Array工艺过程

1、Page 1for working Smarter ArrayArray工艺技术工艺技术BOEOT QA/OQA刘卫民刘卫民2009 . 05 . 06.品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 2Six sigma for working smarter 一、Array工艺流程简介工艺流程简介二、Clean工艺简介工艺简介三、Sputter工艺简介工艺简介四、PECVD工艺简介工艺简介五、 Photo工艺简介工艺简介六、 Etch工艺简介工艺简介七、 Strip工艺简介工艺简介八、4 Mask和和5 Mask比较比较九、4Mask工艺流程工艺流程目目 录录品质、速度、团队品质、速度、团队

2、Page 3Six sigma for working smarter 一一. Array. Array工艺流程简介工艺流程简介成膜成膜 / Pattern工程详细图工程详细图(Deposition & Patterning Process in Detail)沉沉积积清洗清洗PRPR涂附涂附曝光曝光显影显影刻蚀刻蚀PRPR剥离剥离检查检查Wet EtchWet EtchDry EtchDry Etch品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 4Six sigma for working smarter 二、二、CleanClean工艺简介工艺简介 目的：目的： 除去基板表面影响成膜

3、的具有物理特性、化学特性、电学特除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露性的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰出干净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异物等。尘、异物等。 的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 5Six sigma for working smarter 二、二、 CleanClean工艺简介工艺简介Dry CleaningExcimer UV O3(

4、ozone) AsherPlasma Wet CleaningUltra SonicMega SonicBrush Cleaningbubble Jet CleaningSpray ShowerDetergent cleaningAqua-knife Shower品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 6Six sigma for working smarter 二、二、 CleanClean工艺简介工艺简介种类种类例子例子清洗方法清洗方法贴附粒子贴附粒子铝、不锈钢、玻璃铝、不锈钢、玻璃塑料塑料头屑、毛发、线头屑、毛发、线BRUSHBRUSHUS, CJUS, CJMSMS有机污染膜有机污

5、染膜油、指纹、残余物油、指纹、残余物空气、气体中有机物蒸汽空气、气体中有机物蒸汽洗剂（界面活性剂）残余物等洗剂（界面活性剂）残余物等洗剂洗剂UVUVMSMS无机污染膜无机污染膜气体，排管中的金属不纯物的气体，排管中的金属不纯物的贴附贴附纯水，药液中的不纯物离子的纯水，药液中的不纯物离子的吸附吸附自然氧化膜的形成自然氧化膜的形成超纯水超纯水化学清洗剂化学清洗剂品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 7Six sigma for working smarter 二、二、 CleanClean工艺简介工艺简介Initial cleanerInitial cleaner 在所有的玻璃基板拆包装后进

6、入生产线之前所必须在所有的玻璃基板拆包装后进入生产线之前所必须进行的清洗；进行的清洗；Pre depPre dep cleaner cleaner 在成膜之前经常要进行的清洗；在成膜之前经常要进行的清洗； 主要清洗主要清洗stripstrip之后残留的之后残留的particleparticle；Docking cleanerDocking cleaner 在在PECVDPECVD成膜之间进行的一步清洗；成膜之间进行的一步清洗； 去除去除PECVDPECVD高速沉积所留下的高速沉积所留下的particleparticle；品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 8Six sigma for

7、working smarter 三、三、 SputterSputter工艺简介工艺简介 Sputter Sputter和和PECVDPECVD在在ArrayArray的的5Mask5Mask工艺中，共同承担工艺中，共同承担 了各个了各个MaskMask的第一步主要工序的第一步主要工序-成膜。成膜。 SputterSputter用于做金属膜和用于做金属膜和ITOITO膜膜：S/DS/DITOITOGateGateGLASSGLASSGATEMo)GLASSGATEITOITO品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 9Six sigma for working smarter 三、三、 Spu

