光电技术综合实验指导 - (下)

1、实验2.5 光电二极管的特性参数及其测量1. 实验目的：硅光电二极管是最基本的光生伏特器件，掌握了光电二极管的基本特性参数及其测量方法对学习其他光伏器件十分有利。通过该实验，要熟悉光电二极管的光电灵敏度、时间响应、光谱响应等特性。2. 实验仪器： GDS-型光电综合实验平台1台； LED光源1个； 光电二极管1只； 通用光电器件实验装置2只； 通用磁性表座2只； 光电器件支杆2只； 连接线20条； 40MHz示波器探头2条；3. 基本原理：光电二极管是典型的光生伏特器件，它只有一个PN结。参考“光电技术”第3章3.1节的内容，光电二极管的全电流方程为I = （2.5-1）式中前一项称为扩散电流

2、，也称为暗电流，用Id表示；后一项为光生电流，常用IP表示。显然，扩散电流Id与加在光电二极管上的偏置电压U有关，当U=0时，扩散电流为0。扩散电流Id与偏置电压U的关系为 （2.5-2）式中，ID为PN结的反向漏电流，与材料中的杂质浓度有关；q为电子电荷量，k为波尔兹曼常数，T为环境的绝对温度。显然，式（2.5-2）描述了光电二极管的扩散电流与普通二极管没有什么区别。而与入射辐射有关的电流Ip为 （2.5-3）式中， h为普朗克常数，为硅材料的吸收系数，d为光电二极管在光行进方向上的厚度，为入射光的波长。显然，对单色辐射来讲，当光电二极管确定后，上述参数均为常数。因此，结论为光电二极管的光电

3、流随入射辐射通量e，线性变化，式中的负号表明光生电流的方向与扩散电流的方向相反。4. 实验内容：1、 光电二极管光照灵敏度的测量2、 光电二极管伏安特性的测量3、 光电二极管时间响应特性的测量5. 实验步骤：（1）搭建实验电路 认识光电二极管从外形看，光电二极管、光电三极管和5“子弹头”式LED发光二极管的外形非常相似，它们均有两个电极（管脚），且，一长一短，较长电极定义为正极，较短电极为负极。但是，仔细从顶端看去，能够看出它们的差异，光电二极管的光敏面积（显深颜色部分）较大，光电三极管较小，发光二极管没有。 光电二极管实验装置光电二极管实验装置即为半导体光电器件实验装置，只是将光电二极管插入

4、它的插孔。它的引出线通过2.1标准插座引出，其结构和接线如图2.2-3与图2.2-4所示。 搭建测量电路测量电路如图2.5-1所示，搭建时应该首先将光电二极管实验装置与LED发光光源装置相对安放在平台上，然后将光电二极管实验装置引线的红色插头插到负载电阻RL（例如选510k）的插孔中，再将负载电阻的另一个插孔与数字电流表的正极（红色插孔）用连线相连接，再将数字电流表的负极（黑色插孔）与平台左下角可调电源的负极（黑色插孔）相连，再将光电二极管的负极（黑色插头）插入到可调电源的红色插孔中，最后将数字电压表并接到光电二极管的两端，完成如图2.5-1所示测量电路的搭建。LED光源的供电电路的搭建与2.

5、2节光敏电阻亮电阻测量实验一样的步骤搭建。（2）光照灵敏度的测量图2.5-1 光电二极管偏置电路定义光电二极管的电流灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化（例如通量变化d）引起电流变化dI与辐射量变化d之比。通过对式（2.5-2）进行微分可以得到 （2.5-4）显然，当某波长的辐射作用于光电二极管时，其电流灵敏度为与材料有关的常数，表征光电二极管的光电转换特性的线性关系。1）暗电流的测量首先测量光电二极管的暗电流，测量电路如图2.5-1所示，当光电二极管处于暗室状态时，用图2.5-1数字电流表所测量光电二极管的暗电流。 将LED光源的一个引线插头拔出，使光电二极管处于暗室之中。 接通平台电源，即可

