二极管和三极管

1、1904年年电子管问世电子管问世1947年年晶体管诞生晶体管诞生1958年集成电年集成电路研制成功路研制成功电子管、晶体管、集成电路比较电子管、晶体管、集成电路比较1 1、电信号、电信号v 电信号是指随时间而变化的电压电信号是指随时间而变化的电压 u 或电流或电流 i ，记作，记作u = f(t) 或或i = f(t) 。2 2、模拟信号与数字信号、模拟信号与数字信号v 模拟信号：模拟信号： u 或或 i 的幅值是连续取值的。的幅值是连续取值的。v 数字信号：数字信号： u 或或 i 的变化在时间上不连续。的变化在时间上不连续。v 自然界中的物质按导电性能可以分为：自然界中的物质按导电性能可以

2、分为：v 半导体导电特性独有的特点：半导体导电特性独有的特点：导体导体绝缘体绝缘体导电性可控导电性可控杂敏性杂敏性光敏性光敏性注意v 常见的杂质半导体：常见的杂质半导体：、本征半导体本征半导体杂质半导体杂质半导体掺入掺入5价元素价元素（P）掺入掺入3价元素价元素（B）注意1 1、PN结的形成结的形成v 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。固体均有之。P区空穴区空穴浓度远高浓度远高于于N区。区。N区自由电区自由电子浓度远高子浓度远高于于P区。区。扩散运动扩散运动v 由于扩散运动使由于扩散运动使P区与区与N区的交界面缺少多

3、数载流子，形区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向区向P区、自由电子从区、自由电子从P区向区向N 区运动。区运动。漂移运动漂移运动因电场作用所产生的因电场作用所产生的运动称为漂移运动。运动称为漂移运动。v 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了衡，就形成了PN结。结。2 2、PN结的特性结的特性PN结加正向电压导通：结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形剧，由于外电源的作用，形成扩

4、散电流，成扩散电流，PNPN结处于导通结处于导通状态。状态。PN结加反向电压截止：结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似流。由于电流很小，故可近似认为其截止。认为其截止。v 正向特性：外加正向电压时正向特性：外加正向电压时PN结的正向电阻很小，电流结的正向电阻很小，电流较大，是多子扩散形成的；较大，是多子扩散形成的； v 反向特性：外加反向电压时反向特性：外加反向电压时PN结的反向电阻很大，电流结的反向电阻很大，电流极小，是少子漂移形成的。极小，是少子漂移形成的。v 要注意：要注意：

5、。晶晶体体二二极极管管1、二极管的型号、二极管的型号2AP9用数字代表同类器件的不同规格。用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，代表器件的类型，P为普通管，为普通管，Z为整流管，为整流管，K为开关管。为开关管。代表器件的材料，代表器件的材料，A为为N型型Ge，B为为P型型Ge， C为为N型型Si， D为为P型型Si。2代表二极管，代表二极管，3代表三极管。代表三极管。国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2、二极管的结构及类型、二极管的结构及类型v 二极管结构：二极管结构： PN 结结 + 引线引线 + 管壳管壳 = 二极管二极管v 二极管符号

6、：二极管符号：v 二极管分类：二极管分类：按材料分：按材料分：锗二极管锗二极管硅二极管硅二极管按结构分：按结构分：面接触型面接触型平面型平面型点接触型点接触型)(ufi 材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十几十A开启电压开启电压反向饱和反向饱和电流电流击穿击穿电压电压1、二极管的伏安特性、二极管的伏安特性v 二极管的电流与其端电压二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。的关系称为伏安特性。v 温度对二极管伏安特性的影响：温度对二极管伏安特性的影响：T（）在电流不变情况下管压降在电流不变情况

7、下管压降u 反向饱和电流反向饱和电流IS，U(BR) T（）正向特性左移，反向特性下移正向特性左移，反向特性下移2、二极管的温度特性、二极管的温度特性4、二极管的主要参数、二极管的主要参数v 反向电流反向电流 IR：它指管子未进入击穿区的反向电流，其值越：它指管子未进入击穿区的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。小，则管子的单向导电性越好。v 最高工作频率最高工作频率fM：是保证管子正常工作的最高频率。：是保证管子正常工作的最高频率。v 最大整流电流最大整流电流IF：是管子长期：是管子长期运行时允许通过的最大正向平运行时允许通过的最大正向平均电流。均电流。v 最大反向工作电压最大反向工

8、作电压UR：又称额：又称额定工作电压，它是保证二极管定工作电压，它是保证二极管不至于反向击穿而规定的最高不至于反向击穿而规定的最高反向电压。反向电压。 5、二极管极性的判别、二极管极性的判别v 万用表档位选择：万用表档位选择：u选用欧姆档，并使用；选用欧姆档，并使用；u欧姆档时：欧姆档时：红表笔红表笔接内部电源接内部电源负极负极，黑表笔黑表笔接接正极正极；u读数：左边为读数：左边为，右边为右边为0；为什么？为什么？重点重点v 二极管极性判断：二极管极性判断：v 二极管质量的判断：二极管质量的判断：晶晶体体二二极极管管大功率低频三极管大功率低频三极管小功率高频三极管小功率高频三极管中功率低频三极

9、管中功率低频三极管多子浓度高多子浓度高多子浓度低，多子浓度低，且很薄且很薄面积大面积大1、三极管放大的条件、三极管放大的条件（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE0uuuUu少数载少数载流子的流子的运动运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散三极管放大工作原理三极管放大工作原理2、三极管电流的分配关系、三极管电流的分配关系CBBCEBCBCEIIIIIIIIII)1 (IBICIE3、三极管的三