N型半导体 C. 本征半导体 D. 半导体 6. 在杂质半导体

20、中，少数载流子的浓度与( )有关。 DA. 电子 B. 空穴 C. 掺杂浓度 D. 温度7. 杂质半导体体现了半导体的( )特性。CA. 光敏性 B. 热敏性 C. 掺杂性 D. 导电性8. 当PN结外加反向电压时，耗尽层( )。 BA. 变窄 B. 变宽 C. 不变 D.无法确定9. P型半导体的少数载流子是（ ）BA. 空穴 B. 电子 C. 正离子 D. 负离子10. PN结加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流。AA. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不能确定11. PN结加反向电压时，其阻挡层将（ ）。AA. 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 不能确定12. 对于不对称的PN结，

21、如P+N结，其耗尽区主要伸向（ ）。BA P+区 B N区 C P+和N区相同 D 不能确定13. 在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为( )。 AA. P型半导体 B. N型半导体 C. 本征半导体 D. 导体14. 理想二极管在正偏和反偏时，二极管分别相当于(  ) BA. 开路，短路 B. 短路，开路 C. 短路，短路 D. 开路，开路15. PN结伏安特性方程式中的UT在常温(T=300K)时的值约为( )。 BA. 2.6mV B. 26mV C. 2.6V D. 26V16. PN结伏安特性方程可以描述PN结的( )。 D A. 正向特性 B. 反向特性 C.

22、 击穿特性 D. A和B 17. 二极管的伏安特性可用数学式来描述，其数学式是（ ）。CA i=IS(1-ekT/qu) B i=IS(ekT/qu-1) C i=IS(equ/kT-1) D i=IS(1-equ/kT) （提示：UT=kT/q）18. PN结在不同的运用状态下表现的特性不同，了解其特性是理解和使用晶体二极管、三极管的重要依据，其特性包括（ ）。DA PN结的单向导电性 B PN结的击穿特性C PN结的电容效应 D PN结的特性应包括以上三个特性19. 三极管是由( )层半导体组成。C A.1 B.2 C.3 D.420. 在电路中，晶体管有( )种接法。CA.1 B.2 C

23、.3 D.421. 双极型三极管具有( )主要特性。 BA. 输出电压可控 B. 输出电流可控 C. 输出电阻可控 D. 以上皆对22. 三极管符号中的箭头方向表示     。A A.发射结由P型半导体指向N型半导体 B.集电结由P型半导体指向N型半导体C.发射结由N型半导体指向P型半导体 D.集电结由N型半导体指向P型半导体23. 三极管工作在放大状态的外部条件是( )。 CA. 发射结和集电结均正偏 B. 发射结和集电结均反偏C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏24. 晶体三极管饱和时，则（ ）。CA发射结正偏，集电结反偏 B 发射结反偏

24、，集电结正偏C 发射结正偏，集电结正偏 D 发射结反偏，集电结反偏25. NPN型管工作在放大状态，要求( )。 BA. UBE>0，UBC>0 B. UBE>0，UBC<0 C. UBE<0，UBC>0 D. UBE<0，UBC<026. 当集电结反偏时，基区和集电区中的少子向对方漂移，形成了( )。DA. 基极电流IBN B. 集电极电流ICN C. 发射极电流IE D. 反向饱和电流ICBO27. 在共基极接法的电路中，体现了( )的控制作用。BA. IB对IC B. IE对IC C. IE对IB D. IC对IE28. 下列关于穿透电流表

25、达式正确的是( )。C A. B. C. D. 29. 在下列各式中，     能够正确反映晶体管的电流分配关系。BA. IC=IE+IB B. IE=IC+IB C. IE=bIB+ICEO D. IC=bIB+ICBO30. 共发射极接法的晶体管工作在放大状态下，对直流而言其( )。A 321（+3V）（+9V）（+3.2V）A. 输入具有近似恒压特性，而输出具有恒流特性B. 输入和输出都具有近似的恒流特性C. 输入和输出都具有近似的恒压特性D. 输入具有近似的恒流特性，而输出具有近似的恒压特性31. 测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，说明该管是( )。

