无源器件性能测试及对现网影响分析

1、无源器件性能测试及对现网影响分析随着微蜂窝规模的日益庞大，室分系统的复杂程度也越来越高，现网中存在大量干扰伴随话务量变化的站点，极大的影响了网络性能，导致用户通话感知下降。根据以往排查故障的经验来看，伴随话务变化的干扰通常与无源器件相关。本文档对无源器件进行了详尽的测试，在测试的基础上对故障现象进行了理论分析，解释了无源器件关键性指标不达标对网络的影响，以期为今后室分优化与维护工作提供可靠依据。一、常用无源器件及关键性指标 室分系统中常用的无源器件有电桥，耦合器等，主要介绍电桥、耦合器、功分器、负载这四类最常见的无源器件结构及在室分中系统中的作用。1.1常用无源器件简介1.1.1电桥 图1.1

2、：3dB电桥（图片实物生产商：国人通信）上图为目前在室分系统中广泛使用的3dB电桥的实物照片。3dB电桥的主要用途为室分系统中的同频段合路，以取代早期的体积比较庞大的同频段合路器件。如图中所示，上述电桥设备有四个端口，分别为两入两出。每个端口之间的功率关系如下：OUT1=OUT2=0.5*(IN1+IN2) (式1.1)从上式可知，每个端口的输出功率皆等于输入功率之和的一半，即输入信号衰减3dB以后分别从两个端口等功率的输出，就是3dB电桥名称的由来。3dB电桥在室分系统中的安装方式如下图所示： 图1.2：3dB电桥用于同频合路如上图所示，当微蜂窝配置较大时，内部合路不够用，载频分为两组合路，

3、分别经由两个架顶双工器输出。对于宏站而言，可以用两种方法解决主设备两路输出问题。一是采用物理位置邻近的两付单极化天线输出，二是采用一付45度双极化的天线输出，前者相当于在空间自由合路，后者由不同的极化振子合路，本质上也是空间合路。但是在分布系统中，不具备上述条件。分布系统只能有一套天线，一个入口。因此要将一个CI的频点完整的通过分布系统发射出去，只能通过电桥将两组载频事先合路后再接入分布。综上所述，3dB电桥起的作用为射频级同频合路。1.1.2耦合器 室分中使用的耦合器又称定向耦合器，其内部结构和电桥类似通过微带线或腔体的耦合程度不通，可以制成各种规格的耦合器，常见的耦合器有5dB，15dB，

4、30dB等规格。定向耦合器的外观如下图所示：图1.3：耦合器耦合器为三端口器件，A、B为直通口，信号基本无损通过，C口为耦合口，将A口处功率衰减耦合标称值后从C口输出。C口只能正常耦合由A至B的信号（称为正向信号），由B至A方向的信号（称为反向信号），将会衰减一个较大的功率等级（通常为20dB，这个衰减量称为耦合器的隔离度）后再按照标称耦合度耦合至C口，。定向耦合器主要用于分布系统中干线与支线上的信号分配。1.1.3负载 负载是室分系统中最简单的器件，只有一个入口，主要是用于室分系统中吸收其他器件空置口上多余的能量，达到阻抗匹配的目的。因为吸收功率的原因，负载是室分系统工作时温度最高的器件，在

5、普通机房中实测，其温度最高能到70摄氏度左右，所以，一般测量负载器件的指标都需要在温度箱中测试以考察其在高温环境下的性能。1.1.4功分器功分器作用类似于耦合器，在室分系统中起到功率分配的作用，但是功分器是将输入功率等额分配各输出端口，按照输出口的个数，分为二功分，三功分等各型号。以二功分器件为例，为一进两出器件，信号从入口进入，平均分配为两路后输出：图1.4：二功分器件如上图所示，正常使用时，下行信号应当从IN口输入，从两OUT口输出。功分器功率承受能力较差，一般不用于干线的上使用，而是作为耦合器的下级功率分配器件直接连接天线点作为室分系统的最终发射。1.2无源器件的关键性指标1.2.1互调

