石墨烯及其聚合物复合材料的研究

1、西北师范大学化学化工学院 化学工程与工艺1班 刘兴刚 201431020112石墨烯及其聚合物复合材料的研究刘兴刚（西北师范大学化学化工学院 兰州 730070）摘要：近些年来, 石墨烯以其独特的结构和优异的性质成为备受瞩目的研究前沿和热点。石墨烯作为纳米增强组分, 少量添加可以使聚合物的物理性能得到大幅地提高。本文就石墨烯及其在聚合物复合材料的研究进展进行了综述, 着重阐述了现已工业化制备石墨烯的氧化还原法, 以及石墨烯/ 聚合物复合材料的制备方法(溶液共混、原位聚合和熔融共混) 和性能(电学性能、导热性能、力学性能、热性能以及气体阻隔性能) , 并指出其待解决的关键技术及工业化前景。关键词

2、：石墨烯;；制备；聚合物Research Progress of Graphenebased Composite MaterialsLiu Xinggang(College of Chemistry and Chemical Engineering，Northwest Normal University ，Lanzhou,730000)Abstract:Recent ly graphene has at tr acted much at tent ion due to it s unusual mo lecular st ructure and its excel lent propertie

3、s. When incor por ated as the compo nent of enhancement , graphene can significantly improve the physical properties of host polymers at ext remely small loading. In this review, we summarized the status of graphene and the prog resses o f it s nanocomposites. Part icularly ,the reduct ion of graphe

4、ne ox ide which has been indust rialized in producing the graphene, the preparation methods ( so lut ion blending, in situ polymerizat io n and melt blending ) and the propert ies(elect rical conduct ivity, thermal conduct ivity, mechanical, thermal and gas barrier pro pert ies ) of graphene / polym

5、er nanocomposites were descr ibed. Also, challenges and futur e perspect ives for this new class of nanocomposites have been int roduced.Key words:Graphene; Preparat ion; Composite引言自2004年英国曼彻斯特大学的物理学教授Geim等1 用微机械剥离法制备并观测到单层石墨烯(Graphene)以来, 石墨烯以其独特的结构和优异的性质迅速获得科学界的青睐。这种厚度仅为0.335nm的碳材料具有超高的强度2 , 优良的导

6、电性能, 是能隙为零的半导体3 , 而且还具有良好的导热性4 , 以及室温量子霍尔效应5 和室温铁磁性6 等特殊性质。研究者普遍预测石墨烯在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域具有重大的应用前景, 可望在21世纪掀起一场新的技术革命。石墨烯/聚合物复合材料作为石墨烯实际应用的重要领域之一, 也备受研究者的关注。石墨烯作为纳米增强组分, 少量添加可以使聚合物的电学性能、导热性能、力学性能、热性能以及气体阻隔性能得到大幅提高。添加石墨烯所产生的效果相当于同时添加层状硅酸盐和碳纳米管7 。石墨烯/聚合物复合材料在航空、电子以及包装材料等领域展示出良好的应用前景。本文总结了近几年来石墨烯聚合物复合材

7、料所取得的主要进展, 并指出其待解决的关键技术及工业化前景。一、石墨烯的制备石墨烯聚合物复合材料要想真正实现工业化应用, 石墨烯的大规模、低成本、可控的合成和制备是首要问题。目前制备石墨烯的方法主要包括4种: (1) 微机械分离法3, 8 ; (2) 外延生长法9, 10 ; (3) 化学气相沉积法11, 12 ; (4) 氧化石墨烯还原法 13 15 。其中, 微机械分离法制得的石墨烯产量少, 不适合工业大规模应用。外延生长法和气相沉积法可以制备大面积、高质量的石墨烯, 非常适合基础研究以及在电子领域的应用, 但目前的生产规模难以达到满足制备石墨烯/ 聚合物复合材料的需求。现在已经成功实现大