8、tterSputter工艺简介工艺简介SputterSputter是通过是通过DC PowerDC Power形成形成Plasma,Plasma,具有高能量的具有高能量的Gas IonGas Ion撞击撞击TargetTarget表面表面, ,粒子从粒子从TargetTarget表面射出并贴附到基板表面的工程。表面射出并贴附到基板表面的工程。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 10Six sigma for working smarter 三、三、 SputterSputter工艺简介工艺简介Sputter关键控制要素关键控制要素工艺参数工艺参数：本底真空和压力上升本底真空和压力上升，

9、气体压力和气体流量，气体压力和气体流量，溅射功率和溅射时间，加热温度，溅射功率和溅射时间，加热温度，TMTM值值质量控制（方法）质量控制（方法）： Rs(方块电阻方块电阻)， PI(测量测量particle数量数量)，Thickness(薄膜厚度薄膜厚度)，Stress(薄膜应力薄膜应力)品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 11Six sigma for working smarter GlassTargetBacking Plate共同板Magnet BarTMTM值：值：Target-Magnet Target-Magnet 间距离间距离 TMTM值对溅射的影响非常大，而随着值对溅

10、射的影响非常大，而随着TargetTarget的使用，的使用，TargetTarget会变薄，从而使会变薄，从而使TMTM值值变小，这时往往表现为变小，这时往往表现为RsRs均匀性变差。这就均匀性变差。这就要求要求Magnet BarMagnet Bar随着随着TargetTarget的使用量而进行的使用量而进行相应的调整。刚换完靶材后，相应的调整。刚换完靶材后，TMTM值比较小，值比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适当调整当靶材消耗到一定程度后，需要适当调整TMTM值，从而改善值，从而改善RsRs均匀性。均匀性。 三、三、 SputterSputter工艺简介工艺简介品质、速度、团队品质、

11、速度、团队 Page 12Six sigma for working smarter 三、三、 SputterSputter工艺简介工艺简介质量控制：质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（探针设备（4-probe）。控制值为）。控制值为Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。平均值（单位为方块电阻），均匀性。 PI是采用光学的方法测量薄膜上的是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为，主要为Dep中产生的中产生的particle数量，数量，Gate要求小于要求小于50ea,SD要求小于要求小于100ea，ITO要求小于要求小于150

12、ea. Thickness是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检设备。它是检测非透明薄膜厚度的常用手段。测非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所所dep的三层薄膜均可以用的三层薄膜均可以用a-step设备来设备来测试。另外，由于测试。另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。为透明膜，它也可以用光学方法来测试。 Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。质量控制中的质量控制中的Rs和和PI为经常测试项目，为经常测试项目，

13、Thickness和和Stress为非经常测试项目。为非经常测试项目。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 13Six sigma for working smarter 三、三、 SputterSputter工艺简介工艺简介 溅射功率：溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率就越高率就越高。 溅射时间：溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但

14、是考虑到金属一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。膜溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 14Six sigma for working smarter (1) SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体在衬底上成膜。(2) a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一系列初级、次级反应，生成包括离子、子活性基 团等较复杂的反应产物，最终生成a-Si:H薄膜沉积在衬底上，其中直接参与薄膜生长的主要是一些中性产物SiHn（n为

15、03）(3)n+ a-Si:H欧姆接触层：在SiH4气体中参入少量PH3气体通过辉光放电在衬底上成膜。绝缘膜、有源膜成膜机理绝缘膜、有源膜成膜机理(1)a-Si:H： 低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高(2) a-SiNx:H：i.作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率高，固定电荷 少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀。ii.作为钝化层，密度较高，针孔少。(3) n+ a-Si：具有较高的电导率，较低的电导激活能，较高的参杂效率，形成微晶薄膜。-成膜机理-膜性能要求 四、四、 PECVDPECVD工艺简介工艺简介品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 15