6、以直接从串联数字电流表读取光电二极管的电流读数时可以适当选择量程。 调整可调稳压电源的电压，观测数字电流表与数字电压表数值的变化，并将电流与电压表的示值记录下来，在直角坐标系中画出电流与电压的关系曲线即为被测光电二极管的暗电流特性曲线。2）光照特性的测量 标定光源图2.5-2 光电二极管光照特性测量完暗电流以后，将拔出的插头再插入电路。然后将平台提供的照度计与LED光源相对安装，通过改变LED供电电路的串联电阻（可串接电位器改变电阻）分别测出LED的电流Ip值及与之对应的光源出口处的照度值。便可以获得LED光源的光电流Ip与入射到被测光电二极管光敏面处的光照度Ev间的光照特性曲线。标定过程中，

7、把照度为表2.5-1的一些照度如10、20、30lx所对应的电流ILED记录到表2.5-1空格内，完成标定工作。表2.5-1发光二极管的电流与发出的光照度光照度Ev（lx）10203040506070电流ILED（mA）光电二极管光照特性测量实验标定完成后，将光电二极管实验装置与LED光源相对安装，然后根据表2.5-1的示值测量出不同光照下光电二极管的输出电流，填入表2.5-2。表2.5-2光电二极管光照特性测量值光照度Ev（lx）10203040506070电流ILED（mA）电流Ip（mA）由光照特性曲线很容易计算出光电二极管的光电灵敏度Sv （2.5-5）（2）光电二极管伏安特性的测量光

8、电二极管伏安特性的测量方法也分为两种。手工描点测量方法与利用实验仪器进行自动测量的方法。 描点测量方法手工描点测量方法是利用图2.5-1所示的电路测量出光电二极管的伏安特性，并描绘出特性曲线。在测量时，首先设定入射光的照度值，而后改变电源电压Ubb，用数字电压表测量光电二极管两端的电压UD，用数字电流表测量光电流Ip，将测量值填入表2.5-3中。表2.5-3光电二极管伏安特性测量值10（lx）电压UD（V）00.10.20.515812电流Ip（mA）20（lx）电压UD（V）00.10.20.515812电流Ip（mA）30（lx）电压UD（V）00.10.20.515812电流Ip（mA）

9、40电压UD（V）00.10.20.515812由图2.5-1可见，由于光电二极管两端所加的偏置电压均为负值。光电二极管在反向电压作用下的伏安特性曲线可将表2.5-2中的数值在如图2.5-3所示的直角坐标系找到对应点，再将这些点连成线便画出一族特性曲线。即为光电二极管的伏安特性曲线。自动测量的方法自动测量的方法是将发光二极管与被测光电二极管组装图2.5-4 光电二极管特性实验电路成如图2.5-4所示的电路。将实验平台上提供的阶梯信号接到发光二极管供电电路电路的输入端，使其发出阶梯光脉冲；而实验平台提供锯齿扫描波为被测光电二极管的偏置电源，使光电二极管上加载的电源由低向高逐渐增强。由于平台提供的

10、“阶梯波”与“锯齿波”均具有严格的“同步”关系，用实验平台的“示波器”探头将光电二极管输出信号接入计算机系统。便完成自动测量光电二极管伏安特性的准备工作。完成光电二极管电压由低到高变化（或扫描）一次，LED提供一个阶梯的亮度。也可以说在LED提供一个阶梯亮度的情况下，光电二极管的电源电压做一次由低到高的扫描。以扫描电压为横轴，以反映流过光电二极管电流（Ip）强度的输出电压Uo为纵轴做扫描图像便为光电二极管的伏安特性曲线。实验时，用平台提供的基本电子元器件构成如图2.5-4所示的LED供电电路，开机检查LED是否发出了阶梯光脉冲？然后再关机，搭建光电二极管的接收电路。并将LED与光电二极管安放在