8、规模生产石墨烯的方法是氧化石墨烯还原法。氧化石墨烯还原法是指先通过化学氧化将石墨氧化成氧化石墨, 然后利用外力剥离(如超声剥离) 得到氧化石墨烯( Graphene oxide, GO) , 最后再通过化学还原、热膨胀还原等手段制备相应的石墨烯。这种方法工艺条件简便, 原料易得而且产率高。氧化石墨的首次合成可以追溯到1859年的Brodi法16 , 此后又出现了 Staudemaier 法17和Hummers法18 。这三种方法都是用强质子酸(如浓H2SO4、发烟HNO3或它们的混合物)处理天然石墨, 然后加入强氧化剂(如KM nO 4、KClO 4等) 对其进行氧化。相比较而言, Humme

9、rs 法较为安全, 是目前实验室最常用的方法。采用不同制备方法、不同反应时间和操作过程所制备的氧化石墨的化学组成和具体结构各不相同。经进一步剥离后得到的氧化石墨烯可以在稀碱溶液和纯水中分散形成稳定的胶状悬浮液。通过一定的表面处理后, 氧化石墨烯也可以分散于有机溶剂中。制得的氧化石墨烯必须经过还原才能得到石墨烯, 目 前还原氧化石墨烯的方法主要有化学还原、热膨胀还原、辐照还原等等。化学还原是利用阱13 、硼氢化钠19 、对苯二酚20等作为还原剂, 与氧化石墨烯在一定条件(如加热)下反应, 但是这些还原剂对人和环境都有着一定的危害。郭守武等21 提出采用抗坏血酸为还原剂, 在不添加稳定剂的条件下,

10、 利用氢键作用, 制备可稳定分散的厚度为 0.8 1.2nm单层石墨烯。 Fern ndez-M erino 等 22 也认为抗坏血酸是一种理想的还原剂, 可以替代阱用于氧化石墨烯的还原。热膨胀还原是利用氧化石墨在瞬间高温下, 层间的含氧官能团转化为CO2、H2O等小分子逸出, 使得石墨片层克服层间范德华力发生剥离, 同时氧含量下降的一种石墨烯还原方法。Schniepp 等23报道将少量完全干燥的氧化石墨粉末置于封闭的石英管中, 在氩气保护下高温1050处理30s, 可以制备仅带有少量含氧官能团的单层石墨烯。不同温度下还原的石墨烯的结构和氧含量不一样。通常FGS( functionalized

11、 graphene sheet) 和TRG( thermally reduced GO) 都用来表示热还原制备的石墨烯。辐照技术是近十几年发展起来的处理材料的高新技术, 已经广泛用于高分子的合成、改性以及在生物、医药卫生等方面, 不仅效率高, 而且工艺简单, 可以在室温、无催化剂的情况下使用24, 25 。Williams等26 利用 紫外辐照的方法成功地使悬浮在乙醇中的氧化石墨烯接受二氧化钛(TiO2) 经紫外辐照产生的电子而还原成石墨烯。赵兵等27 采用电子束辐照法制备石墨烯, 该方法不仅可以制备石墨烯, 而且可以在常温下一次性反应制备各种氧化物纳米颗粒复合的石墨烯基纳米材料。然而, 无论

12、采用哪种还原方法, 都无法得到结构完整的石墨烯。因为在制备氧化石墨烯的过程中, 石墨的C-C键断裂, 共轭结构遭到破坏, 以至于得到的氧化石墨烯为绝缘体。还原过程是对sp2 键接的石墨烯网结构进行修复, 使之脱氧实现重石墨化。Boukhvalov等28从理论上计算, 当石墨烯氧化物被还原到O/C=25% 状态时会发生从绝缘体到导体的转变。一般采用化学还原法制备的石墨烯O/ C =14% 29 , 热还原的O/ C= 10% 30。Pan等 31比较这三种还原方法后发现采用电子束辐照制备的石墨烯的结构缺陷最多, 但却更有利于用于高容量的锂离子电池。图1 石墨烯结构图二、石墨烯/ 聚合物复合材料的