6、抑制对于一个理想的线性系统，当输入两个信号f1，f2时，输出信号不会出现新的频率。对于非线性系统，将会产生一系列新的频率分量，被称作f1，f2的互调产物。新产生的频率和信源频率满足如下关系：fn= N*f2±M*f1 (式1.1)其中，N与M皆为正整数，则fn称为f1，f2的（NM）阶产物。互调产物随着阶数的提高而衰减，一般而言三阶产物在频率域最接近f1，f2，且功率较大，因此，一般均以三阶互调抑制深度来评价一个射频器件的互调指标的好坏。图1.5：互调示意图理论和实践都证明，理想的线性系统是不存在的，任何一个器件都会有一定功率的互调产物。互调产物的产生机理十分复杂，到目前为止，还无法

7、根据器件的参数进行准确的计算，只能根据实际测量得到1。影响互调的因素很多，如器件材料，加工工艺，装配精密度，输入功率，甚至大气压力都会对互调指标产生影响。目前无源器件集采标准为常温常压下，输入2个43dBm的信号源，其三阶互调抑制要能达到120dBc，行业标准要求达到140dBc。1.2.2隔离度 室分系统中的器件均存在出口和入口，器件的设计制造意图都是希望信号能量能够从输入口进入，无损失的通过器件从输出口输出。但是同向端口间总是不可避免的出现互相耦合的现象，导致部分信号的功率在两个同向口之间互相窜扰，隔离度是评价器件抑制这种窜扰能力的指标。下图是电桥内部能量传播示意图：图1.6：电桥隔离度示

8、意图电桥的两个IN口之间的信号也存在一定程度的互相耦合，这种耦合是非常有害的，必须加以控制。例如当下行过强的信号从一个IN口窜入另一个IN口时，有可能对另一个IN口下所带的载频产生阻塞，导致GSM系统上行干扰的抬升。无源器件电桥的集采标准为同向端口间隔离度不低于20dB，但是根据3GPP 0505的规范要求2，结合北京现网使用状况，建议此标准有所提高：3GPP TS 05.05协议规定了GSM接收机和发信机的各项性能。其中，5.1节：Blocking characteristics对GSM接收机在各个频段的阻塞容限做了明确规定，其中相关中国GSM的频段划分，主要涉及到以下3个表格：Freque

9、ncyFrequency range (MHz)bandGSM 900EGSM 900R-GSM 900MSBTSBTSBTSinband915 980870 925860 925856 - 921outofband (a)0,1 < 9150,1 < 8700,1 < 8600,1 < 856outofband (b)N/AN/AN/AN/Aoutof band (c)N/AN/AN/AN/Aoutof band (d)> 980 12,750> 925 12,750> 925 12,750> 921 12,750

10、表1.1：900M频段划分FrequencyFrequency range (MHz)bandDCS 1 800MSBTSinband1 785 1 9201 690 1 805outofband (a)0,1 17050,1 < 1 690outofband (b)> 1 705 < 1 785N/Aoutof band (c)> 1 920 1 980N/Aoutof band (d)> 1 980 12,750> 1 805

11、 12,750表1.2：DCS频段划分FrequencyGSM 400, P-, E- and R-GSM 900DCS 1 800 & PCS 1 900bandother MSsmall MSBTSMSBTSdBµVdBmdBµVdBmdBµVdBmdBµVdBmdBµVdBm(emf)(emf)(emf)(emf)(emf)inband600 kHz£ |ffo | < 800 kHz7538704387267043

12、7835800 kHz£ |ffo | < 1,6 MHz803370439716704388251,6 MHz£ |ffo | < 3 MHz902380339716803388253 MHz £ |ffo | 902390231001387268825outofband(a)11301130121811301130(b)10112(c)10112(d)11301130121811301130NOTE:For definition of small MS, see sub