16、Six sigma for working smarter 四、四、 PECVDPECVD工艺简介工艺简介GlassGateSiNxa-Si:HSiNxS/DPVXOhmic多层膜多层膜( (有源层有源层) )和和PVX(PVX(保护层保护层) )品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 16Six sigma for working smarter 四、四、 PECVDPECVD工艺简介工艺简介 利用化学反应方式利用化学反应方式, ,将反应物将反应物( (气体气体) )生成固态的产物生成固态的产物, ,并沉积在基片并沉积在基片表面的薄膜沉积技术表面的薄膜沉积技术. .LayerLayer名

17、称名称膜厚膜厚使用气体使用气体描述描述MultiMultig-SiNx:Hg-SiNx:H3500350010%10%SiH4+NH3+N2SiH4+NH3+N2对对GateGate信号线进行保护和信号线进行保护和绝缘的作用绝缘的作用g-SiNx:Lg-SiNx:L50050010%10%a-Si:La-Si:L50050015%15%SiH4+H2SiH4+H2在在TFTTFT器件中起到开关作用器件中起到开关作用a-Si:Ha-Si:H1300130020%20%n+ a-Sin+ a-Si50050020%20%SiH4+PH3+H2SiH4+PH3+H2减小减小a-Sia-Si层与层与S

18、/DS/D信号线的信号线的电阻电阻PVXPVXp-SiNxp-SiNx2500250010%10%SiH4+NH3+N2SiH4+NH3+N2对对S/DS/D信号线进行保护信号线进行保护品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 17Six sigma for working smarter 四、四、 PECVDPECVD工艺简介工艺简介 PECVD PECVD设备主要由主设备和辅助设备构成设备主要由主设备和辅助设备构成, ,它是立体布局它是立体布局, ,主设主设备和辅助设备不在同一层备和辅助设备不在同一层. .品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 18Six sigma for wor

19、king smarter 五、五、 PhotoPhoto工艺简介工艺简介 光刻就是以光刻胶为材料在玻璃基板表面形成光刻就是以光刻胶为材料在玻璃基板表面形成TFT patternTFT pattern，这个，这个TFT patternTFT pattern的作用就是保护在它下面的金属或者其他的薄膜，使其在的作用就是保护在它下面的金属或者其他的薄膜，使其在下一道刻蚀工序中不被刻蚀掉，从而最终形成我们所需要的下一道刻蚀工序中不被刻蚀掉，从而最终形成我们所需要的TFT TFT patternpattern。Coat & Exposure DevelopmentGlassTFT Panel品质、

20、速度、团队品质、速度、团队 Page 19Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工艺简介工艺简介(1) 涂胶 Coater ： 将光刻胶通过涂胶这个步骤，均匀的涂在玻璃基板上。Coat三个主要步骤：他们是涂胶 Coater，曝光 Exposure，显影 Development此过程通过Track机单元来实现。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 20Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工艺简介工艺简介(2) (2) 曝光曝光ExposureExposureExposuremask通过

21、Mask的遮光作用，有选择性的将光刻胶感光。此过程通过曝光机来实现。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 21Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工艺简介工艺简介(3) (3) 显影显影 DevelopmentDevelopmentDEV通过化学作用将感光的光刻胶溶解去掉，将未感光的光刻胶固化。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 22Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工艺简介工艺简介 1. 光刻工序在整个阵列工序中起着承上启下的作用，它和其他两个阵 列工序一样，光刻工序使

22、用5MASK工艺处理玻璃基板，具体的说， 就是将最终要在玻璃基板上形成的TFT pattern 分成GATE ,ACTIVE , S/D , VIA ,ITO2 . 5个层，每次曝光形成一个层，最后叠加形成最终的TFT pattern 。 Photo Etching Thin filmTFT 阵列基板阵列基板玻璃基板玻璃基板5mask品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 23Six sigma for working smarter 五、五、 PhotoPhoto工艺简介工艺简介分为分为TRACKTRACK和曝光机两部分：和曝光机两部分： 曝光机曝光机利用光刻胶的光敏性将MASK上的图像