13、制备 结构完整的石墨烯表面是由不含任何不稳定键的六元环组合而成的二维晶体, 其表面呈惰性状态,与聚合物相互作用力小, 而且石墨烯片层之间有较强的范德华力, 容易产生聚集, 很难在聚合物基体中分散, 这严重影响了石墨烯在聚合物改性中的应用。目前制备石墨烯/ 聚合物复合材料的方法可分为溶液共混、原位聚合和熔融共混三种。2.1 溶液共混尽管石墨烯的主体部分由稳定的六元环构成, 但采用氧化石墨烯还原法制备的石墨烯其边沿及缺陷部位具有较高的反应活性, 含有大量的羧基、羟基和环氧键等活性基团, 可以利用多种化学反应对石墨烯进行共价键功能化。这是目前最常用的改善石墨烯与聚合物基体相容性的方法。Ruoff 等

14、 32 将异氰酸酯功能化氧化石墨烯( isocyanate-Graphene Ox ide, iGO) 与聚苯乙烯在DMF 溶液中混合, 随后加入二甲基阱对其还原, 制备了石墨烯/ 聚苯乙烯导电复合材料, 石墨烯含量为25vol% 时, 该复合材料导电率到达了1S/ m。Chen等33 在DMF 溶液中制备了磺酸基以及异氰酸酯功能化的石墨烯与热塑性聚氨酯(TPU)的复合材料, 实验发现只需加入1w t%的石墨烯, 就可以使该复合材料的强度提高75%, 模量提高120%, 而且该复合材料具有很好的红外光响应性。另一种溶液共混的方法是将热还原法制备的石墨烯与聚合物直接共混。因为热还原法制备的石墨烯

15、近乎完全剥离, 可以在有机溶剂(如丙酮、乙醇、DMF) 中经超声分散成悬浮液。Ansari 等 34 用热还原制备的石墨烯与聚偏二氟乙烯在DMF 溶液中进行复合, 发现石墨烯有利于聚偏二氟乙烯形成B型晶体,含4w t%石墨烯的样品, 其杨氏模量比纯的聚偏二氟乙烯提高了近两倍, 石墨烯/ 聚偏二氟乙烯纳米复合材料的导电逾渗值为2w t%, 而且石墨烯/ 聚偏二氟乙烯纳米复合材料的电阻率随温度的升高反而降低。Yoonessi 等35 采用乳液以及溶液共混的方法制备石墨烯/双酚A聚碳酸酯纳米复合材料, 该复合材料的导电逾渗值分别为 0.14 和 0.38vo l% 。2.2原位聚合原位聚合是指将单体

16、与石墨烯进行预先混合, 使单体分子插入石墨烯层间, 然后再引发聚合。Ye等 36 用过氧化二苯甲酰( BPO) 做引发剂, 苯乙烯和丙烯酰胺与石墨烯共聚, 制备的聚苯乙烯-聚丙烯酰胺(PS-PAM) 嵌段共聚物改性的石墨烯既能溶解于水, 也能溶解于二甲苯, 并且该石墨烯作为添加物, 可以在多种聚合物中均匀分散, 使其在聚合物复合材料等领域有很好的应用前景。除了自由基聚合外, 开环聚合和配位聚合也都可用以制备石墨烯/ 聚合物复合材料。例如Xu 等 37 将己内酰胺与氧化石墨烯混合后, 通过开环聚合制备了尼龙6/ 石墨烯复合材料, 在聚合的同时实现了氧化石墨烯的还原, 而且尼龙6有效地接枝在石墨烯

17、片上, 形成刷状结构。该方法使得石墨烯均匀地分散在尼龙6中, 并降低了尼龙6的结晶度。利用熔融纺丝将该材料制成纤维, 仅0.1w t% 的石墨烯就可以使拉伸强度提高21倍, 杨氏模量提高214倍。Huang 等 38 利用Ziegler-N at ta 催化首次制备了PP/ GO 纳米复合材料, 而且氧化石墨烯含量为4.9w t%时, 该复合材料导电率到达了0.3S/ m。2.3 熔融共混熔融共混是制备复合材料最经济的方法。但由于大部分功能化的石墨烯热力学不稳定, 而且化学还原制备的石墨烯容易发生团聚, 目前用于熔融共聚的往往都是热膨胀法制备的石墨烯。例如Macosko等 39 将石墨和石墨烯