13、clause 1.1.表1.3：各频段接收功率容限对于GSM900制式，移动分配的下行发射频率为934M954M，属于表1.1中的(d)频段，对应表1.3中的接收功率容限为8dbm，以目前基站实际架顶输出35dbm来说，电桥的隔离度需要27dB以上；对于DCS1800M制式，移动分配的下行发射频率为1805M1830M，属于表1.2中的(d)频段，对应表1.3中接收功率容限为0dB，按照GSM900M计算方法，电桥的隔离度应当在35dB。1.2.3驻波 驻波，全称为电压驻波比，评价了主设备有效发射功率和反射功率之间的比例，反映了一个射频系统阻抗匹配程度。单纯的驻波只会影响到GSM系统

14、的覆盖半径，根据理论计算的结果，一个驻波为1.5的系统，其覆盖半径大约收缩43。从理论上来讲，驻波和互调是独立的指标，没有任何依据可以证明两者之间的联系，但是在工程上，往往驻波较高的点，也是接触不良可能导致互调的点，可以用来做干扰故障点的辅助排查。目前行业标准要求无源器件驻波1.3，微蜂窝验收标准要求全系统驻波1.5。1.2.4功率容限 功率容限规定了室分器件能承载的最大功率，目前室分器件一般标称均为200W。测试该指标时，不断增加被测目标的输入功率，当有下列情形之一，认为当前输入功率已经达到器件功率容限，不在继续增加输入： （1）、驻波明显恶化 （2）、互调产物明显增多 （3）、输入信号低于

15、线性变化2dB （4）、器件出现打火、异常发热等现象本次泰尔实验室的大规模测试显示，器件在不通载波数量的条件下，其功率耐受度是不同的(详见第五章)，这是新发现的现象，需要在今后的耐功率测试中改变测试方法，信源选择需要由单载波改为多载波调整信号，以便更加接近现网的应用环境。二、现网微蜂窝问题综述 在室内分布系统中，伴随话务量变化的干扰是极为常见的一类故障现象，下图是某站点连续5天干扰变化统计图：图2.1：人民大会堂干扰话务分布图从上图可以看出，蓝色线所表示的平均干扰功率与话务量具有很强的正相关性。对全网微蜂窝的统计的表明，干扰伴随话务变化具有普遍性，以12月1日（周三）统计为例，下图比较了当日凌

16、晨3时及早忙时10时的全网平均干扰水平，在统计中去除了因为完全无话务而导致统计无效的载频，凌晨3时共有有效统计载频6141块，早忙时10时共统计有效载频9724块，对比结果如下：图2.2：忙闲时干扰功率对比考虑到话务下降时，不仅发射功率在下降，同时上行功率在减少，尚不能定论上行干扰来源自基站下行发射，但是可以确定干扰和话务的相关性。三、下行功控实验及结论为了进一步确定目前微蜂窝中的干扰来源，专项组于12月对西南区域微蜂窝做开启下行功控实验，在上行功控参数不变的情况下，下行参数做如下设置：表3.1：下行功控参数调整明细图3.1：功控前后平均干扰功率对比图3.2：功控前后话务量及掉话率对比图3.3

17、：功控前后上下行发射功率对比图3.4：功控前后语音质量对比从上述实验数据可以看出，下行功控开启后，在话务量增加、MS平均发射功率也增加的情况下，上行平均干扰从1.723降低至1.567，因此，可以认为，目前导致现网微蜂窝中的上行干扰是和主设备的下行发射功率相关的，上行MS的发射功率为非主要原因，同时，话务量的高低也不是影响干扰功率的直接原因。四、单站测试4.1测试站点概述综前所述，定位造成上行随话务变化的干扰和下行发射直接相关，专项组在故障现象比较典型的人民大会堂站点做了详尽的测试，以便定位问题。人民大会堂站点采用NSN的flexi站型，分为M1，M2，M3三个微蜂窝。该三个微蜂窝平时工作正常

