总结工艺制备情况

1、总结工艺制备情况材料选取清洗一次氧化一次光刻二次光刻硼扩散再分布硼预扩散合金磷预扩散三次光刻真空蒸发镀膜|四次光刻测试根据设计的3dg6版图，确定相互套合分层光刻掩膜版的数量根据光刻掩膜版的数量，确定工艺流程和工艺条件根据工艺流程，熟悉单项工序的实验原理和实验操作步骤，熟悉检测质量的手 段与方法，了解影响制备芯片的工艺以及非工艺因素，分析这些因素与质量的 关系。材料选取测衬底的材料电阻率、晶向、缺陷一清洗去除硅片上有机、无机、 金属离子，保持硅片清洁，有机采用互溶原理，无机絡合氧化原理高纯去离子水 冲洗一次氧化测二氧化硅层的厚度和c-v特性一次光刻光刻胶类型、厚 度，前烘温度、作用，光刻机性能

2、、曝光时间，显影作用、时间，后烘时间、作 用，腐蚀溶液、作用、时间、去胶方法、使用溶液，光刻图形质量，光刻基区 硼预扩散【扩散方法、温度、时间、测扩散层的方块电阻值，基区扩散】一硼 扩散再分布二次氧化、扩散方法、温度、时间、测扩散层的方块电阻值、测pn 结反向特性、漏电流二次光刻【套刻发射区与集电区浓磷区、与一次光刻一 样】一磷预扩散【扩散方法、温度、时间、测扩散层的方块电阻值，发射区扩散】 磷再分布三次氧化、扩散方法、温度、时间、测扩散层的方块电阻、测pn 结反向特性、漏电流，测三极管放大特性三次光刻【套刻引线孔、与一次光 刻一样】一真空蒸发镀膜一【金属化、材料类型、厚度、质量、金属材料与硅

3、和 二氧化硅粘附情况】一四次光刻【反刻金属线、套刻、金属腐蚀方法、时间、质 量、去胶方法、与一次光刻一样】一合金【目的、方法、条件、时间】一成品测 试i-v特性、反向击穿特性、漏电流、晶体三极管放大特性等.常规的三极管工艺流程及作用工艺名称工艺作用内容实验重点准备选择材料根据工艺要求选择硅片（硅片类型、电阻率、 平整度、晶向、缺陷）制备管芯的衬底质 量清洗去除杂质去除硅片上有机、无机、金属离子，保 持硅片清洁，有机采用互溶原理，无机 絡合氧化原理高纯去离子水冲洗。每道工艺前必须进 行，质量的重要环 节一次氧化硼扩散 掩蔽作用根据工艺要求进行氧化层的制备，检测 及研究氧化条件对氧化层厚度和质量的

4、 影响，分析影响质量的诸因素。形成pn结的关键一次光刻光刻 隔离环 和浓基区利用照相复印图象同化学腐蚀相结合的 综合性技术，对二氧化硅薄膜进行选择 性刻蚀，刻出晶体管基区硼扩散窗口。所有光刻各工序的 基础关键环节氧化 膜的刻蚀硼预扩散扩隔离环 和浓基区根据硼扩散的工艺条件在基区进行硼预沉积、 再分布扩散，使基区达到需要的结深和掺杂浓 度，同时生长一定厚度的氧化层形成pn结的关键， 掌握晶体管芯片掺 杂浓度结深pn结特 性的重要环节硼扩散 再分布推结深和 形成新氧 化层二次光刻刻发射极 和集电区刻出发射区磷扩散窗口和n+集电区窗口关键环节掌握光刻 套刻技术磷预扩散形成 发射极和 集电极根据磷扩散

5、的工艺条件，用液态源磷扩散的方 法制作npn晶体管的n+发射区，控制晶体管的 基区宽度，使晶体管的电流放大倍数达到工艺 要求。进行发射区磷预沉积和再分布，使发射 区达到需要的结深和掺杂浓度。形成三极管的关键 环节，影响特性曲 线、放大倍数以及 各pn结击穿特性的 重要因素。磷再分布三次氧化三次光刻引线孔光 刻刻出引线孔光刻最小尺寸的关 键真空蒸 发镀膜做金属电极根据金属薄膜与半导体材料和相关绝缘 膜的粘附性、稳定性、可刻蚀性，选择 金属材料，进行金属薄膜的淀积方法。形成金属电极的重要环节四次光刻刻出铝 电极刻出金属引线光刻引线条，反刻， 腐蚀金属关键合金形成欧姆 接触对形成的金属电极，在高温炉

6、通氮气进 行合金化处理，形成硅铝合金。形成欧姆 接触关键集成电路工艺专题实验流程工艺专实1器件设计薄膜制备（氧化）i图形转七光刻i为腐蚀）掺杂（st 扩散）'ttl形转移（二次 '光刻腐揍杂楓扩散）i图彤转移（三次|光刻与腐蚀）根据品体管电学参数，进行晶体管纵向结构参数设计（发射极、 基极、集电极尺寸，衬底材料选取，晶体管集电区、基区、发 射区杂质浓度及结深）和晶体管横向结构设计，画出版图；进 行工艺参数设计（硼磷扩散温度、时间及氧化层厚度、氧化的 时间和温度）。根据工艺要求进行氧化层的制备，检测及研究氧化条件对氧化层 惶度犁质量的影响，分析彫响质量的诸因索。利川照相复印图象同

7、化学腐蚀相结合的综合性技术，对二氧化硅薄筋进行选择性刻蚀，刻出晶体管基区硼扩散窗口。根据硼扩散的工艺条件在基区进行硼预沉积、再分布扩散，使基区 达到需要的结深和掺杂浓度，同时生长一定厚度的氧化层。检测硼 预沉积、再分布的方块电阻及pn结的击穿特性（vcb ili-穿电压），研究分析影响pn结击穿特性的因素。刻出发射区磷扩散窗口根据磷扩散的工艺条件，m 态源磷扩散的方法制作ni呱晶体管的 n+发射区，控制晶体管的皐区宽度，使晶体管的电流放大倍数达到 丄艺耍求。进行发射区磷预沉积和再分布，使发射区达到需耍的结 深和掺杂浓度。检测磷扩散预沉积方块电阻以及放大倍数，击穿电 ffiveb、vce、vcb及特性曲线形状，研究分析可能影响晶体管放大倍 数的原因，以及影响各pn结击穿特性的因素。| 金属化| （镀膜、溅射）"图形转移（四次光 刻光刻与腐蚀）表it四探针法测量薄层电阻征测试j pn结结深的测量刻出引线孔根据金属薄膜与半导体材料和相关绝缘膜的粘附性、稳定性、 对刻蚀性，选择