18、分别与PC 熔融共混, 发现达到逾渗值时石墨的添加量为3 5w t% , FGS 仅为1.0 1.5w t%, 延长退火时间, FGS 的添加量甚至只需要0.5w t% 。聚合物纳米复合材料的性质很大程度上取决于纳米填料在聚合物中的分散情况。石墨烯虽然不像碳纳米管那样容易缠结, 但石墨烯相互之间会产生团聚, 这也会影响石墨烯在聚合物中的增强以及导电等效果。Macosko 等 40 分别采用异腈酸酯处理过的氧化石墨烯(iGO) 和热还原剥离的石墨烯(TRG) ,分别采用三种不同方法)溶液共混、原位聚合和熔融共混进行分散, 制备了石墨烯与热塑性聚氨酯(TPU) 的复合材料, 结果发现溶液共混更有利

19、于石墨烯分散, 采用溶液共混制备的复合材料中只要含有0.5w t% 的石墨烯就具有导电性, 添加3wt% 的iGO 或者TRG 使拉伸模量提到3 10倍, N2 的透过率减少80 90%; 原位聚合法虽然也是在溶液中进行, 但是石墨烯的存在会破坏TPU基体之间的氢键作用,影响材料的性能。三、石墨烯聚合物复合材料的性能图2 石墨烯所具备的最强性质及其他材料所不具备的独特性质3.1 导电性能石墨烯是目前已知的导电性能最出色的材料, 其载流子迁移率达15000cm2#V- 1#s- 1 41 , 是目前已知的具有最高迁移率的锑化铟材料的两倍, 超过商用硅片迁移率的10倍以上。目前已制备导电的石墨烯/

20、聚合物复合材料包括: 聚烯烃 42 、乙烯基 13, 34, 42 45 和丙烯酸基类 46, 47 聚合物、聚酯 39, 42, 48 、聚酰胺 42 、聚氨酯 40, 49, 50 、环氧树脂 51 、天然和合成橡胶 52 。这些材料可以用于电磁屏蔽 51, 53 、抗静电涂层、导电涂料 54 等各个领域, 其中超级电容器是目前研究者关注较多的领域。Chen 等 55 以石墨烯为电极材料制备的超级电容器功率密度为10kW/ kg, 能量密度为2815Wh/ kg, 最大比电容为205F/ g, 而且经过1200次循环充放电测试后还保留90 % 的比电容, 拥有较长的循环寿命。Yan 等 5

21、6 制备的以石墨烯为支撑材料的聚苯胺石墨烯复合物拥有的比电容( 1046F/ g) 远远大于纯聚苯胺的比电容( 115F/ g) 。此外, 采用溶液共混制备的石墨烯聚合物复合材料达到导电逾渗值所需的石墨烯的量( 0.3vol% ) 比熔融共混的量( 0.8vo l% ) 小 40 , 而且石墨烯的分散性以及复合材料的导电性很大程度上取决于石墨烯的还原条件以及与聚合物基体的相容性。Rug hu50 与Macosko 40 分别制备了石墨烯/ 热塑性聚氨酯复合材料, 但达到逾渗值所添加的石墨烯的量分别为0.3vo l%和1.0v ol%。Steurer 等 42 在同样的条件下制备的石墨烯/ SA

22、 N、PC、PP、PA6 复合材料, 达到逾渗值所需的TRG 的量分别为1.9v ol%、1.3vol% 、2.0vol% 和3.8vol% 。3.2 导热性能石墨烯不仅具有良好的导电性能, 而且其导热性能也十分优异。有报道称石墨烯的导热性能优于碳纳米管 57 。普通碳纳米管的导热系数为3000W/ ( m#K ) , 而单层石墨烯的导热系数可达5300W/ ( m#K) , 甚至有研究表明其导热系数高达6600W/ ( m#K) 。优异的导热性能使得石墨烯可以用于小型化电子元器件 58 60 、导热涂料 61 、热驱动的形状记忆聚合物 62 的热管理。但是经过氧化还原法制备的石墨烯的热导率较