18、，无干扰，但是当该站有重大活动，话务达到峰值0.80.9erl/线时，会在所有载频上出现24级的干扰。该站3个微蜂窝均采用电桥合路，连接方式如下图所示：图4.1：人民大会堂微蜂窝连接示意图NSN的flexi站型具备在无用户空载条件下，载频满功率模拟发射下行频率的测试功能，本次排查主要依靠上述功能，在完全断开分布的情况下进行了干扰定位实验。4.2电桥负载测试在前期细致排查分布问题的情况下，基本排除室分问题，转而排查机房内各类设备及器件。图4.2：电桥负载测试如上图，电桥的两个输出端口断开分布，直接接负载器件，利用flexi的测试功能满功率发射下行频率。本实验可以完全排除室分和无线环境的影响。经后

19、台查询，在载频满功率发射时，所有载频的干扰基本在4级，只有个别载频零星为3级，因此重点怀疑电桥问题。曾先后更换厂家1、厂家2和厂家3的电桥，测试结果基本无差异。4.3直接负载测试本实验进一步甩开电桥，采用更为直接的连接方式：图4.3：直接负载测试在上述测试中，完全甩开电桥，载频同样工作在满功率发射的测试模式，后台取实时干扰数据，基本稳定在零级。经本实验，可以确定主设备在是否接电桥合路两种情况下的上行干扰功率差异巨大，为了进一步明确干扰的波形及来源，重做实验1，并耦合一路信号送到频谱仪进行频谱分析。4.4电桥负载频谱仪测试实验方案如下，耦合器采用国人公司5dB定向耦合器，用于明确干扰的来向及耦合

20、一路信号送给频谱仪。频谱仪采用R&S的FSH3，最大可测功率20dBm，频率范围100kHz3GHz。图4.4：电桥负载频谱仪测试如实验图，耦合器方向向下测试，可以看到如下频谱：图4.5：人民大会堂记录频谱通过上述三项实验，初步判断人民大会堂站点在高话务时的干扰来自电桥影响，但具体产生机理需要进一步通过测试手段明确。五、第一次泰尔实验室测试第一次送检测泰尔实验室共三件电桥，均在人民大会堂站点经测试验证可能导致主设备满功率发射时的上行干扰，对该三件电桥进行了常规指检测试及耐功率实验。5.1常规测试5.1.1厂家1电桥该电桥为集采微带电桥，现网中应用较为普遍。(a)、互调测试数据测试序号移

21、动制式端口发射频段制式端口互调频段数值交调产物功率（dBm）交调抑制深度（dBc）1）GSM/ GSM935-960GSM890-915-71.9-114.92）DCS/ DCS1805-1850DCS1710-175555.2-98.2表5.1：厂家1电桥互调数据(b)、隔离度测试数据厂家频段指标要求单位测试数据输入隔离度输出隔离度京信800-2500>30dBdB24592423表5.2：厂家1电桥隔离度数据(c)、互调产物测试曲线图5.1：900M互调曲线图5.2：1800M交调曲线5.1.2厂家2电桥测试数据该电桥为厂家2单独提供电桥，一般用于重要或高话务有干扰站点，现网用应用很

22、少。(a)、互调测试数据测试序号移动制式端口发射频段制式端口互调频段数值交调产物功率（dBm）交调抑制深度（dBc）3）GSM/ GSM935-960GSM890-915-95.9-138.94）DCS/ DCS1805-1850DCS1710-1755-48-91.0 表5.3：厂家2电桥互调数据(b)、隔离度测试数据厂家频段指标要求单位测试数据输入隔离度输出隔离度国人800-2500>30dBdB29612678表5.4：厂家2电桥隔离度数据(c)、互调产物测试曲线图5.3：900M交调曲线图5.4：1800M交调曲线5.1.3厂家3电桥该电桥为北京公司自行采购的腔体电桥，作为备件，