23、格式投影到玻璃基板上. 在PHOTO工序，除了曝光机以外的设备通称为TRACK机，包括-清洗设备：Advanced Scrubber;涂胶设备：Coater& ER;显影设备：Developer;烘烤设备：前烘Soft Bake、后烘Hard Bake设备；冷却Cooling设备等。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 24Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工艺简介工艺简介 PR Mask后，利用化学药剂去除薄膜形成Pattern,主要适于金属膜或ITO PATTERN的形成。 有利于选择比和大面积刻蚀的均匀度,生产性的提高,

24、成本的降低。湿法刻蚀湿法刻蚀: :干法刻蚀：干法刻蚀： 利用真空气体和RF Power 生成的Gas Plasma反应产生原子和原子团，该原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性物质或者发生碰撞。利用该原理可进行干法刻蚀。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 25Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工艺简介工艺简介Etch中的各向同性: 在各个方向上具有相同的刻蚀速率。Wet Etch 及部分Plasma Etch属于各向同性。SubstrateOxideOxideResistResistResistSubstrateOxideOx

25、ideOxideResistResistResist各向同性各向同性 vs. vs. 各向异性各向异性Etch中的各向异性: 刻蚀具有高度的取向性. 仅应用于Plasma Etch品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 26Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工艺简介工艺简介刻蚀液种类及配比：刻蚀液种类及配比：H3PO4 : CH3COOH : HNO3: H2O = 72 : 10 : 2 : 16 wt%HCl : CH3COOH : H2O = 22 : 6 : 72 wt%Al： 4AL +2HNO3 2AL2O3 + N2 + H

26、2 H3PO4 + AL2O3 AL(PO4) + H2OMo： 4Mo +2HNO3 2Mo2O3 + N2 + H2 H3PO4 + Mo2O3 Mo(PO4) + H2OCH3COOH 缓缓冲，冲，调节浓调节浓度度H2O减减少少 ETCHANT粘性粘性化学反应式：化学反应式：主要参数：主要参数：Temp：401Time：84sec（40+22+22)Type: Spray , Spray , Spray（飞沫）（飞沫）品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 27Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工艺简介工艺简介湿法刻蚀湿法刻蚀GAT

27、E ETCHGATE ETCHS/D ETCHS/D ETCHITO ETCHITO ETCHGATEGLASSIXOITO品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 28Six sigma for working smarter 六、六、 EtchEtch工艺简介工艺简介GlassGlassGatea-Si:H (1300)n+a-Si (500)a-Si:L (500)GlassGlassGatea-Si:Ha-Si:L (500)n+a-Si (500)GlassGlassGateP-SiNx(2500)Via hole干法刻蚀干法刻蚀Active EtchActive EtchN N+

28、 + Etch Etch VIA Hole EtchVIA Hole Etch品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 29Six sigma for working smarter 七、七、 StripStrip工艺简介工艺简介 WET STRIP即光刻胶的剥离。在ARRAY PROCESS中，每层顺序经过成膜（THIN FILM）曝光（PHOTO）刻蚀（ETCH）之后已经形成PATTERN，剥离就是在这些过程完成之后把用于在薄膜上形成PATTERN的光刻胶去掉，从而这一层膜的完整的工艺即告结束。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 30Six sigma for working s

29、marter Photo ResistThin FilmGlassExposureLightPhoto MaskStripThin FilmGlassPR coatingPhoto ResistDevelopEtchThin Film 八、八、4Mask与与5Mask比较比较品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 31Six sigma for working smarter 4Mask与5Mask不同之处在于4mask将Active层与S/D层一起沉积，涂覆PR胶后进行一次mask，在PR胶上形成一个凹坑。显影后进行第一次S/D层和Active层的刻蚀，然后Ashing使PR胶凹坑处露出

30、S/D层，接着进行第二次S/D层和N+层的干法刻蚀，最后进行剥离，同时完成这两层的全过程。 八、八、4Mask与与5Mask比较比较品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 32Six sigma for working smarter glassGlassPixelDataPassivation SiNxn+ a-Sia-SiGateinsulatorSiNxProcess5Mask4maskVia holeGate品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 33Six sigma for working smarter 4Mask工艺流程 1 .Gate process 2 .SDT p