23、低, 仅为0.14 2.87W/ ( m#K) 63 , 这可能是由于在氧化还原的过程中, 石墨烯的结构被破坏, 晶格缺陷阻止了热传导的作用。另外, 石墨烯的剥离程度、取向以及界面的相互作用都会影响复合材料的热传导。目前, 采用石墨烯片GNP( g raphite nanoplatelet ) 提高其复合材料的热传导性的聚合物包括: 环氧树脂 64 66 、PP 67 、PE 68 、PA 68 以及石蜡 69 。Yu 等 64 研究结果表明, 当石墨烯片的添加量为25vol% , 环氧树脂的热导率达到6.44 W/ ( m#K) , 比纯环氧树脂的增大30倍。3.3 力学性能石墨烯被认为是目

24、前世界上强度最高的物质, 添加石墨烯可以增强聚合物的力学性能。Kim 等 40比较iGO 和TRG 在不同加工条件下对热塑性聚氨酯力学性质的影响, 他们发现iGO 和TRG 对拉伸模量的增加相当, 采用溶液共混制备的复合材料的刚性较熔融共混的大, 他们认为刚性的增强一方面是由石墨烯片层的长度决定而不是完全伸展的比表面积, 另一方面熔融过程中颗粒可能会团聚。Kor atkar等 70 72 分别选用石墨烯、单壁碳纳米管和多壁碳纳米管填充环氧树脂, 实验发现添加石墨烯的环氧树脂的杨氏模量提高31% , 拉伸强度提40% , 韧性提高53%, 这些结果均高于单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。他们认为石墨烯

25、有三个显著优势好于其它碳纳米材料: 第一个优势是石墨结构表面的粗糙和褶皱(由表面高密度的瑕疵导致) 。这些瑕疵和褶皱使得石墨烯片材表面和基体材料中的环境紧紧扭结在一起, 有助于提高两种材料界面间基体材料对石墨烯填充物的压力传递和负荷转移; 第二个优势是石墨烯的表面区域。作为一个平的片状材料, 石墨烯跟基体材料环境之间比管状的纳米管材料有着更大的接触面。这是因为聚合物链不能够进入纳米管材料的管内, 仅仅是在顶部和底部表面跟碳纳米管材料结合,而石墨烯片材跟聚合体基体结合得更好; 第三个优势是石墨烯的几何结构。当复合材料结构中的一个细小裂缝遭遇了一个二维石墨烯片材, 这些裂纹就会转向, 或者被迫在片

26、材周围(对它) 施加倾斜力或扭曲力。这个过程能减少复合材料细小裂纹的继续蔓延发展并消化掉这种(破坏性)能量。使裂纹偏转对于二维片材, 尤其是有着高比度的石墨烯来说, 比一维碳纳米管材料更有效。他们提出石墨烯应该成为风机或飞机机翼所用复合填充材料第一选择。但是, 也有人发现添加刚性填料在增大拉伸模量的同时会导致断裂伸长率严重下降。例如Nguyen等 50 在添加1.5vol% 的石墨烯使得TPU 的模量提高43%, 而断裂伸长率下降15% 。Steurer 等 42 分别在SAN、PC、PP、PA6 添加2.3vol%、2.5vol %、1.9vol%、2.4vol % 的TRG, 使得材料的模

27、量分别提高34%、53%、4 3%、32% , 而断裂伸长率却分别下降58%、98%、99%、94%。3.4 热性能石墨烯的加入还会影响聚合物的玻璃化转变温度T 46, 73, 74 和结晶动力学 34 。这主要是因为添加石墨烯以后, 聚合物链的运动受到限制。Ramanathan 等 73 系统研究发现石墨烯的加入可以使聚甲基丙烯酸甲酯的模量、强度、玻璃化转变温度和热分解温度大幅度提高, 并且石墨烯的作用效果远远好于单壁碳纳米管和膨胀石墨; 其中加入0.05w t%T RG, 聚甲基丙烯酸甲酯的玻璃化温度提高30 , 1w t%的TRG,使得聚丙烯腈的玻璃化转变温度提高46。此外, 石墨烯能促