26、AA. NPN锗管 B. NPN硅管 C.PNP锗管 D. PNP硅管32. 测得电路中PNP型晶体管e、b、c三个电极的电位分别是2.6V、2V、2.4V，该管的工作状态是( )。AA.饱和 B.截止 C.放大 D.损坏33. NPN型晶体三极管电路，测得其三个电极对同一参考点的电压分别为VB=+2.7V， VC=+7V，VE=+2V，则该管处于（ ）BA 饱和状态 B 放大状态 C 截止状态 D 击穿状态34. 对于单管共射放大电路，测得电源电压UCC=12V，集电极对地电位为0.2V，则该管处于（ ）。AA 饱和区 B 放大区 C 截止区 D 击穿区35. 当晶体管的集电极电流IC>

27、;ICM时，下列说法正确的是( )。CA. 晶体管一定被烧毁 B. 晶体管的PC=PCM C. 晶体管的一定减小 D. 晶体管的一定增大36. 温度升高     。B A. uBE减小，输入特性曲线右移 B. uBE减小，输入特性曲线左移C. uBE增大，输入特性曲线右移 D. uBE增大，输入特性曲线左移37. 当温度升高时，晶体管的、ICEO、UBE的变化情况是( )。B A. 增加、ICEO和UBE减小 B. 和ICEO增加、UBE减小C. 和UBE减小，ICEO增加 D. 、ICEO和UBE都增加38. 某晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，U(

28、BR)CEO=15V。若要工作在放大状态，在下列几种情况下，可能正常工作的是( )。D A. UCE=15V，IC=10mA B. UCE=2V，IC=40mA C. UCE=6V，IC=20mA D. UCE=8V，IC=10mA39. 对于电流放大，希望放大电路的输入电阻( )，对于电压放大，希望放大电路的输入电阻( )。DA. 越大越好，越大越好 B. 越小越好，越小越好C. 越大越好，越小越好 D. 越小越好，越大越好40. 在基本共射电路中，基极偏置电阻Rb的作用是     。 AA. 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路B. 把基极

29、电流的变化转换为输入电压的变化C. 保护信号源D. 防止输出信号被短路41. 在基本共射放大电路中，( )可以把放大的电流转换为电压输出。B A. Rb B.RC C.C1 D.C242. ( )是衡量放大电路对信号的放大能力。CA. Ri B.RO C. Au D.BW43. 若要实现小信号的放大，需将静态工作点设置在（ ）BA. 导通区 B. 受控区 C. 截止区 D. 任意位置44. 画直流通路时（ ）AA. 交流电压源短路，电容开路 B. 交流电流源短路，电感开路C. 交流电流源短路，电容开路 D. 交流电压源短路，电感开路45. 放大电路直流通路的画法是( )。CA. 电容视为短路，

30、电感视为短路 B. 电容视为短路，电感视为开路C. 电容视为开路，电感视为短路 D. 电容视为开路，电感视为开路46. 放大电路交流通路的画法是( )。D A. 理想直流电源开路，大容量电容开路 B. 理想直流电源开路，大容量电容短路C. 理想直流电源短路，大容量电容开路 D. 理想直流电源短路，大容量电容短路 47. 源电压放大倍数与电压放大倍数的关系是( )。B A. B. C. D. 48. 输出电阻是衡量电压放大电路带负载能力的一项指标。输出电阻越小，则当负载变动时，放大电路输出电压( )。A A.变动越小 B.变动越大 C.不变 D. 上述情况皆有可能发生49. ( )是衡量放大电路

