晶体缺陷理论典型晶体结构中的位错PPT教案

1、会计学1晶体缺陷理论典型晶体结构中的位错晶体缺陷理论典型晶体结构中的位错第4章 典型结构金属中的位错第1页/共116页第2页/共116页错或完整位错第3页/共116页第4页/共116页第5页/共116页第6页/共116页第7页/共116页第8页/共116页第9页/共116页第10页/共116页第11页/共116页第12页/共116页第13页/共116页第14页/共116页第15页/共116页第16页/共116页第17页/共116页第18页/共116页第19页/共116页第20页/共116页第21页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A

2、B C A B C A B C A B87654321fcc： ABCABCAB. hcp：ABABABAB. 从第1层到第8层的原子排列111110纸面为112111第22页/共116页第23页/共116页第24页/共116页第25页/共116页第26页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A B C A B C A B C A B87654321抽去第4层的A位置原子，原第5层B以上的原子逐层落下来，排列成为了ABCBCABC，出现了内禀层错，即在fcc结构中形成了BCBC的hcp结构，及BCB与CBC孪晶。11131抽出第27页/共

3、116页第28页/共116页第29页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A B C A B C A B C A B87654321在第4与第5层之间插入一层的C位置原子，第5层以上原子逐层上一个原子间距，排列成为了ABCACBCABC，出现了外延层错，即在fcc结构中形成了CAC和CBC的hcp结构，及孪晶。11131插入第30页/共116页第31页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A B C A B C A B C A B87654321在切应力作用下，第4层原子由A位置滑移

4、到B位置，其上各层原子依次滑移，排列成为了ABCBCABC，出现了内禀层错，即在fcc结构中形成了BCBC的hcp结构，及BCB与CBC孪晶。与抽出型层错相同。11261滑移第32页/共116页第33页/共116页第34页/共116页第35页/共116页第36页/共116页第37页/共116页不全位错 部分位错 柏氏矢量小于最短的平移矢量 不全位错 柏氏矢量不等于最短的平移矢量的整数倍，层错与正常晶体的交界处 不全位错扫过之后，滑移面上下原子产生错排，形成 层错 堆垛层错正常的堆垛顺序被扰乱 层错破坏了晶体的周期性，使能量增加，但层错不产生点阵畸变，层错能比晶界能低得多 第38页/共116页第

5、39页/共116页第40页/共116页第41页/共116页第42页/共116页第43页/共116页第44页/共116页第45页/共116页第46页/共116页第47页/共116页第48页/共116页见弗兰克不全位错swf第49页/共116页第50页/共116页第51页/共116页第52页/共116页位错反应位错之间的相互转化 位错的能量越低越稳定 第53页/共116页第54页/共116页第55页/共116页第56页/共116页000210212121002121第57页/共116页个负面之间的夹角为锐角。第58页/共116页第59页/共116页第60页/共116页扩展位错第61页/共116页第

6、62页/共116页第63页/共116页第64页/共116页第65页/共116页第66页/共116页第67页/共116页第68页/共116页第69页/共116页第70页/共116页第71页/共116页第72页/共116页扩展位错的运动先需要束集第73页/共116页第74页/共116页第75页/共116页第76页/共116页扩展位错的束集 交滑移 第77页/共116页第78页/共116页第79页/共116页第80页/共116页第81页/共116页第82页/共116页第83页/共116页第84页/共116页第85页/共116页2密排六方晶体中的位错第86页/共116页第87页/共116页第88页/共

7、116页第89页/共116页第90页/共116页抽去一层+平移第91页/共116页滑移第92页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A B C A B C A B C A B87654321hcp： ABABAB. hcp：ABACACAC.抽去第4层B原子，第5层原子下落，再切动滑移到C位置，第6层原子下落，切动滑移到A位置，产生一个次近邻层错BAC00011100纸面为00110001I1型堆垛层错抽出+切动第93页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A B C A B C A

8、 B C A B87654321hcp： ABABAB. hcp：ABABCACAC.第5层原子由A位置滑移到C位置，第6层以上原子依次滑移一个原子间距，产生2个次近邻层错ABC和BAC00011100纸面为00110001I2型堆垛层错滑移第94页/共116页插一层不同位置的原子第95页/共116页87654321A B C A B C A B C A B C A BA B C A B C A B C A B C A B87654321hcp： ABABAB. hcp：ABABCABABAB.在第5层插入C原子，第6层以上原子逐层上移一个原子间距，产生3个次近邻层错ABC、BCA和CAB.00011100纸面为00110001E型堆垛层错插入第96页/共116页第97页/共116页第98页/共116页第99页/共116页3体心立方晶体中的位错第100页/共116页第101页/共116页第102页/共116页第103页/共116页第104页/共116页第105页/共116页第1