28、进聚合物成核结晶。例如加入GO 75, 76 或者TRG 77, 78 的PCL 和PVA , 熔融温度增高, 结晶度增大。这是由于极性的聚合物链与功能化的石墨烯表面有很强的界面作用。但也有报道称添加石墨烯会抑制聚合物的结晶。例如共价键接枝的氧化石墨烯导致半结晶的聚乙烯醇变成完全无定型74 。3.5 透气性无缺陷的石墨烯对所有气体分子都具有不透过性79 。石墨烯添加到聚合物中可能形成大面积的隔膜, 气体阻隔性比单壁碳纳米管、多壁碳纳米管或者碳纤维更好。Kalait zidou 等67 报道相同添加量下石墨烯薄片对减低氧气的透过率明显好于炭黑和碳纤维, 甚至好于蒙脱土。而且采用溶液共混法制备的复

29、合材料对气体的阻隔效果比熔融共混的好, 说明采用溶液共混的方法石墨烯分散得更好, 这与前面提到的导电性能以及力学性能结果是一致的。四展望在短短的几年间，石墨烯从一个新生儿快速成长为科学界的新星，自身优异的性能渐渐被发掘和开发，但在石墨烯的研究与应用中仍然存在很多挑战：第一，如何大规模制备高质量石墨烯；第二，石墨烯的很多性质尚不清楚，如电子性能，磁性等；第三，探索石墨烯新的应用领域，目前最有前景的应用有晶体管、太阳能电池和传感器等，不同的应用领域对石墨烯的要求也不同；第四，开拓石墨烯和其它学科的交叉领域，探索石墨烯功能化的新性能。目前有机化学家和材料化学家二者结合，致力于找到更好的合成路线，制备

30、高质量的石墨烯。工程师们也在为开发石墨烯的各种优异的性能而制备更好的器件努力。石墨烯作为很多领域非常有潜力的替代材料，还存在很多问题，有待进一步深入研究。参考文献: 1 Novos elov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grig ori eva I V, Firsov A A. Science, 2004, 306: 666 6691 2 Lee C G, Wei X D, Kysar J W, H on e J. Science, 2008, 321: 385 3881 3 Novos elov K S

31、 , Geim A K, Morozov S V, J iang D, Kat sn els on M I, Grigorieva I V, Du bonos S V, Fir sov A A. Nature, 2005, 438( 7065) : 197 2001 4 Balandin A A, Gh osh S, Bao W Z, C aliz o I, T ew eldebrh an D, M iao F,L au C N. Nano Let t , 2008, 8( 3) : 902 9071 5 Novos elov K S , Jian g Z, Zhang Y, M oroz o

32、v S V, St ormer H L, Zeit ler U, M aan J C, Boeb inger G S, Kim P, Geim A K. Science, 2007,315: 1379 13871 6 Wang Y, H uang Y, S ong Y, Zhang X Y, Ma Y F, Liang J J , Chen Y S. Nan o Lett , 2009, 9( 1) : 220 2241 7 Kim H , Abdala A A, Macosk o C W. Macrom ol ecul es , 2010, 43( 16) : 6515 65301 8 No

33、vos elov K S , Jian g D, Sch edin F, Booth T J ,K hotk evich V V, Morozov S V, Geim A K. Proc Nat l Acad Sci USA, 2005, 102 ( 30) :10451 104531 9 Lan d T A, M ichely T, Behm R J, H emm inger J C, Comsa G. S urf Sci, 1992, 264( 3) : 261 2701 10 Berger C, S ong Z, Li X, Wu X, Brow n N, Naud C, Mayou D

34、, Li T , H as s J, Marchenkov A N, Conrad E H , Fi rst P N, W. A. de H eer.Science, 2006, 312: 1191 11961 11 Eizenberg M, Blakely J M. Surf Sci, 1979, 82( 1) : 228 2361 12 Kim K S, Zhao Y, Jang H, L ee S Y, Kim J M , Kim K S, Ah n J-H , Kim P, Ch oi J-Y, Hong B H . Natu re, 2009, 457( 7230) : 706 71