31、对不同频率信号的放大能力。DA.Ri B.RO C.Au D.BW50. 由于放大电路是交直流共存的，则下列表达式正确的是( )。DA. UBE=uBE+ube B. uBE=UBE+Ube C. ube=UBE+uBE D. uBE=UBE+ube 51. 在如图所示的交流通路中，输出电压可表示为( )。D A. uo=-iCRC B. uo=-iCRLC. uo=iC(RC/RL) D. uo=-iC(RC/RL) 52. BJT放大电路中，最有可能用于宽带的放大电路组态是（ ）CA. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 都可以53. 晶体三极管工作时，当环境温度升高时，则|UBE|（ ）

32、。BA 增大 B 减小 C 基本不变 D 由于与温度无关，故无法判断54. 对于单管共射放大电路，若输出电压出现饱和失真，消除它应使（ ）。AA Rb­ B Rb¯ C 选b大的管 D RL¯55. 由输出特性分析单级PNP型管组成的放大电路，若从示波器上看输出电压波形的顶部被削波这属于（ ）失真。BA 截止 B 饱和 C 线性 D 交越56. 为使放大器输出电压动态范围最大，应调整工作点Q位于（ ）。CA 直流负载线的中点 B 直流负载线的最低点C 交流负载线的中点 D 交流负载线的最低点57. 放大电路的图解分析方法（ ）。BA 只能分析直流状态 B 既能分析

33、直流状态，也能分析交流状态C 只能分析交流状态 D 只能分析小信号交流状态58. 在放大电路中，适当使ICQ减小，则晶体管的（ ）将会明显增加。CAb(hfe)BICEOCrbe(hie)DBUCEO59. 在放大电路中，适当使ICQ增大，则放大器的（ ）。DARi­BRo­Cfh­D|Au|­60. 基本共射放大电路中，ICQ=1mA，当更换晶体三极管时，b从50增大为100，则该放大器的电压放大倍数|Au|（ ）。DA 约为原来的1/2 B约为原来的2倍C 约为原来的4倍D基本不变61. 对于电压放大电路的输入电阻、输出电阻，说法正确的是（ ）CA

34、输入电阻愈小愈好，输出电阻愈小愈好B 输入电阻愈大愈好，输出电阻愈大愈好C 输入电阻愈大愈好，输出电阻愈小愈好D 输入电阻愈小愈好，输出电阻愈大愈好62. 无反馈放大电路的增益带宽积比有反馈放大电路的增益带宽积（）。CA大B小C相等D不能确定63. 某放大器输出端开路电压为4V，接入3kW负载电阻后，输出电压为3V，则放大器的输出电阻为（ ）。CA 10 kW B 2 kW C 1 kW D 0.5 kW64. 为了使高阻信号源与低阻负载能很好地匹配，可以在二者之间接入（ ）。CA 共射放大电路 B 共基放大电路C 共集放大电路 D 共射共基级联放大电路65. 为了使信号电压能有效地放大，且带

35、负载能力强，在信号源与负载间接入（ ）。DA 共射放大电路 B 共基放大电路C 共集放大电路 D 共射共集级联放大电路66. 为了把一个内阻小的电压源转变为内阻尽可能大的电流源，可以在电压源后接入（ ）。BA 共射放大电路 B 共基放大电路C 共集放大电路 D 共射共集级联放大电路67. 在放大电路中，既要能放大电压，由要能放大电流，应选用（ ）BA 共集电路 B 共射电路 C 共基电路 D 不能确定68. 对于单管共射放大，若输入耦合电容C1增大，其他参数不变，则下限频率fL（ ）。BA 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定69. 对于单管共射放大器，若发射极旁路电容Ce增大，其他参数

36、不变，则下限频率fL（ ）。BA 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定70. 对于单管共射放大器，若集电极电阻RC减小，其他参数不变，则上限频率fH（ ）。AA 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定71. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应（ ）AA 好 B 差 C 差不多 D 从差到好72. 在集成电路中经常采用的一种耦合方式是( )耦合。CA. 阻容 B. 变压器 C. 直接 D. 光电73. 要求静态时负载两端电压不含直流成分，应选用（ ）耦合方式。DA. 阻容 B. 变压器 C. 直接 D. A和B74. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。C

