微电子器件实验1模版medicinmos

1、南京邮电大学课内实验报告课程名：任课教师：微电子器件设计专业：微电子学学号：姓名:2014/2015学年第2学期南京邮电大学电子科学与工程学院微电子器件设计课程实验第1次实验报告实验内容及基本要求：实验项目名称：nmos晶体管的器件模拟 实验类型：验证每组人数：1实验内容及要求：内容：采用medici仿真软件验证nmos晶体管电特性。要求：能够用medici编制程序、会分析nmos关键参数对电 特性的影响。实验考核办法：实验结束要求写出实验报告。内容如下：1、问题的分析与解答；2、结果分析，并将结果返回到器件的实际设计中；3、器件设计的进一步思考。实验结果：（附后）实验代码如下：title a

2、vant! medici example 1-1.5 micron n-channel mosfetcomment specify a rectangular meshmeshsmooth=1x. meshwidth二3.0 hl=0. 125y.meshn=1l=-0.025y. meshn二3 l二0.y. meshdepth二 1.0 hl二0. 125y. meshdepth=1.0 111=0. 250comment eliminate some unnecessary substrate nodeselimincolumns y.min=1. 1commentincrease so

3、urce/drain oxide thickness using spreadspreadleftwidth二.625up二1l0=3th1ck= 1 enc=2spreadrightwidth=. 625up=1l0=3thick=. 1 enc=2comment use spread again to prevent substrate grid distortionspreadleftwtdth=100up二3lo二4y. lo二0.125commentspecify oxide and silicon regionsregionsiliconregionoxide iy.max=3co

4、mmentelectrode definitionelectr name=gate x. mtn=o. 625 x. max二2. 375 topelectrname二substrate bottomelectrname二source x.max二0. 5 1y.max二3electrname=drainx. min=2.5 iy. max=3comment specify impurity profiles and fixed chargeprofilep-type n. peak=3e15uniformout.ftle=mdex1dsprofilep-type n. peak=2e16y.

5、 ciiar=. 25profilen-type n. peak=2e20y. junc= 34x. m1n=o. 0width二.5+xy. rat=. 75profilen-type n. peak二2e20y. junc=. 34x. min二2. 5width二.5+xy. rat二.75interfacqf二1e10plot. 2dgrid title二example1 - initialgrid" fill scalecommentregrid on dopingregrid doping log ignore二oxide ratio二2 smooth二1+tn. ftl

6、e=mdex1dsplot. 2d grid title=z，examplc 1 - doping rcgrid，/ fill scalecomment specify contact parameterscontactname=gate n. polycommentspecify physical models to usemodelsconmob fldmob srfm0b2comment symbolic factorization, solve, regrid on potcntieilsymbcarriers二0method1ccg dampedsolveregrid poten i

7、gnore二oxide ratio二.2 max二1 smooth二1+tn. ftle=mdex1ds+out. file二mdex1msplot. 2dgridtltle=，zexample 1 - potentialregrid"fill scalecommentsolveusing the refined grid, savesolutionfor laterusesymbcarriers二0solveout. ftle=mdex1scommentimpurity profileplotsplot. iddoping x. start=.25x. end二.25 y. sta

8、rt=o y. end二2+y. log points bot=1e15 top=1e21color=2+title二example 1 一 source impurityprofile"plot. id+plot. 2dcontourcontourdoping x. start=1. 5 x. end=1. 5 y start二0 y end二2 y. log points bot=1e15 top=1e17 color=2title二example 1 - gate impurity profile"bound title 二 exeunpldopingdopingel

9、og min=16log min=-161 - impurity contours" fill scale max=20 del=. 5 color=2max=-15 del二.5 color二1 line二2medici运行后仿真图如下:tmasti30 二 os -c2。一x莒nnnnnnn卜7bsssisbksieik96 文料 >迳iffseaaeslalah.0j仃h.apif? eg 晒廉0h o t<t岂乙sola nr; 血丽囉 呦丽頊 cgizf rrr sear nr匕*当士l中必刃：廊血j?确瓯诙rtq soizpifr cglaprrexample

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11、1;tiflestun: 1 0 f： 1<j乙 j/3乙 、乙乙 j乙rtf5ot7vfttj70 文© 1 hieroio t<c««4liaml i巒/:卩叵切“眄-vqt a n 厂s6lapi!7 3la卩时切lahu73乙su pr.risqrzwsbueld旳l/：卩玲 jlapfs一 0 ootzftr层i-匕跖6&guprft佃uf« ® s<t曾附sotzftj7 £<）购瑶：e0uf弄疣jrgt a n 1 r< " mw/mammnmms滋滋刁法彥蕊直圖慘经玄滋*

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