35、01 13 St an kovich S, Dikin D A, Pin er R D, Kohlhaas K A, Klein ham mes A, Ji a Y Y, Wu Y, Nguyen S T, Ruof f R S. Carbon, 2007, 45( 7) :1558 15651 14 Li D, Mul ler M B, Gil je S, Kaner R B, Wallace G G. Nat Nanot echnol, 2008, 3( 2) : 101 1051 15 Cot e L J , Kim F, H uang J X. J Am Chem S oc, 2009

36、, 131( 3) : 1043 10491 16 Brodie B C P. Trans R S oc. 1859, 149: 249 2591 17 St au denm aier L. Ber Dt sch Ch em Ges, 1898, 31( 2) : 1481 871 18 H ummers W S, Off em an R E. J Am Chem Soc, 1958, 80( 6) : 1339 13391 19 Musz ynski R, Seger B, Kamat P V. J Phys Ch em C, 2008, 112( 14) : 5263 52661 20 W

37、ang G X,Yang J, Par k J , Gou X L, Wang B, Liu H, Yao J . J Phy s C hem C, 2008, 112( 22) : 8192 81951 21 郭守武, 张佳利. CN 101602504A. 20091# 42 # 高 分 子 通 报 2012 年 3 月 22 Fernn dez-Merino M J , Gu ardia L, Par edes J I, Vill ar-Rodil S, Sols-Fernndez P, Martn ez-Alons o A, Tascn J M D. J Phys C hem C,20

38、10, 114( 14) : 6426 64321 23 Sch niep p H C, L J-L, McAllist er M J, S ai H , Herrera-Alons o M, Adamson D H , Prud'homm e R K, Car R, S avill e D A, Aksay I A. JPhys Chem B, 2006, 110( 17) : 8535 85391 24 Machi S. Radiat ion Phys Ch em, 1996, 47( 3) : 333 3361 25 Clough R L. Nucl In st rum Meth

39、 ods Phys Res B, 2001, 185: 8 331 26 Wil liam s G, S eger B, Kamat P V. ACS Nano, 2008, 2( 7) : 1487 14911 27 赵兵, 潘登余, 王松, 蒋永, 焦正, 张海娇, 陶海华, 庄华, 张国华. CN 101559941A, 20091 28 Boukhvalov D W, Kat sn els on M I. J Am Chem S oc, 2008, 130( 32) : 10697 107011 29 胡耀娟, 金娟, 张卉, 吴萍, 蔡称心. 物理化学学报, 2010, 26( 8)

40、 : 2073 2086 30 H ann es C S, Li J L, M ichael J M, H iroaki S , Margarit a H A, Dougl as H A, Robert K P, Robert o C, Dudley A S , Ilhan A A. J PhysChem B, 2006, 110( 17) : 8535 85391 31 Pan D Y, Wang S, Zhao B, Wu M H, Zhang H J, Wang Y, Jiao Z. Chem M at er, 2009, 21( 12) : 3136 31421 32 St an ko

41、vich S, Dikin D A, Domm et t G H B, Koh lhaas K M, Zimney E J, St ach E A, Piner R D, Nguyen S T, Ruof f R S . Nature, 2006,442( 7100) : 282 2861 33 Lian g J J, Xu Y F, H uang Y, Zhan g L, Wan g Y, Ma Y F, Li F F, Gu o T Y, Chen Y S. J Phys Ch em C, 2009, 113( 22) : 9921 99271 34 Ansari S, Giann eli

42、s E P. J Pol ym S ci Part B: Polym Phys, 2009, 47( 9) : 888 8971 35 Yoon ess i M, Gaier J R. AC S Nano, 2010, 4 ( 12) : 7211 72201 36 Shen J F, H u Y Z, Li C, Chen Qin, Ye M X. Small, 2009, 5( 1) : 82 851 37 Xu Z, Gao C . Macromolecules, 2010, 43( 16) : 6716 67231 38 H uang Y J, Qin Y W,Zhou Y, Niu