31、rocess 3 .PVX process 4 .ITO process品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 34Six sigma for working smarter 目的:为形成Gate Line,通过光刻形成PR pattern 设备工艺流程：入口ConveyorEUVRoller Brush & AAJETExposureDehydration BakeAir KnifeCoaterLPDSpin CoaterPre-CoaterInterfacePre-BakeEBR姿势变换Out C/VDevelopTitlerAOIPost BakeAK置换水洗和直水洗品质、速

32、度、团队品质、速度、团队 Page 35Six sigma for working smarter glasscleaningInitial Cleaning品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 36Six sigma for working smarter glasssputtersputterGate LayerGate Layersputter- 利用气体轰击金属靶材，将金属原子溅射到玻璃基板上，形成Gate（栅电极）层DepositionDeposition品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 37Six sigma for working smarter Sputter

33、ChamberTransfer ChamberL/UL ChamberTransfer System- Sputter Equipment品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 38Six sigma for working smarter Cleaning目的：要在PR涂敷之前对玻璃基板进行彻底清洁，便于增强玻璃基板与PR的粘合力，同时避免玻璃基板上的污物导致Mura产生。将玻璃基板从水平状态变换为倾斜状态。ConveyorEUV在一个封闭的chamber内通过紫外光(UV)照射使O2电离生成O3，进而将有机物氧化Roller Bush & AA jet沿着玻璃基板传送的方向分别

34、要经过Pre-wet, Roller Brush, AA-Jet, 中间Spray, 直水洗5部分。AK (Air Knife)此单元通过Air knife喷出的干燥高压空气对玻璃基板进行干燥，Air knife上下各有一个。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 39Six sigma for working smarter -Bake-Bake Hot Plate (HP)：HP用于对玻璃基板进行加热处理HP采用近距离加热方式，玻璃基板与plate之间距离为0.3mm，采用热辐射的形式加热。 Cooling Plate (CP)：CP用于对玻璃基板进行冷却处理Cooling plate

35、中采用冷却循环水进行热交换，玻璃基板与plate之间距离为0.3mm，采用热辐射的形式冷却。 密着强化单元 (AP)：AP用于对玻璃基板进行附着力强化处理，通过HMDS蒸汽向玻璃表面涂敷一层HMDS薄膜，此物质具有亲玻璃和亲PR胶两种特性，在它的作用下使玻璃基板与PR之间的附着性加强。 中间冷却单元 (IMC)：Intermediate Cooling用于在加热之后对玻璃基板进行自然冷却。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 40Six sigma for working smarter PRSlitScan directionMax scan speed=120mm/secPre-co

36、ater在玻璃基板上涂上光刻胶，然后在在玻璃基板上涂上光刻胶，然后在EBR部分将玻璃基板周围的部分将玻璃基板周围的PR胶去除，以胶去除，以免滴落污染设备，光刻胶是见光后性质就发生改变的物质，曝光后再显影便免滴落污染设备，光刻胶是见光后性质就发生改变的物质，曝光后再显影便形成与形成与MASK一样的图形（正性光刻胶）一样的图形（正性光刻胶）.-PR Coater-PR Coater品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 41Six sigma for working smarter - Interface- InterfaceInterface：是Track设备与曝光机的接口设备。主要包括五部

37、分：基板接收部；基板传送部；搬送Conveyer；Buffer；MHU基板接收部：受取Pin从Pre-bake的MHU接收到基板后，位于stage对角的两个整列Pin对基板进行位置调整，然后stage进行旋转调整以便满足基板的曝光方向要求。Buffer (BF)：在Track部分与曝光部分的生产节拍出现脱节时，将玻璃基板暂存于Buffer中，起到缓冲的作用。搬送Conveyer：玻璃基板由传送部传送到搬送C/V后，C/V上的整列Guide对玻璃基板位置进行调整，然后向下一单元进行搬送。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 42Six sigma for working smarter g