23、现网中尚未使用。该电桥只支持800M1G频段带宽，未做DCS频段的测试。(a)、互调测试数据测试序号移动制式端口发射频段制式端口互调频段数值交调产物功率（dBm）交调抑制深度（dBc）5）GSM/ GSM935-960GSM890-915-74.9-117.96）DCS/ DCS1805-1850DCS1710-1755- 表5.5：厂家3电桥互调数据(b)、隔离度测试数据厂家频段指标要求单位测试数据输入隔离度输出隔离度邦讯800-2500>30dBdB22.3922.79表5.6：邦讯电桥隔离度数据 (c)、互调产物测试曲线图5.5：900M交调曲线5.1.4常规指标测试结论 本次测试

24、综合比较了厂家1、厂家2、厂家3三家的电桥产品。测试的指标为三阶互调抑制及同向端口间隔离度。各家产品比较如下（1800M频段的指标测试不涉及厂家3）：图5.6：交调抑制深度对比图5.7：隔离度对比如上图所示，厂家2单独提供的电桥在900M频段互调抑制指标优于其他厂家产品，虽然仍未达到行业标准140dBc，但是超过集采标准120dBc。其他两家电桥在45条件下测试的交调抑制指标均未超过120dBc的集采标准，若交调产物落在上行频段内，将会有潜在的上行干扰，需要通过频点调整避免干扰，更直接的解决办法是提高电桥的三阶抑制指标。但是对于1800M的频段，所有厂家1和厂家2产品均不合格，且离标准要求较远

25、，需要进一步督促厂家阐述指标下降缘由及改进措施。在隔离度测试中，厂家2电桥隔离度最高，但所有电桥均未超过泰尔出具的30dB标准。如果按照3GPP的规范描述，有可能导致主设备的阻塞干扰，这需要通过测试主设备的抗阻塞性能做进一步规定。5.2功率容限测试 送检的三枚电桥标称功率均为200W，在泰尔实验室中利用信源大功率低互调放大器的方式对送检样品进行了耐功率测试。5.2.1测试方法图5.8：耐功率测试实验系统如图所示，多载波信号源产生频率在885M909M的EDGE信号（载波频率峰均比在3左右）经大功率功放放大，进入双工器滤波，大功率信号进入电桥后发射回的上行频段产物可以透过双工器的上行口进入频谱仪

26、中，以观察在下行频段不断加大功率的情况下，在电桥内部产生的上行产物。对于功率容限的判断原则如下：（1）、驻波不超过1.5（2）、上行底噪不超过-105dbm（1）和（2）中只要有一条不满足要求，即判断这时候功放的实际发射功率为该电桥的功率容限。实验结果显示，厂家1和厂家2的电桥均在很低的功率下产生了飞弧干扰，厂家3电桥为腔体电桥，耐功率性好于微带电桥，虽然没有观测到飞弧噪声，但是，在功率接近基站实际发射水平时，产生了驻波告警。5.2.2测试数据与分析测试序号厂家单载波（EDGE）双载波（间隔1M）三载波（间隔600K）单载波dBm总功率dBmW单载波dBm总功率dBmW单载波dBm总功率dBm

27、W1237.85 37.85 6.10 29.80 32.81 1.91 22.80 27.57 0.57 飞弧飞弧飞弧2150.00 50.00 100.00 34.40 37.41 5.51 30.52 35.29 3.38 驻波告警飞弧飞弧3347.30 47.30 53.70 42.90 45.91 39.00 35.70 40.47 11.15 驻波告警驻波告警驻波告警备注：表中数值为电桥输出口的输出功率的dBm值，是单载波的功率值。表5.7：各样品功率容限测试图5.9：载波数与最大耐受功率对比5.2.3功率耐受性测试结论 （1）、所有送检的三枚电桥均达不到标称功率200W。 （2）