11、一起，尽量靠近，避免杂光干扰，将平台上的2只示波笔分别接到锯齿扫描电压与光电二极管的输出端，并以锯齿波为x轴，以输出信号为y轴。图2.5-5 光电器件伏安特性实验软件界面调出光电综合实验平台的执行软件界面如图2.4-5所示，在界面上先选中“伏安特性实验”选定扫描频率在500KHz以下，如100KHz，然后点击界面上的“示波器”，弹出如图2.2-14所示的示波显示界面，选择通道1为红色，通道2为蓝色，将示波笔（探头）接入相应的通道，再点击“开始”菜单，屏幕上将显示出示波笔输入信号的波形。参考2.2节的内容。观察示波器的波形，调整相应的电阻，使显示的特性曲线确实符合测量需要后，再点击“停止”将在显

12、示屏上出现用示波笔所采集的信号波形（如阶梯波与锯齿波）。点击“返回”，便回到如图2.5-5所示的软件主界面，再设置“伏安特性测量”的采样频率和阶梯波的级数。设置方法是在主界面上直接用鼠标点击选择。与光敏电阻伏安特性测量方法类似，搭建好实验电路后，先用示波器探头1观测图2.5-4中左侧阶梯波信号，再用示波器探头2观测右部光电二极管输出信号，得到如图2.5-6所示阶梯波与输出信号波形，如果输出信号波形的每个台阶的高度均有一定的差异，高度尺寸不太小或太大，说明光电二极管的变换电路调得比较合适，则可以点击停止按键，将其抓屏保存，再点击“返回”按钮，回到主界面。然后在主界面上再点击“数据采集”，便会在界

13、面上显示出如图2.5-7所示光电二极管的伏安特性曲线。它为典型光电二极管器件的伏安特性曲线图。图2.5-7 光电二极管伏安特性曲线从光电二极管伏安特性曲线可以找到光电二极管的饱和区、线性区，它的电流放大倍率等参数。这些参数都是实际应用中很有价值的参数。图2.5-8 时间响应测量电路（3）光电二极管时间响应的测量光电二极管时间响应的测量电路如图2.5-8所示。图中左半部分为LED脉冲光源的供电电路，由平台发出频率可由软件选择的方波脉冲信号加于LED驱动三极管的基极使三极管的集电极电流发出脉冲电流，使LED发出脉冲光。电路的右侧为光电二极管的变换电路，它由RO为光电二极管GD提供反向偏置，并使光电

14、二极管能够接收到方波脉冲光辐射。用实验仪示波探头CH1接到发光脉冲信号输入端，而用仪器的另一示波探头CH2接到光电二极管输出端Uo，打开计算机并执行光电二极管时间响应测量程序，观测CH1与CH2的波形，根据CH2相对CH1的波形，测量出光电二极管的上升时间tr与下降时间toff，比较tr与toff值，计算出光电二极管的时间响应；最后，画出光电二极管的时间响应特性曲线。6. 关机与结束：1、 所测的数据及实验结果（包括实验曲线）保存好，分析实验结果的合理性，如不合理，则要重新补作上述实验；若合理，可以进行关机；2、 先将实验平台的电源关掉，再将所用的配件放回配件箱；3、 将实验所用仪器收拾好后，

15、请指导教师检查，批准后离开实验室。实验2.6 光电池的偏置电路与特性参数测量实验1. 实验目的硅光电池包含测量用的硅光电池、硒光电池与太阳能电池等，它们常有3种偏置方式，即自偏置（作为电池应用）、零伏偏置（测光用）与反向偏置（测光用）。在不同偏置的情况下硅光电池将表现出不同的特性（光电技术第2版3.2.3节对其进行了详细的叙述），适用于不同的应用，因此，学习掌握硅光电池3种偏置电路的及在3种偏置下表现出特性，对正确看待光电池，应用硅光电池进行清洁能源、光电测量与控制是非常重要的。本节通过典型光电池的各种偏置电路实验，掌握它们的特性。2. 实验内容1. 硅光电池在不同偏置状态下的基本特性；2.