43、H, Yu Z Z, Dong J Y. C hem Mat er, 2010, 22( 13) : 4096 41021 39 Kim H, Macos ko C W. Polym er, 2009, 50( 15) : 3797 38091 40 Kim H, Miu ra Y, Macosko C W. Chem Mat er. 2010, 22( 11) : 3441 34501 41 Service R F. Science, 2009, 324: 875 877. 42 St eu rer P, Wis sert R, T homann R, Mu elh au pt R. M a

44、cromol Rapid Comm un, 2009, 30( 4- 5) : 316 3271 43 Liu N, Luo F, Wu H X, Liu Y H, Zhang C , Chen J. Adv Funct Mat er, 2008, 18( 10) : 1518 15251 44 Liu P G, Gon g K C, Xiao P, Xiao M. J Mat er Chem , 2000, 10( 4) : 933 9351 45 Wei T, Luo G L, Fan Z J, Zh eng C, Yan J, Yao C Z, Li W F, Zhang C. Carb

45、on, 2009, 47( 9) : 2296 22991 46 Jang J Y, Kim M S, Jeong H M, Shin C M. Compos S ci T echnol, 2009, 69( 2) : 186 1911 47 Wang W P, Pan C Y. Polym Eng Sci, 2004, 44( 12) : 2335 23391 48 Kim H, Macos ko C W. M acrom olecules, 2008, 41( 9) : 3317 33271 49 Raghu A V, Lee Y R, J eong H M, Sh in C M. Mac

46、r om ol Ch em Phys, 2008, 209( 24) : 2487 24931 50 Nguyen D A, Lee Y R, Raghu A V, Jeon g H M , Shin C M, Kim B K. Polym In t, 2009, 58( 4) : 412 4171 51 Lian g J J, Wang Y, H uang Y, Ma Y F, Liu Z F, Cai J M, Zhan g C D, Gao H J, Chen Y S. Carbon, 2009, 47( 3) : 922 9251 52 Prud. homme R K, Ozb as

47、B, Aks ay I A, Regis ter R A, Adam son D H. WO 2008045778 A1, 20081 53 Chung D D L. J Mat er Sci , 2004, 39( 8) : 2645 26611 54 Let t ow J S, Aksay I A, Korkut S , Chiang K S. U SP 20070092432 A1, 20091 55 Wang Y, S hi Z Q , H uang Y, M a Y F, Wang C Y, C hen M M, Chen Y S. J Phys Ch em C, 2009, 113

48、( 30) : 13103 131071 56 Yan J, Wei T , Shao B, Fan Z J , Qian W Z, Zh ang M L, Wei F. Carbon, 2009, 48( 2) : 487 4931 57 Ghosh S, Caliz o I, T ew eld ebrhan D, Pokat il ov E P, Nika D L, Balandin A A, Bao W, Miao F, Lau C N. Appl Phys Let t , 2008, 92( 15) :151911 1519131 58 Wang S, T amb raparni M,

49、 Qiu J, T ipt on J , Dean D. Macr om ol ecu les , 2009, 42( 14) : 5251 52551 59 Pras her R S, C han g J Y, Sauciuc I, Naras imhan S, Chau D, G C, M yers A, Prst ic S, H u C. In t el T ech J, 2005, 9: 285 2961 60 Biercuk M J, Llaguno M C, Rados avljevic M, H yun J K, J ohnson A T, Fischer J E. Appl P

50、hys Lett , 2002, 80( 15) : 2767 27691 61 Leong C K, Chung D D L. Carbon, 2003, 41( 13) : 2459 24691 62 Lian g J , Xu Y, Hu ang Y, Zh ang L, Wang Y, Ma Y, Li F, Guo T, Ch en Y. J Ph ys Chem C, 2009, 113( 22) : 9921 99271 63 Jiang J W, Wang J S, Li B W.Ph y Rev, 2009, 79( 205418) : 1 61 64 Yu A, Rames h P, Itkis M E, Bek yarova E, H