第四章习题参考答案(第七版)_第1页
第四章习题参考答案(第七版)_第2页
第四章习题参考答案(第七版)_第3页
第四章习题参考答案(第七版)_第4页
第四章习题参考答案(第七版)_第5页
已阅读5页，还剩2页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、1.300K时，Ge的本征电阻率为47Qcm,如电子和空穴迁移率分别为 3800cmWs和1800cm2/VS,试求本征Ge的载流子浓度。b严1¥1(几+仏)亠1'47 x 1.6 xlO"19x (3800+ 1800)2.37x10° cm31n比=PiQCPn+Mp)2、试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为 1350cm2/ (Vs)和500cm2/ (V s),当掺入百万分之一的As后，设 杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？b =+ “p)= 1.O2X1O10 X 1.6x10 19 x (135(

2、h- 500)= 3.02xl06硅的原子密度0x1022=>Nd = 5.0x1022x10 6 = 5.0xl016杂质完全电 fc>no = ND = 5.0xl016当杂质浓廈严50xl0"时，查團_14电子迁移率为:= 850忽略空穴对导电的贡>a = n(v/n=6.8a _6.8寸 302"0-6=2.25x1061=6、设电子迁移率为0. Im2/ (V s) , Si的电导的有效质量叫 =0.261110，加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平 均自由程。1.6x10 19“严绎=甘型空空学± = 1.48x10叫

3、mcq1.6x10“= O.lxlO4 = 103w/sl = vrn= 1.48x10 小 xlO3 = 1.48xlOlow7、长为2cm的具有矩形截面的Ge样品，截面线度分别为1mm和2mm,掺 有1022m-3受主，试求室温时样品的电导率和电阻。再掺入5>< 1022屮施主后，求室温时样品的电导率和电阻。NA = 1 .Ox 1022m3 = 1,0x 1016cm'3,经判断为强电离区。查图4-14b知，Ge中空穴在该 浓度下的迁移率ip = 150Gbm7( VS),cr = pqp* = l.OxIO16 x 1.602x10" x 1500= 2.

4、40 cm彳LL2R = p- = - = 41.70IS crS 2.4x0.1x0.2掺入5xlO22m'35£主后：n = ND-NA=4.0xl022m'3= 4.0 x 10,6cm-3Ni = ND + NA =6.0x10,6cm3查表4-14b知：Ge中电子在该浓度(Ni)下的迁移率j = 3000cn?/(VS)b = nqn =4.0x1016 x 1.602x1 O'19 x3000= 19.2S / cm5LL2R = p 一 = 5.2QIS bs 19.2x0XO2 14截面积为0.6cm2长为lcm的n型GaAs样品，设 n=1015cm3,试求样品的电阻。_ L _ 1 L _

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 管理策划

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论