ESD防护培训教材

1、第一章：名词解释 1. 静 电 ( Electrostatics ) ： 物体所带过剩或不足的相对静止不动的电荷。 2 . 静电放 电 ESD( Electrostatic discharge-ESD ) ： 具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电感应引起 物体间的静电电荷转移。 3. 静 电 感 应 ( Electrostatic induction ) ： 当带静电的物体靠近某一介质时，在该介质表面因感应而带电荷，并形成感应电场。4.静电敏 感器 ( Staticsensitivity device-SSD )对静电放电敏感的器件5.中和(Neutralization)利用异性电荷使静

2、电消失6.接地(Grounding)电气连接到能提供或接受大量电荷物体上(如大地、船舰或运载工具外壳)7.泄放(Leakage)将静电荷安全泄放到大地8.硬接地(Hard ground)直接与大地电极作导电性连接的一种接地方式(R10Q)9.软接地( Soft ground)通过一足以限制流过人体的电流达到安全值的电阻连接到大地电极的一种接地方式(100 ,000QR1,000,000Q)10.防静电工作区( Electrostaticdischargeprotectedarea)配备各种防静电设备和器材，能限制静电电位具有确定边界和专门标记的适于从事静电防护操作的场所11.ESD保护材料(

3、ESD-Protectedmaterials ) ：具/、备下列特征的材料a、防止产生摩擦起电b、免受静电场的影响c、防止与带电人体或与带电物体接触而产生直接放电第二章：静电的来源及其危害1 、 静 电 的 产 生 ： 两种不同起电序列的物体通过摩擦、碰撞、剥离等方式在 接触又分离之后在一种物体上积聚正电荷，另一种物体上 积聚等量的负电荷而形成的。这是由于两种不同的物体相 互紧密接触时，它们最外层电子的逸出功不同，电子从逸 出功较小的物体跳逸到逸出功较大的物体中去。此外，导 体静电感应、压电感应、电磁辐射感应等也能产生很高的2、 工厂内常见的静电源：静电源指可产生静电荷的物 体1 1 环 境

4、2 11 地板：封蜡的混凝土，涂蜡的木材，普通的维尼龙 磁砖或平板，根据静电源材料，静电荷的多少，分离速度，环境湿度的不同而不同。21 2 工作面：涂蜡，涂漆或凡立水处理的表面，普通的乙烯或塑胶台面。213工厂主要设备：22人：221人的皮肤表面。222人穿的衣服13材料：231原材料：232生产辅助料：23 3 包装材料：a、普通的塑胶一 - 袋、纸、封皮；b、普通的气泡套c、普通的塑胶盘、塑胶篮rfrk、 塑 胶瓶 、 料 盒24制程：241喷洗清洗机242普通的塑胶吸锡工具243 烙 铁 头 未 接地的电烙铁244 人 造 毛 制 作的溶剂刷子245 液 体 或 蒸 汽 的清洗或干燥24

5、6烤箱24 7 低温喷洗24 8 发 热 枪和吹风机249喷砂3、人的活动产生的静电压静电产生方法静电电压(V)相对湿度( 10%20%)相对湿度( 65%90% )在地毯上行走350001500在乙烯树脂地板上行走12000250工作台上操作6000100说明书的乙烯树脂封面7000600在工作台拿起聚乙烯袋子200001200聚氨脂泡沫垫子1800015004 、 ESD 敏 感 元 器 件 ， 组 件 和 设 备 的 分 级 ：1 级 ： 易 遭 01999V ESD 电 压 危 害 的 电 子 产 品2 级 ： 易 遭 20004999V ESD 电 压 危 害 的 电 子 产 品3

6、级：易 遭 400015999VESD 电 压 危 害 的 电 子 产 品5、ESD敏感元器件：1级敏感电压范围01999V频率大于1GHz的 检 测二极管离散型MOS场效应晶体管声表面波(SAW)器件结型场效应晶体管(JEETs)电荷耦合器件(CCDs)微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他工作精密稳压二极管元器件类型运算放大器(OPAMPs)续表1薄膜电阻器集成电路使用1级元器件的混合电路超高速集成电路(VHSIC)环境温度100°C 时，I0<0.175A的晶体闸流管( SCRs)2级敏感电压范围20003999V线或加载电压稳定0.5% )元器件类型由附录A (

7、补充件)试验数据确定为 2级的元器件和微电路离散型MOS场效应晶体管结型场效应晶体管(JEETs)运算放大器(OPAMPs)集成电路(ICs)超高速集成电路(VHSIC)精密电阻网络(R2)使用2级元器件的混合电路低功率双极型晶体管,Ptot < 100mW， Ic<100mA3级敏感电压范围400015999V元器件类型由附录A (补充件)试验数据确定为3级的元器件微电路离散型MOS场效应晶体管运算放大器(OPAMPs)集成电路(ICs)超高速集成电路(VHSIC)所有不包 括 在 1 级或2级中的其他微电路Ptot<1W或IO<1A的小信号二极管普通要求的硅整流器Io>0.175A的晶体闸流管(SCRs)350mW>Ptot>100mW 且 400MA>Io>100mA 的低功率双 极型晶体管 光 电 器 件 ( 发 光 二 极 管 、 光 敏 器 件 、 光 耦 合 器 )续表2使用3级元器件的混合电路压电晶体6、ESD失效模式61热八、一二次击穿62金属渡层融熔6