ADI_培训介绍

1、After Development Inspection Introduction显影后检查介绍显影后检查介绍光刻模组光刻模组马万里马万里 2007.10.15目录目录 ADI的一些技巧的一些技巧 ADI作业流程和方法作业流程和方法 产品各层检验要点产品各层检验要点 常见的光刻监控图形以及作用常见的光刻监控图形以及作用 各产品光刻图形各产品光刻图形 主要缺陷类型主要缺陷类型 常见异常的处理方法常见异常的处理方法ADIADI作业流程方法作业流程方法ADI缺陷缺陷检查检查线宽测量：非关键层不需要线宽测量：非关键层不需要套准测量：第一层不需要套准测量：第一层不需要显微镜检查显微镜检查（镜检）（镜检）

2、宏观检查宏观检查 （光检（光检 ）1.正面检查正面检查2.背面检查背面检查常见的监控图形以及作用常见的监控图形以及作用 游标游标 各层图形套准检查各层图形套准检查 dagger 监控监控shot内曝光均匀性内曝光均匀性 版偏转版偏转 检查光刻机步进误差检查光刻机步进误差 OVERLAY Q7测试用测试用针头对应的位置为读针头对应的位置为读数。数。SHOTSHOT内不同位置内不同位置的读数差不能超出的读数差不能超出3 3测量两边的测量两边的间距，断定间距，断定是否偏是否偏注意读数与图形注意读数与图形所偏方向的关系所偏方向的关系每个每个SHOTSHOT内内只有一处有只有一处有此标记，位此标记，位于

3、于SHOTSHOT起点起点常见的监控图形以及作用常见的监控图形以及作用 九方格九方格 PAD层套准检查层套准检查 CD BAR 曝光量监控（品字可读）曝光量监控（品字可读）只用于套刻要只用于套刻要求很松的层次求很松的层次 LOGO 常用于常用于Q7测试时的对准点测试时的对准点对准点对准点品字型的也可读，右品字型的也可读，右侧是曝光量偏小、正侧是曝光量偏小、正常、偏大的三种情况常、偏大的三种情况 版版ID 注意检查是否用错版注意检查是否用错版有些层次，对应很有些层次，对应很多版，如多版，如ROM层，层，需要十分小心需要十分小心主要缺陷类型主要缺陷类型NO.NO.异常异常大类大类异常项目异常项目异

4、常描述异常描述Q7Q7SMSM光光检检镜镜检检1 1CDCDCDCD偏大偏大CDCD测量结果超出规范测量结果超出规范CDCD偏小偏小3 3对偏对偏预对准偏预对准偏第一层光刻，平边处左右图形离平边距离相差大于第一层光刻，平边处左右图形离平边距离相差大于1mm1mm版偏转版偏转第一层光刻，版偏转游标读数结果大于第一层光刻，版偏转游标读数结果大于0.1um0.1um对位报警对位报警由于对准过程中出现异常报警导致的套准不良由于对准过程中出现异常报警导致的套准不良套准不良套准不良九方格检查不合格或套准测量九方格检查不合格或套准测量/ /读数结果超出规范读数结果超出规范孔偏孔偏孔不在图形的中心孔不在图形的

5、中心3 3散焦散焦背面颗粒背面颗粒由于由于waferwafer背面粘附有颗粒导致的散焦，面积较小背面粘附有颗粒导致的散焦，面积较小背面沾污背面沾污由于由于waferwafer背面沾污导致的散焦，面积较大背面沾污导致的散焦，面积较大载片台沾污载片台沾污连续多片甚至多批的同一位置出现散焦连续多片甚至多批的同一位置出现散焦边缘散焦边缘散焦waferwafer边缘出现散焦边缘出现散焦shotshot边角散焦边角散焦在在shotshot边缘或四角出现散焦，但各边缘或四角出现散焦，但各shotshot的散焦位置不定的散焦位置不定找平散焦找平散焦在各在各shotshot内某固定位置出现散焦，影响整个圆片内某