38、lassmaskmaskPhoto Aligner扫描曝光方式（scanner）： 高压水银灯发出的UV光通过光路传导到 Arc Slit forming Unit后变成弧形光，再通过UM光学系统使光线平行,之后垂直照在Mask,将mask上的图形成像在Plate上。曝光时Mask和Plate同时运动完成曝光.品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 43Six sigma for working smarter p Gate层所镀膜的材料及膜厚： AlNd：3000 Mo：400ParameterParameterp Gate层所镀膜的功率；Ar流量；压力： AlNd/Mo=100/90W

39、； 200sccm；0.3Pap Gate层Particle标准： 5 40eap Gate层Rs标准： 0.350.1/p Gate层Sputter溅射温度： 120（其中L/UL Chamber预热温度为130，Sputter Chamber温度为220）p Gate层所用设备： #ATSP01、 #ATSP02、 #ATSP03品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 44Six sigma for working smarter AlignerAligner曝光机的全称是MIRROR PROJETION MASK ALIGNER(镜像投影MASK对位仪)，它的作用是对涂好光刻胶的玻璃

40、基板进行曝光，所采用的方式就是利用光刻胶的光敏性将MASK上的图像格式投影到玻璃基板上.机械预对位工序机械预对位工序：这个工序的目的是检测玻璃基板在PLATE CHUCK上的位置。AFC（聚焦度（聚焦度检测检测）工序）工序 ：这个工序的目的是位了调整MASK的像在玻璃基板上的清晰度曝光扫描工序曝光扫描工序：这个工序就是对玻璃基板进行曝光扫描。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 45Six sigma for working smarter DeveloperDeveloperDeveloper：显影单元，曝光后，被光照射过的PR胶性质发生变化而溶于显影液。此处就是将已经曝光的光刻胶溶解

41、掉，使PR形成据有TFT形状的薄膜，同时还要进行显影后的清洗和干燥处理。品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 46Six sigma for working smarter glass- 金属层一般用湿法刻蚀的方法（混合酸液）Wet EtchWet Etch品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 47Six sigma for working smarter Wet EtchWet EtchEtch RateRequirementItemsUniformitySeletctivityProfileCD BaisRequirement Items of Wet Etch品质、速度、团队

42、品质、速度、团队 Page 48Six sigma for working smarter glassgategateGate Strip目的:去除Gate Pattern上的PRSTRIPSTRIP就是利用腐蚀液经过化学反应去掉膜上面的光刻胶。化学反应主就是利用腐蚀液经过化学反应去掉膜上面的光刻胶。化学反应主要是把光刻胶的长链结构断开，从而达到去除的目的。要是把光刻胶的长链结构断开，从而达到去除的目的。StripStrip品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 49Six sigma for working smarter glassN+ a-siN+ a-sig-SiNxg-SiNxa

43、-sia-siglasscleaningPre Dep CleaningMutli Layer : PECVD（离子增强化学气相沉积）- g-SINx- g-SINx：绝缘层绝缘层- a-SI- a-SI：半：半导导体体层层- N+ a-SI- N+ a-SI：参杂参杂半半导导体体品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 50Six sigma for working smarter glassPre Dep Cleaning, SD Dep,- 沉积前对基板进行Cleaning，去除PT，有机物。sputter- 利用气体轰击金属靶材，将金属原子溅射到玻璃基板上，形成SD（Source/D

44、rain源漏电极）层。cleaningSD LayerSD Layer：MOMO品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 51Six sigma for working smarter GT Exposal DevelopglassGray ToneFull ToneFull Tone利用光栅或半透膜降低光照强度使中央部分的光刻胶一部分变性品质、速度、团队品质、速度、团队 Page 52Six sigma for working smarter glassglass1st SD Etch-Wet EtchActive Etch-Dry Etch-利用真空气体和RF Power 生成的Gas Plasma反应产生原子和原子