16、测试硅光电池在不同偏置状态下的典型特性参数；3. 测量硅光电池在反向偏置下的时间响应；3. 实验仪器 GDS-型光电综合实验平台1台； LED光源1个； 硅光电池1只； 通用光电器件实验装置2只 通用磁性表座2只； 光电器件支杆2只； 连接线20条； 40MHz示波器探头2条；4. 实验原理硅光电池与光电二极管类似，具有光生伏特器件的特性，是典型的P-N结型光生伏特器件。硅光电池与光电二极管的不同之处在于它的光敏面积较大，P、N结型材料的参杂浓度较高，内阻较小，便于向负载供电（参见“光电技术”的3.2.3节对硅光电池的讲述）。1）自偏置电路图2.6-1 硅光电池自偏置电路与伏安特性曲线硅光电池

17、的自偏置电路的实验电路如图2.6-1(a)所示，用数字电压表测量硅光电池两端的电压，用微安表测量流过硅光电池的电流。显然，加在硅光电池两端的偏置电压由光生电流在负载电阻上产生的压降提供。因此，称其为自偏置电路。在自偏置情况下，硅光电池的电流方程为 （2.6-1）式中，电压U = IpRL，为自偏置电压。流过光电二极管的电流由两部分组成，一部分与入射辐射有关，另一部分与偏置电压（或负载电阻RL）成指数关系。由此可以得到Ip与RL间的关系和如图2.5-1(b)所示关系曲线，它应该位于第4象限，为方便分析与计算将其旋转到第1象限。当RL=0时，U=0时，相当于硅光电池处于短路工作状态；短路状态下，流

18、过硅光电池的电流为短路电流Isc，它与入射辐射通量e,的关系为 （2.6-2）短路状态下硅光电池的输出功率为零。为自偏置电路的特殊状态（RL=0），工作点位于直角坐标的纵轴上。另一个特殊状态为RL，即开路状态。此时，流过硅光电池的电流为零（Ip=0），可以推导出开路电压为 (2.6-3)显然，它应该位于横轴上，是对数函数，与光电流及暗电流成对数关系。同样，开路状态下的输出功率也为零。但是，0RL时，输出功率PL0。RL取何值使硅光电池的输出功率最大是利用硅光电池做电源向负载供电的关键技术。通过实验找到获得最大输出功率的最佳负载电阻Ropt是硅光电池自偏置电路的关键问题。2）反向偏置电路硅光电池

19、的反向偏置电路与光电二极管的反向偏置电路类似，PN结所加的外电场方向与内建电场方向相同，使PN结区加宽，更有利于漂移运动的光生电子与空穴的运动。只要外加电场足够大，光电流Ip只与光度量有关而与外加电压的幅度无关（如图2.5-1所示）。显然，反向偏置下的硅光电池不会对负载输出功率，只能消耗供电电源的功率。3）零伏偏置电路图2.6-2 硅光电池零伏偏置电路硅光电池在零伏偏置状态下具有良好的光电响应特性，它的暗电流为零。这是硅光电池零伏偏置的最大特点。真正绝对零伏偏置的电路是不存在的，但是，可以制作出近似的零伏偏置电路。如图2.6-2所示的电路为典型的硅光电池零伏偏置电路。图中，用高增益的高阻抗运算

20、放大器构成闭环放大电路具有对硅光电池的等效输入电阻Ri接近于零，使电路近似为硅光电池的零伏偏置电路。5. 实验步骤（1）自偏置电路的输出特性与最佳负载电阻 组装自偏置电路的输出特性首先将硅光电池装置和LED光源装置牢靠地安装到光学台上，使LED光源发出的光能够射入硅光电池上，构成如图2.6-3所示的结构。再按照图2.6-1所示的电路连接成自偏置电图2.6-3 硅光电池实验装置路。搭建电路的具体操作步骤如下： 将LED光源的红色插头插入+12电源插孔，将其黑色插头插入电流表的红色插座（+），将电流表的黑色插孔（）与50电阻相连接，再将50电阻的另一插孔与1k电位器的一个插孔相连，将电位器的插孔接