28、、电桥的耐受功率与载波数有密切关系，单载波时，电桥耐受的总功率高，伴随载波数增大，电桥能够耐受的最大功率迅速恶化，导致飞弧现象的产生或驻波性能下降。飞弧噪声是指在器件内部由于器件的氧化，变形，及加工工艺的粗糙都会导致射频信号在器件内部产生的打火现象。内部打火现象不易被直接观测，但是可以从频谱仪观察典型的波形特征：形成一个较宽的底部噪声（类高斯白噪声），并且噪声的功率极不稳定，随时间的变化上下大范围波动。本次测试的两个微带样品在较小功率时，都产生了飞弧噪声：图5.10：正常无干扰测试波形图5.11：厂家1电桥飞弧噪声图5.12：厂家2电桥飞弧噪声图5.13：器件内部尖锐的焊接点极易导致飞弧噪声的

29、出现六、第二次泰尔实验室测试本次测试为厂家送检样品，目的是考察厂家批量供货时产品质量一致性及合格率。测试共涉及电桥、耦合器、负载三个类型产品。6.1电桥样品测试结论6.1.1电桥隔离度测试厂家瑞登1邦讯(窄带)2国人3三元达4样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B输入端口隔离度29.7530.94 27.45 24.95 26.09 27.36 26.75 27.41 输出端口隔离度29.0329.6027.41 23.50 22.39 26.97 24.87 24.86 厂家先创5京信6邦讯(宽带)7虹信8样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B输入端口隔离

30、度23.94 22.90 27.0127.7929.6518.3424.3624.58输出端口隔离度22.36 21.61 23.9826.2428.7517.8324.3624.58表6.1：端口隔离度测试结论：如果按照泰尔制定的30dB标准，仅有厂家1提供的样品B的一组端口达到标准，没有一个样品完全合格；如果按照集采标准，隔离度需要达到24dB，共有10个样品的两组端口隔离度均达到标准，合格率为62.5%。6.1.2电压驻波比测试厂家1234样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B端口11.10 1.11 1.07 1.11 1.10 1.09 1.14 1.14 端口21

31、.12 1.18 1.06 1.12 1.19 1.10 1.16 1.12 端口31.15 1.13 1.07 1.11 1.12 1.15 1.12 1.14 端口41.16 1.19 1.11 1.11 1.16 1.10 1.18 1.17 厂家5678样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B端口11.19 1.18 1.111.171.161.251.121.13端口21.16 1.14 1.161.141.121.231.151.15端口31.15 1.18 1.151.221.161.351.191.17端口41.18 1.18 1.141.161.141.251

32、.11.07表6.2：电压驻波比测试结论：所有送检样品电压驻波比均测试合格。6.1.3电桥三阶互调抑制比测试厂家1234样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B三阶互调抑制-125.50 -115.00 -101.20 -88.80 -146.10 -151.10 -151.30 -149.50 厂家5678样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B三阶互调抑制-119.80 -120.00 -157.20 -141.90 -96.10 -93.30 129.20 131.10 表6.3：三阶互调抑制测试结论：泰尔实验室制定的电桥三阶互调抑制标准为-140dBc，

33、按照该标准，共有6个样品合格，合格率为37.5；按照集采标准为-120dBc，共有10个样品合格，合格率为62.5% 。三阶互调为无源器件的重要指标，本次送检样品的合格率偏低。6.1.4电桥耐功率测试厂家1234样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B6载波功率容限（W）129.46 117.80 180.00 180.00 180.00 180.00 158.54 180.00 是否产生飞弧是是否否否否是否厂家5678样品编号样品A样品B样品A样品B样品A样品B样品A样品B6载波功率容限（W）180.00 179.95 180.00 14.33 180.00 180.00 1

34、80.00 180.00 是否产生飞弧否是否是否否否否表6.4：三阶互调抑制测试结论：本次送检样品全部为腔体电桥，功率耐受性得到较大提高，所有送检样品中，除了厂家6样品B在较低的功率（低于基站正常发射功率，按照35dBm*1240W计算），产生了飞弧噪声外，其余样品在现网常规使用均不存在功率耐受问题。如果按照功率标称值判断样品合格率，共有11个样品达到功率标称值，合格率为68.75%。6.2耦合器样品测试结论6.2.1耦合器常规四项测试结论耦合器常规四项测试是指电压驻波比、插损、隔离度、耦合精确度测试。本次耦合器因为涉及各种不同规格（5dB、15dB、30dB），数据量较庞大，原始数据不在单列