6、固定位置出现散焦，影响整个圆片主要缺陷类型主要缺陷类型NO.NO.异常异常大类大类异常项目异常项目异常描述异常描述Q7Q7SMSM光光检检镜镜检检4 4涂胶涂胶异常异常沾污涂花沾污涂花由于表面有颗粒、纤维等导致的涂花由于表面有颗粒、纤维等导致的涂花胶量不足胶量不足边缘呈锯齿状甚至大面积缺胶边缘呈锯齿状甚至大面积缺胶涂胶不良涂胶不良光刻胶里有气泡、胶头不干净或其它原因导致的涂花光刻胶里有气泡、胶头不干净或其它原因导致的涂花(PAD)(PAD)去边不良去边不良去边宽度超出去边宽度超出1.51.50.5mm0.5mm规范，或边缘仍然有胶残留规范，或边缘仍然有胶残留回溅回溅圆斑状胶圆斑状胶/EBR/E

7、BR回溅异常回溅异常浮胶浮胶图形掀起或脱落，甚至大面积掉胶图形掀起或脱落，甚至大面积掉胶5 5曝光曝光异常异常版缺陷版缺陷重复出现在每一个重复出现在每一个shotshot内的同一位置内的同一位置窗口缺陷窗口缺陷由于步进距离或挡板位置不正确导致的缺陷由于步进距离或挡板位置不正确导致的缺陷连条或瞎窗连条或瞎窗胶连、暗影等没有光刻开的现象胶连、暗影等没有光刻开的现象显影不净显影不净图形中残留光刻胶颗粒或底膜图形中残留光刻胶颗粒或底膜用错掩模版用错掩模版waferwafer图形中的掩模版代码与流程卡不符图形中的掩模版代码与流程卡不符图形错位图形错位两层光刻图形相互错位两层光刻图形相互错位曝光不完全曝光

8、不完全waferwafer上的部分有效区域没有被曝光上的部分有效区域没有被曝光曝光不均匀曝光不均匀daggerdagger标记读数结果超出规范标记读数结果超出规范主要缺陷类型主要缺陷类型NO.NO.异常异常大类大类异常项目异常项目异常描述异常描述Q7Q7SMSM光光检检镜镜检检6 6其它其它异常异常胶划伤胶划伤光刻胶层被划伤，导致本层光刻图形损坏光刻胶层被划伤，导致本层光刻图形损坏胶下划伤胶下划伤光刻胶层之下的划伤光刻胶层之下的划伤沾污沾污氧化层、薄膜层内有沾污物氧化层、薄膜层内有沾污物晶圆破损晶圆破损waferwafer有缺口、裂痕等（引起碎片）有缺口、裂痕等（引起碎片）表面花表面花表面颜色

9、明显不均表面颜色明显不均其他其他以上各项目没有包括的异常项目以上各项目没有包括的异常项目主要缺陷类型主要缺陷类型常见异常的处理常见异常的处理对偏的补偿处理对偏的补偿处理产生原因？产生原因？1. Stage 步进精度步进精度 2. 标记受埙，位置信息采集不准确标记受埙，位置信息采集不准确 3. 晶片本身形变晶片本身形变 4. 程序设置程序设置处理办法？处理办法？根据五点的测量根据五点的测量/读数值，确定采用何种方式。（补偿读数值，确定采用何种方式。（补偿 / DBD） 少数几个少数几个shot对偏过大，其他位置对准良好，可以采用对偏过大，其他位置对准良好，可以采用DBD模式。模式。 整片都偏，并

10、且方向基本一致，采用补偿的方式。（整片都偏，并且方向基本一致，采用补偿的方式。（X/Y OFFSET） 注意补偿的方向和数值。注意补偿的方向和数值。 1.更换曝光对位标记更换曝光对位标记 （换其他层次的程序曝光，比如（换其他层次的程序曝光，比如metal的换成的换成cont程序曝，但要注意曝光量和程序曝，但要注意曝光量和FOCUS） 两种游标，读数都两种游标，读数都是是+0.1，那么补偿，那么补偿值应该设置为多少？值应该设置为多少？是正是正/负？负？X：偏右补负：偏右补负 偏左补正偏左补正Y：偏上补负：偏上补负 偏下补正偏下补正常见异常的处理常见异常的处理散焦的处理散焦的处理产生原因？产生原因