37、A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响 D 电源电压不稳定75. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。CA 便于设计 B 放大交流信号 C 不易制作大容量电容 D 克服温漂76. 直接耦合放大电路（ ）。AA既能放大直流信号也能放大交流信号 B只能放大直流信号C只能放大小信号交流信号 D只能放大交流信号77. 一个多级放大器的电压放大倍数为（ ）BA 各级电压放大倍数之代数和 B 各级对数放大倍数之代数和C 各级电压放大倍数之差 D 各级对数放大倍数之乘积78. 两级级联放大电路，其后级的输入电阻是前级的（ ）DA 输出电阻 B 输入电阻 C 信号源内阻 D

38、 负载电阻79. 放大电路产生零点漂移的原因，主要是由于温度变化对电路中的（ ）有影响。DA 电阻 B 电容 C 电感 D 晶体管参数80. 理想情况下，双端输出方式的差分放大器的共模抑制比KCMR应（ ）。BA 等于零 B 等于无穷大 C 等于1 D 小于181. 理想情况下，双端输出方式的差分放大器的共模电压放大倍数应（ ）。AA 等于零 B 等于无穷大 C 等于1 D 小于182. 选用差分放大电路的原因是（ ）AA 克服温漂 B 提高输入电阻 C 稳定放大倍数 D 便于设计83. 为了克服直接耦合电路存在的零点漂移问题，集成运放的输入级采用（ ）放大电路。DA. 共射 B. 共集 C.

39、 共基 D. 差分84. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。A,CA 差 B 和 C 平均值 D 比值85. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的公共发射极电阻Re，将使单端输出电路的（ ）。BA 差模放大倍数数值增大 B 抑制共模信号能力增强C 差模输入电阻增大 D 共模输出电阻减小86. 差分放大器的差模输入是指两输入端信号（ ）DA 大小不等，相位相同 B 大小不等，相位相反C 大小相等，相位相同 D 大小相等，相位相反87. 差分放大器的共模输入是指两输入端信号（ ）CA 大小不等，相位相同 B 大小不等，相位相反C 大小相等，相位相同 D

40、 大小相等，相位相反88. 差分放大电路中，用恒流源替代长尾电阻Re的好处是对共模信号而言（ ）。BA 直流电阻大，交流电阻小 B 直流电阻小，交流电阻大C 直流电阻大，交流电阻大 D 直流电阻小，交流电阻小89. 集成运放实质上是一个（ ）。AA. 直接耦合的多级放大电路 B. 阻容耦合的多级放大电路C. 变压器耦合的多级放大电路 D. 单级放大电路90. 在集成运放中，第一级采用差分放大电路的目的，主要是有助于（ ）。CA 提高输入电阻 B 提高差模电压放大倍数C 减小零点漂移 D 起匹配作用91. 在如图所示的电路中电阻RP的作用是( )。AA. 调零 B. 提高共模抑制比C. 提高共模

41、电压放大倍数 D. 提高差模电压放大倍数92. 在上题所示的电路中，若晶体管VT1、VT2特性相同，下列表达式正确的是( )。DA. B. C. D. 93. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。DA 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小94. 与无反馈放大电路相比，负反馈放大电路的（ ）。BA |Auf|­，fbw¯ B |Auf|¯，fbw­ C |Auf|­，fbw­ D |Auf|¯，fbw¯95. 为稳定放大电路的输出电流，提高输入电阻，应在电路