35、本报告中仅给出测试结论：在所有送检的42件样品中，只有厂家1的15dB一件样品，厂家4公司30dB的一件样品电压驻波比超过1.3合格门限，其余指标全部合格。6.2.2耦合器三阶互调抑制比测试厂家编号标准与要求单位样品类型/标准条款样品A样品B测试数据测试图形测试数据测试图形1GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc1-5880-915MHz-143.71-5-A-155.41-5-B1-15880-915MHz-149.01-15-A-151.71-15-B1-30880-915MHz-151.81-30-A-142.81-30-B2GSM/GSM935-960M

36、Hz互调-140dBc/43dBmdBc2-5880-915MHz-140.62-5-A-135.52-5-B2-15880-915MHz-144.12-15-A-148.92-15-B2-30880-915MHz-147.62-30-A-141.52-30-B3GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc3-5880-915MHz-107.93-5-A-95.73-5-B3-15880-915MHz-122.53-15-A-127.13-15-B3-30880-915MHz-129.23-30-A-123.23-30-B4GSM/GSM935-960MHz互调-14

37、0dBc/43dBmdBc4-5880-915MHz-127.94-5-A-115.84-5-B4-15880-915MHz-4-30880-915MHz-146.14-30-A-99.84-30-B5GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc5-5880-915MHz-146.25-5-A-152.35-5-B5-15880-915MHz-141.05-15-A-140.85-15-B5-30880-915MHz-134.45-30-A-144.25-30-B6GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc6-5880-915MHz-129

38、.76-5-A-130.16-5-B6-15880-915MHz-6-30880-915MHz-7GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc7-5880-915MHz-148.47-5-A-149.27-5-B7-15880-915MHz-144.17-15-A-137.67-15-B7-30880-915MHz-137.37-30-A-135.27-30-B表6.5：三阶互调抑制测试结论：按照泰尔实验室制定的140dBc行业标准，所有送检的42个样品中，共有16个样品不合格，合格率为61.9%；如果按照集采120dBc标准，共有3件器件不合格，合格率为92.85%

39、。6.2.3耦合器耐功率测试厂家编号检验项目/标准条款单位标准与要求检验结果检验结论样品A样品B5dB耦合器1电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.141.17-输入功率51.3dBm1.141.17-2电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.081.04-输入功率51.3dBm1.081.04-3电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.121.35-输入功率51.3dBm1.121.35-4电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.071.22-输入功率51.3dBm1.071.22-5电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.011.10-输

40、入功率51.3dBm1.011.10-6电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.051.10-输入功率51.3dBm1.051.10-7电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.021.15-输入功率51.3dBm1.031.15-15dB耦合器1电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.181.14-输入功率51.3dBm1.181.14-2电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.111.10-输入功率51.3dBm1.111.10-3电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.121.17-输入功率51.3dBm1.121.17-4电压驻波比-电压

41、驻波比1.3输入功率43dBm1.091.11-输入功率51.3dBm1.091.11-5电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.061.05-输入功率51.3dBm1.061.05-6电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.141.11-输入功率51.3dBm1.141.11-7电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.161.05-输入功率51.3dBm1.161.05-备注：该测试测试端口为端口0，波形为连续波。厂家编号检验项目/标准条款单位标准与要求检验结果检验结论样品A样品B30dB耦合器1电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.161.08-输

42、入功率51.3dBm1.161.07-2电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.101.05-输入功率51.3dBm1.101.05-3电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.111.12-输入功率51.3dBm1.111.12-4电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.141.14-输入功率51.3dBm1.141.14-5电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.115.39-输入功率51.3dBm1.115.25-6电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.121.01-输入功率51.3dBm1.121.01-7电压驻波比-电压驻波比1.3输