11、？晶片本身脏污造成局部起伏过大晶片本身脏污造成局部起伏过大 2. wafer stage脏污脏污 晶片本身平坦度较差晶片本身平坦度较差处理办法？处理办法？根据散胶区域以及片数情况，确定是片子还是根据散胶区域以及片数情况，确定是片子还是wafer stage原因原因 少数几片散胶，可以直接测试片子平坦度。少数几片散胶，可以直接测试片子平坦度。 连续多片或者整批散胶，用超平片测试连续多片或者整批散胶，用超平片测试wafer stage平整度。平整度。擦拭擦拭wafer stage（有时会出现擦拭后，再进片机台报警的情况，是由于擦拭（有时会出现擦拭后，再进片机台报警的情况，是由于擦拭 过程中，遮住了

12、有关过程中，遮住了有关激激 光，需要复位光，需要复位stage。）。）注：对于非关键层的散胶，要在显微镜下看一下图形是否受到影响（变形、模糊、胶残留、显不注：对于非关键层的散胶，要在显微镜下看一下图形是否受到影响（变形、模糊、胶残留、显不开），开）， 如果没有受到影响，可以直接在流程卡上记录位置后放行。对于线宽比较大的产品常需这样处如果没有受到影响，可以直接在流程卡上记录位置后放行。对于线宽比较大的产品常需这样处理。理。1. 对于边缘散焦的情况，如果不是台子脏污，可以不返工。对于边缘散焦的情况，如果不是台子脏污，可以不返工。(针对边缘针对边缘shot只有少部分面积在晶片只有少部分面积在晶片内内

13、)G7可以直接擦拭可以直接擦拭stageI9需要将台子移到需要将台子移到backleft散焦引起的图散焦引起的图形模糊变形形模糊变形常见异常的处理常见异常的处理划伤的处理划伤的处理产生原因？产生原因？机台擦伤机台擦伤 2. 吸笔划伤吸笔划伤 处理办法？处理办法？判断本层还是前层划伤（前层无记录的，本层添加记录）判断本层还是前层划伤（前层无记录的，本层添加记录） 判断本层是胶上（有无划到薄膜）还是胶下划伤。判断本层是胶上（有无划到薄膜）还是胶下划伤。 （划到薄膜的，需要酸槽去胶）（划到薄膜的，需要酸槽去胶） 查看划伤面积查看划伤面积 确定返工方式。（酸槽确定返工方式。（酸槽 / 轨道轨道 / 干

14、法）干法）1.注：去胶后，要在强光灯和显微镜下检查一下，是否还有残渣没有去掉。注：去胶后，要在强光灯和显微镜下检查一下，是否还有残渣没有去掉。胶下划伤胶下划伤胶上划伤胶上划伤各层图形检验要点各层图形检验要点 第一层第一层检验要点检验要点：预对准谝预对准谝 2. 版偏转版偏转判断方法：判断方法：1. 预对准偏严重时，光检可以看出来。预对准偏严重时，光检可以看出来。 轻微时，可以在显微镜下，将主平边放大到最边缘一个轻微时，可以在显微镜下，将主平边放大到最边缘一个die边缘刚好进入目镜，水平移动边缘刚好进入目镜，水平移动stage，看看 die边缘距离主平边距离变化。边缘距离主平边距离变化。 在后层

15、曝光时，可以在在后层曝光时，可以在stepper的屏幕上看到图形倾斜。严重时，手动找对准标记无法通过。的屏幕上看到图形倾斜。严重时，手动找对准标记无法通过。1.2. 版偏转可以直接读取版偏转游标版偏转可以直接读取版偏转游标目镜目镜die主平边主平边边缘边缘预对准偏预对准偏图形边缘图形边缘与主平边与主平边不平行不平行版偏转游标版偏转游标各层图形检验要点各层图形检验要点 N+ P+ LDD N+ P+ LDD检验要点检验要点：显开区残留显开区残留 2. 散胶引起的图形模糊散胶引起的图形模糊注意：注意：这些层次图形较大，前层有较多颜色，注意区分那些是本层图形。这些层次图形较大，前层有较多颜色，注意区