42、中引入以下哪种类型的负反馈（ ）DA 电压并联 B 电压串联 C 电流并联 D 电流串联96. 为了使放大电路的输出电压稳定，且输入电阻提高，应引入（ ）。AA 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈97. 如果放大电路在引入负反馈后，其输入和输出电阻都减小了，则所引入的是（ ）负反馈。CA 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈98. 电流负反馈能使放大电路的输出（ ）。CA. 电压降低 B. 电流减小 C. 电阻增大 D电阻减小99. 若放大电路的信号源内阻很高，且要稳定该放大电路的输出电压，应引入( )负反馈。CA 电压

43、串联 B 电流串联C 电压并联 D 电流并联100. 在多级放大电路中，能引入级间直流负反馈的电路是( )多级放大电路。CA. 阻容耦合 B. 变压器耦合 C. 直接耦合 D. 任何一种耦合方式101. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）。BA 电流串联正反馈 B 电流串联负反馈C 电流并联正反馈 D 电流并联负反馈102. 欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入（ ）。CA 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈103. 欲减小电路从信号源索取的电流，并增强带负载能力，应在放大电路中引入（ ）。AA 电压串联负反馈 B 电流

44、串联负反馈C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈104. 欲从信号源得到更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。DA 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈105. 引入负反馈后，说法正确的是（ ）AA 放大倍数为原来的1/(1+AF)，通频带变宽B 放大倍数为原来的（1+AF），通频带变宽C 放大倍数为原来的1/(1+AF)，通频带变窄D 放大倍数为原来的（1+AF），通频带变窄106. 某深负反馈放大电路，若开环放大倍数A增大一倍，则闭环放大倍数|Auf|（ ）。DA.约增大一倍 B.约增大二倍 C.约减小一半D.基本不变107. 某深负反馈

45、放大电路中，其反馈深度|1+|应（ ）。AA.>>1 B.>1 C.<1D.<<1108. 在深负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af »（ ）。CA.1/ (1+) B.1+ C.1/D.109. 在深度串联负反馈放大电路中，其输入回路应具有（ ）。CA If »Ii B If » IS C Uf »Ui D Uf » US注意：下标中“i”外加输入；“S”净输入；“f”反馈。（下同）110. 在深度串联负反馈放大电路中，其输入回路应具有（ ）。AA If »Ii B If » IS C U

46、f »Ui D Uf » US111. 对于给定的两个电路（a）和（b），以下说法正确的是（ ）CA. 图（a）有反馈，图（b）有反馈 B. 图（a）无反馈，图（b）无反馈C. 图（a）有反馈，图（b）无反馈 D. 图（a）无反馈，图（b）有反馈(b)(a)112. 如图所示电路引入的反馈类型是（ ）BA 串联电压负反馈 B 并联电压负反馈C 串联电流负反馈 D 并联电流负反馈113. 如图所示电路引入的反馈类型是（ ）DA 串联电压负反馈 B 并联电压负反馈C 串联电流负反馈 D 并联电流负反馈114. 在深负反馈放大电路中，理论上两级负反馈放大电路（ ）产生自激振荡。B

47、A 很容易 B 较容易 C 不会 D 不能确定115. 已知某放大电路的输出噪声电压是由电路内部产生的，为抑制这种噪声应（ ）。DA. 减小开环增益A B. 引入交流负反馈C. 引入交流负反馈，并降低闭环增益Auf D. 引入交流电压负反馈116. 在多级放大电路中，经常采用功率放大电路作为（ ）。CA. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 偏置电路117. 甲乙类功率放大电路中晶体管的导通角是（ ）。CA. q=90° B. q=180° C. 90° <q<180° D. q=270°118. 电路如图所示，最大输出功率为（ ）CA. 1W B. 2W C. 4W D. 8W119. 乙类互补对称功率放大电路中的交越失真实际上就是（ ）。DA. 幅频失真 B. 相位失真 C. 饱和失真 D. 截止失真120. 乙类互补对称功率放大电路会产生（ ）AA 交越失真 B 饱和失真 C 幅频失真 D 相频失真121. 欲要使互补推挽功率放大电路的输出功率为50W，则需选两个异型管，每管的最大允