IntroductiontoPlasmaCleaningProcess(PAM)

1、4吋5and APpWon目录Content What is Plasma? Plasma Cleaning ProcessLow Pressure Plasma vs. Atmospheric Pressure Plasma J Plasma ApplicationAutomated Plasma Cleaning SystemE.g. Oxygene* + Og20 十 1exO + O+ + 2e* e'4-00* 十 bO* + 2e、等离子是什么？What is Plasma?E物质的第四种状态 包括离子(Ion),电子(Electron), 自由墓(Free Radical

2、)整体中程(Neutral),没有电荷 (No overall charge)固体(Solid)液体(Liquid)气体(Gas)等离子(Plasma)离子自由基沉积(Deposition)蚀刻(Etching)清洗(Clea ning)等离子的应用 Deposited layerafter the plasma treatmentafter the plasma treatment Free of residues Very good wetting capability等离J'清洗前Plasma treatment with oxygen等离清洗前等离子的清洗原理OOWCMOMC化

3、学方式清洗(Chemical Cleaning)0物理方式清洗 (Physical Cleaning)氧气(Oxygen, O2)氮气(Nitrogen, N2)等离子清洗使用的气体(Processing Gas)来源：压缩汽缸/厂方供应清洗方式：物理+化学二氧化碳(Carbon, CO2)氮气(Argon, Ar)压缩空气(Compressed Air, CDA)来源：压缩汽缸/厂方供应 清洗方式：物理+化学来源:压缩汽缸/厂方供应 清洗方式：物理+化学来源：压缩汽缸/厂方供应 清洗方式：物理来源:厂方供应 清洗方式：物理+化学价格：(高)Ar > 02 > C02 >N2

4、> CDA (低)各种表面测试的方法(Surface Analysis Test)表面张力测试(Surface Tension):接触角度测试(Contact Angle Measurement) 达因(又名电晕)测试笔/剂(Dyne Pen/Solution)/ /了、岁 八上卩” # / 尸 夕"M / / / 丿 / / V， / >z / /Zz / / / 厂 /： L / / / z z /' / , r x / / ./表面结构(Surface Morphology):扫描电子显微镜(Scanning Electronic Microscopy, S

5、EM)原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)元素分析(Elemental Analysis): Auger 电子能谱(Auger Electron spectroscopy, AES) 能量色散谱(Energy dispersive spectroscopy, EDS)化学分析电子能谱(Electron spectroscopy for chemical analysis, ESCA)接触角度测试受污染表I(Contact Angle Measurement)不受污染表面接触角(Large Contact Angle)-表面张力(Low Surface Ten

6、sion) 吸水性(Good Wettability)e接触角(Small Contact Angle)表面张力(Large Surface Tension) 吸水性(Good Wettability)e各种等离子的产生方式低气压等离子系统(Low Pressure Plasma System)电子回旋共振Electron Cvclotron ResonanceRF/Micro-wave sources/等离子体电感偶合等离子Inductive Coupled Plasma波导(waveguide)低压等离子与常压等离子的比较低压等等离子大气常压等离子机器形式(Machine Type)真空舱

7、(Vacuum Chamber)喷气式(Jet Type)使用气体(Process Gas)He, Ar, O, N or mixtureCDA, N/O mixture清洗时间(Process Time)5 min (不包括抽真空时间)100mm/s机台体积(Size)根据真空舱的大小(Typically: 1210mm x 1100mm x 1620mm)控制器(562mm x 211 mm x 420mm)使用方法装匣(Magazine Type)流水线(in-line),配合口动化系统， 手提式,etc.用作翻修部件(For re-work purpose)不合适合适机台价格(Pric

8、e)200万人民币20万人民币在半导体和液晶工业上一般的有机污染问题Organic Contaimination in Semiconductor and Display Industry等离子清洗在半导体和液晶工业上的应用，-异z j. /”' / / , .J、r， j / y, . . / I(Plasma Cleaning Application in Semiconductor and Display Industry)Wafer (晶片)：Si Wafer有机污染物(Organic Contamination)CVD ProcessWire-bonding:Poor Met

9、allizatio nPoor Adhesi onSubstrate等离子清洗在半导体和液晶工业上的应用(Plasma Cleaning Application in Semiconductor and Display Industry)封装(Encapsulation):® 剥离(Delamination)f：吸湿程(Moisture Absorption)彳氐运动麻度(Low Viscosity)® 化学反血(Chemical Reaction)液晶显示屏(LCD Glass):ITO刻蚀建议解决方第梯品梯品射频电源柔性管BHD 匚等离子发生器样品表而已处理带摄大幅宽12晰喷射式大气(常压)等离子清洗机(Atmospheric Pressure Plasma Jet)使用方式：手提/配合H动化系 统清洗气体：压缩空气/氮氧混合最大清洗速度：200mm/s清洗方法(Cleaning Process)Wafer (晶片):Contamin ationWire-bondi ng:Substrate梯品清洗方法(Cleaning Process) (2)封装(Encapsulation):实际操作示范汴清洗范国低表面张力高接触角大气（常压）等离子的清洗能力在硅晶片上清洗范围高表面张力低接触角在液晶显示屏玻璃