16、分那些是本层图形。1. （在很多情况下，发现较多人将显微镜聚焦到前层图形，本层的图形并没有看清楚）（在很多情况下，发现较多人将显微镜聚焦到前层图形，本层的图形并没有看清楚）本层图形，聚焦本层图形，聚焦不当时，容易将不当时，容易将此误认为有胶此误认为有胶各层图形检验要点各层图形检验要点 POLY POLY检验要点检验要点：1. 断条断条 2. 虚条虚条 3. 连条连条 4. 对偏对偏 判断方法：判断方法：POLY条在如下图所示类型的台阶区域，较易出现虚条、断条缺陷，需重条在如下图所示类型的台阶区域，较易出现虚条、断条缺陷，需重 点检验，如果片子上有位置散焦，散焦处的此类位置会出现虚条、断条。点检

17、验，如果片子上有位置散焦，散焦处的此类位置会出现虚条、断条。连条位置多发生在密集的长条处。连条位置多发生在密集的长条处。各层图形检验要点各层图形检验要点 CONT CONT检验要点检验要点：1. 孔谝孔谝 2. 瞎窗（未曝透）瞎窗（未曝透）判断方法：判断方法：1. 较多孔开在较多孔开在POLY条上的突点上，直接看条上的突点上，直接看POLY条上孔相对突点边缘的距离可以快速判断条上孔相对突点边缘的距离可以快速判断cont层的套层的套 准情况。准情况。由于孔的位置有两类，开在由于孔的位置有两类，开在POLY上上/源漏区上，此两种。瞎窗易发生那个在其中一种上，在源漏区上，此两种。瞎窗易发生那个在其中

18、一种上，在CDSEM 下。可以分别找两类型的位置，看孔的颜色，并测下。可以分别找两类型的位置，看孔的颜色，并测CD值。（个别产品的孔层值。（个别产品的孔层CD BAR处，有三处，有三组组 CD，就是在不同高度上，测此处也可以。），就是在不同高度上，测此处也可以。）有无有无问题问题各层图形检验要点各层图形检验要点 METAL METAL检验要点检验要点：1. 对偏对偏 2. 连条连条 3. 断条断条 4. 浮胶浮胶判断方法：判断方法：1. 长条分布较短条密集，且较细，容易连条。长条分布较短条密集，且较细，容易连条。跨过较多台阶的胶条（显微镜下显示为调焦距，胶下有黑色的印痕），容易出现断条或者齿状

19、。跨过较多台阶的胶条（显微镜下显示为调焦距，胶下有黑色的印痕），容易出现断条或者齿状。各层图形检验要点各层图形检验要点 PAD PAD检验要点检验要点：1. PAD区域残留区域残留 说明：说明：1. 本层对套准要求较为宽松，可以直接看图形的本层对套准要求较为宽松，可以直接看图形的PAD 显开方块是不是在显开方块是不是在PAD铝块中央即可。铝块中央即可。PAD显开区重点看边线，是否平直，边缘是否有残留物。显开区重点看边线，是否平直，边缘是否有残留物。注意区分注意区分METAL / PAD层图形。层图形。ADIADI的一些技巧的一些技巧如何判断片子是否已经涂胶？如何判断片子是否已经涂胶？如何判断本层薄膜颜色？如何判断本层薄膜颜色？如何判断前层的如何判断前层的 / 散胶散胶 / 划伤划伤 / 层次？层次？主平边角主平边角处有彩纹处有彩纹打标数字处打标数字处有彩色影子有彩色影子在显微镜下观察去边在显微镜下观察去边胶分界处，有胶和无胶分界处，有胶和无胶区域的颜色差异