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文档简介
1、1.300K时，Ge的本征电阻率为47Qcm,如电子和空穴迁移率分别为 3800cmWs和1800cm2/VS,试求本征Ge的载流子浓度。b严1¥1(几+仏)亠1'47 x 1.6 xlO"19x (3800+ 1800)2.37x10° cm31n比=PiQCPn+Mp)2、试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为 1350cm2/ (Vs)和500cm2/ (V s),当掺入百万分之一的As后，设 杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？b =+ “p)= 1.O2X1O10 X 1.6x10 19 x (135(
2、h- 500)= 3.02xl06硅的原子密度0x1022=>Nd = 5.0x1022x10 6 = 5.0xl016杂质完全电 fc>no = ND = 5.0xl016当杂质浓廈严50xl0"时，查團_14电子迁移率为:= 850忽略空穴对导电的贡>a = n(v/n=6.8a _6.8寸 302"0-6=2.25x1061=6、设电子迁移率为0. Im2/ (V s) , Si的电导的有效质量叫 =0.261110，加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平 均自由程。1.6x10 19“严绎=甘型空空学± = 1.48x10叫
3、mcq1.6x10“= O.lxlO4 = 103w/sl = vrn= 1.48x10 小 xlO3 = 1.48xlOlow7、长为2cm的具有矩形截面的Ge样品，截面线度分别为1mm和2mm,掺 有1022m-3受主，试求室温时样品的电导率和电阻。再掺入5>< 1022屮施主后，求室温时样品的电导率和电阻。NA = 1 .Ox 1022m3 = 1,0x 1016cm'3,经判断为强电离区。查图4-14b知，Ge中空穴在该 浓度下的迁移率ip = 150Gbm7( VS),cr = pqp* = l.OxIO16 x 1.602x10" x 1500= 2.
4、40 cm彳LL2R = p- = - = 41.70IS crS 2.4x0.1x0.2掺入5xlO22m'35£主后：n = ND-NA=4.0xl022m'3= 4.0 x 10,6cm-3Ni = ND + NA =6.0x10,6cm3查表4-14b知：Ge中电子在该浓度(Ni)下的迁移率j = 3000cn?/(VS)b = nqn =4.0x1016 x 1.602x1 O'19 x3000= 19.2S / cm5LL2R = p 一 = 5.2QIS bs 19.2x0XO2 14截面积为0.6cm2长为lcm的n型GaAs样品，设 n=1015cm3,试求样品的电阻。_ L _ 1 L _
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