43、入功率43dBm1.161.10-输入功率51.3dBm1.161.10-备注：该测试测试端口为端口0，波形为连续波。表6.6：耦合器耐功率测试结论：本次送检的42样品，在输入功率达到180W时，驻波没有明显恶化，本次耦合器驻波测试合格率为100。6.3负载样品测试结论 负载样品为单端口器件，测试涉及指标只有电压驻波比、三阶互调抑制及功率容限三项。6.3.1负载电压驻波比测试厂家编号检验项目/标准条款单位标准与要求检验结果测试图样品A样品B1电压驻波比-电压驻波比1.3端口01.061.08-2电压驻波比-电压驻波比1.3端口01.111.11-3电压驻波比-电压驻波比1.3端口01.111.

44、08-4电压驻波比-电压驻波比1.3端口01.101.14-5电压驻波比-电压驻波比1.3端口01.121.11-6电压驻波比-电压驻波比1.3端口01.101.07-表6.7：负载电压驻波比测试结论：负载送检样品的电压驻波比测试全部合格。6.3.2负载三阶互调抑制测试厂家编号标准与要求单位样品类型/标准条款样品A样品B测试数据测试图形测试数据测试图形1GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc1-0880-915MHz-120.51-0-A-121.21-0-B2GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc3-0880-915MHz-11

45、6.93-0-A-114.33-0-B3GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc4-0880-915MHz-115.84-0-A-118.74-0-B4GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc5-0880-915MHz-112.65-0-A-114.85-0-B5GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc6-0880-915MHz-112.06-0-A-116.66-0-B6GSM/GSM935-960MHz互调-140dBc/43dBmdBc7-0880-915MHz-85.07-0-A-112.57-0

46、-B表6.8：负载三阶互调抑制测试结论：按照泰尔实验室-140dBc标准，所有负载均不合格，合格率为零；按照集采标准-120dBc，仅有厂家1勉强合格，其余厂家样品均不合格，合格率仅为16.7%。6.3.3负载功率耐受性测试厂家编号检验项目/标准条款单位标准与要求检验结果检验结论样品A样品B50W负载厂家1电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.021.04-输入功率47dBm1.031.04-厂家2电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm-输入功率47dBm-厂家3电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.041.02-输入功率47dBm1.041.02-厂家4电压驻

47、波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.071.02-输入功率47dBm1.071.03-厂家5电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.041.07-输入功率47dBm1.041.07-厂家6电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.041.02-输入功率47dBm1.051.01-厂家7电压驻波比-电压驻波比1.3输入功率43dBm1.071.05-输入功率47dBm1.071.04-备注：该测试测试端口为端口0，波形为连续波。表6.9：负载耐功率测试结论：所有负载在标称最高功率下工作，驻波没有明显恶化，功率耐受测试合格率100%。七、诺西射频实验室测试在前述泰尔实验室

48、的一系列测试中，只发现飞弧现象会导致无源器件在输入下行功率时会产生上行的干扰，结合现网的实际使用状况及泰尔实验室的测试结果，发现送检的样品中，耐功率测试是合格的（即：没有观察到飞弧噪声的波形），但是使用在分布系统中却会带来上行干扰的器件，这部分器件在常规指标方面体现的特性是三阶互调抑制较低。为了研究无源器件互调抑制指标与导致上行干扰的关联性，本项目组在诺西射频实验室做了一系列研究性实验。7.1实验目标及总体方案本次实验共检测24件无源器件，先期在泰尔实验室做过常规指标及功率耐受测试。本次诺西射频实验室测试目标是将统一编号的24件无源器件通过基站信号实测方式找出该批器件中会对主设备产生上行干扰的一组，比照未产生干扰组，找出常规指标对上行噪声功率的影响。本次实验总体电路连接如下：图7.1：电桥测试系统图7.2：耦合器测试系统如图图所示，BTS做信源，最大程度接近现网的应用。主设备发射的信号经由双工器TX口滤波从双工器的ANT口发射，进入被测器件的输入口。双