应变片测量组桥方式

1、下图为 1/4桥（类型I ）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为 1/4桥（类型I ）弯曲应变配置中的应变计电阻：1/4桥（类型I ）的应变计配置具有下列特性：单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的主方向。具有补偿电阻（1/4桥完整电桥结构电阻）和半桥完整桥结构电阻。温度变化可降低测量精度。1000 时的灵敏度为0.5 mVout / V EX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算1/4桥（类型I ）的电路图电路图使用下列符号：R 1 是半桥的完整电桥结构电阻。R 2 是半桥的完整电桥结构电阻。R 3 是 1/4桥的完整电桥结构电阻，称为补偿电阻。供参考R 4 是用于测量伸展应变

2、(+)的有效应变计元素。V EX 是激励电压。R L 是导线电阻。V CH 是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。Vr 是虚拟通道用于电压 应变转换方程的电压比率，GF 是应变计因子，RL 是导线电阻， R g 是额定应变计电阻。下图为 1/4桥（类型II ）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为 1/4桥（类型II ）弯曲应变配置中的应变计电阻：1/4桥（类型II ）的应变计配置具有下列特性：有效应变计元素和无效应变计元素（1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻）。有效元素位于轴向或弯曲应变的方向。补偿应变计位于连接至应变样本的温度电阻附近，但并未连接至应变样本，通常平行

3、或垂直于主要的轴向应变方向。该配置常被误认为是半桥（类型I ）配置，在半桥（类型I ）配置中， R3 为有效元素且连接至应变样本，用于测量泊松比的效应。完整桥结构电阻可使半桥保持完整。可补偿温度对测量产生的影响。1000 时的灵敏度为0.5 mVout / V EX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念供参考电桥传感器换算1/4桥（类型II ）的电路图电路图使用下列符号：R 1 是半桥的完整电桥结构电阻。R 2 是半桥的完整电桥结构电阻。R 3 是 1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻。R 4 是用于测量伸展应变(+)的有效应变计元素。V EX 是激励电压。R L 是导线电阻。V CH 是测

4、量电压。通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。Vr 是虚拟通道用于电压 应变转换方程的电压比率，GF 是应变计因子，RL 是导线电阻， R g 是额定应变计电阻。下图为半桥（类型I ）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为半桥（类型I ）弯曲应变配置中的应变计电阻：供参考半桥（类型I ）的应变计配置具有下列特性：两个有效应变计元素，一个位于轴向应变方向，另一个平行或垂直于主要的轴向应变方向，作为泊松应变计。完整桥结构电阻可使半桥保持完整。轴向和弯曲应变的灵敏度较高。可补偿温度对测量产生的影响。对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。1000 时的灵敏度为0.65 mVout /

5、VEX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型I ）的电路图电路图使用下列符号：R 1 是半桥的完整电桥结构电阻。R 2 是半桥的完整电桥结构电阻。R 3 是有效应变计元素，用于测量泊松效应(- )导致的收缩。R 4 是用于测量伸展应变(+)的有效应变计元素。V EX 是激励电压。R L 是导线电阻。V CH 是测量电压。通过下列方程将半桥（类型I ）配置的电压比率转换为应变单位。供参考Vr 是虚拟通道用于电压 应变转换方程的电压比率， GF 是应变计因子， v 是泊松比， R L 是导线电阻， Rg 是额定应变计电阻。半桥（类型II ）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为

6、半桥（类型II ）弯曲应变配置中的应变计电阻：半桥（类型II ）的应变计配置具有下列特性：两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的轴向应变方向，以及应变样本底部的轴向应变方向。完整桥结构电阻可使半桥保持完整。弯曲应变的灵敏度较高。不能测量轴向应变。可补偿温度对测量产生的影响。1000 时的灵敏度为1 mV out / V EX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型II ）的电路图供参考电路图使用下列符号：R 1 是半桥的完整电桥结构电阻。R 2 是半桥的完整电桥结构电阻。R 3 是用于测量收缩应变(+)的有效应变计元素。R 4 是用于测量伸展应变(+)的有效应变计电阻

7、。V EX 是激励电压。R L 是导线电阻。V CH 是测量电压。通过下列方程将半桥（类型II ）配置的电压比率转换为应变单位。Vr 是虚拟通道用于电压 应变转换方程的电压比率，GF 是应变计因子，RL 是导线电阻， R g 是额定应变计电阻。全桥（类型I ）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型I ）弯曲应变配置中的应变计电阻：供参考全桥（类型I ）的应变计配置具有下列特性：四个有效应变计元素；两个位于应变样本顶部的弯曲应变方向，两个位于应变样本底部的弯曲应变方向。弯曲应变的灵敏度较高。不能测量轴向应变。可补偿温度对测量产生的影响。可补偿导线电阻对测量产生的影响。1000 时的灵敏度为2

8、.0 mVout / V EX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型I ）的电路图电路图使用下列符号：R 1 是用于测量收缩应变(+)的有效应变计元素。R 2 是用于测量伸展应变(+)的有效应变计元素。R 3 是用于测量收缩应变(+)的有效应变计元素。R 4 是用于测量伸展应变(+)的有效应变计元素。V EX 是激励电压。R L 是导线电阻。V CH 是测量电压。通过下列方程将全桥（类型I ）配置的电压比率转换为应变单位。Vr 是虚拟通道用于电压 应变转换方程的电压比率，GF 是应变计因子。供参考全桥（类型II ）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型II ）弯曲

9、应变配置中的应变计元素：全桥（类型II ）的应变计配置具有下列特性：四个有效应变计元素。两个位于弯曲应变方向，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部。两个作为泊松应变计，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部，分别平行或垂直于主要的轴向应变方向。不能测量轴向应变。可补偿温度对测量产生的影响。对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。可补偿导线电阻对测量产生的影响。1000 时的灵敏度为1.3 mVout / V EX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型II ）的电路图供参考电路图使用下列符号：R 1 是用于测量收缩泊松效应(- )的有效应变计元

10、素。R 2 是用于测量伸展泊松效应(+)的有效应变计元素。R 3 是用于测量收缩应变(+)的有效应变计元素。R 4 是用于测量伸展应变(+)的有效应变计元素。V EX 是激励电压。R L 是导线电阻。V CH 是测量电压。通过下列方程将全桥（类型II ）配置的电压比率转换为应变单位。Vr 是虚拟通道用于电压 应变转换方程的电压比率，GF 是应变计因子，v 是泊松比。下图为全桥（类型III ）轴向应变配置中的应变计电阻：全桥（类型III ）配置仅适用于测量轴向应变。供参考全桥（类型III ）的应变计配置具有下列特性：四个有效应变计元素。两个位于轴向应变方向，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部。两个作为泊松应变计，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部，分别平行或垂直于主要的轴向应变方向。可补偿温度对测量产生的影响。不能测量弯曲应变。对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。可补偿导线电阻对测量产生的影响。1000 时的灵敏度为1.3 mVout / V EX 输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型III）的电路图电路图使用下列符号：R 1 是用于测量收缩泊松效应(- )的有效应变计元素。R 2 是用于测量伸展应变(+)的有效应