21、GND； 将LED光源与照度计探头相对放置，测量光源的照度； 将LED光源进行电流ILED与发光照度进行标定，确定所用照度下的电流ILED值；标定完成后，记录下所需要照度下的电流ILED值； 将光电池引出线的红色插头插入电流表的“+”插孔，电流表的“”与“负载电阻”的插孔相连接，再将光电池黑色插头插入“负载电阻”的另一端插孔中，最后将数字电压表跨接到光电池的两端。完成光电池自偏置电路的搭建。 实验过程中，先调整LED灯到表2.6-1所需要的电流值ILED，再读光电池输出的电流IP值和电压UP值，计算输出功率P；然后，改变负载电阻RL，再读电流IP值和电压UP值，计算输出功率P；记录不同负载电阻

22、值情况下的Ip与P填入表2.6-1； 再改变硅光电池光敏面上的照度Ev（调整电位器改变ILED值），再测一组流过硅光电池的电流Ip和对应的输出功率P，填入表2.6-1。表2.6-1硅光电池自偏置电路的测量数据照度Ev=50lx次数12345678RL（k）00.10.20.51.52.73.65.1Ip（A）输出功率P(W)10(lx)RL（k）Ip（mA）输出功率P(W)20(lx)RL（k）Ip（mA）输出功率P(W)100(lx)RL（）Ip（mA）输出功率P(W)图2.6-4 硅光电池伏安特性曲线坐标架填完表之后，可以将表2.6-1中的值在图2.6-4所示的直角坐标系上找到相应的点，并

23、将各点连接起来形成如图2.6-1（b）所示的特性曲线。显然，上述为常规的测量方法。现在，我们已经具有了能够自动测量硅光电池的基本条件，如何实现呢？作为一个问题写在这里，光电二极管伏安特性的自动测量方法可以供读者作为参考，请自行设计硅光电池自偏置状态下测量伏安特性曲线的方法和测量步骤。 测量最佳负载电阻从表2.6-1中可以看出，硅光电池在某照度下输出的功率P随负载电阻RL的变化而变化；而且，总存在这样的负载电阻RL，它所对应的输出功率最大，该负载电阻被称为最佳负载电阻，记作Ropt。对应不同照度下的最佳负载电阻Ropt的阻值不同，通过实验可以找到最佳负载电阻Ropt与入射辐射的关系。将负载电阻R

24、L用电位器代替，改变电位器的阻值，观察光电池输出电流的变化和输出功率P的变化，直到找出最大输出功率时为止，用“万用表”（或将电位器与数字电流表串联接入+12V电源，即可测量出此时电位器的阻值）测量出电位器此刻的阻值即为该照度下的最佳负载电阻。计算出的功率为该照度下的最大输出功率。（2）硅光电池的零伏偏置电路 零伏偏置电路的组成在光电综合实验平台中找到任意一个放大器和反馈电阻Rf，将其连接成如图2.6-2所示的零伏偏置电路。将相应的测量仪表也连接好。自行检查，无误后，打开光电综合实验平台的电源，将LED照明光源与硅光电池装成一对，可将已知照度的光投射到硅光电池光敏面上。用实验平台提供的数字电压表

25、测量零伏偏置电路的输出电压Uo，用数字电流表测量光源LED的发光电流ILED，通过改变ILED改变硅光电池光敏面上的照度，测出输出电压与入射照度的关系。将所测得的输出电压Uo与入射照度（或ILED）的关系画在如图2.6-4所示的直角坐标系上。 零伏偏置电路参数对光电转换特性的影响硅光电池零伏偏置电路的主要参数是反馈电阻Rf ，实验时用不同阻值的反馈电阻Rf ，测量其光电灵敏度，观测硅光电池的光电灵敏度与电阻Rf的关系。（3）硅光电池的反向偏置电路从实验平台备件箱中取出装有硅光电池的探头，按如图2.6-5所示的电路连接，由于加在硅光电池两端的电场与硅光电池PN结的内建电场的方向相同，阻挡扩散电荷

26、的运动而有利于漂移运动，因此称其为反向偏置电路。将LED光源与硅光电池探头按如图2.6-3所示的结构稳固地安装在光学平台上。并用实验平台上的数字电压表测量输出电压Uo。（b）光电池反偏电路图2.6-5 光电池反向偏置电路（a）反偏PN结如果反向偏置电路如图2.6-4（b）所示，输出电压Uo应为电源电压Ubb与光生电流IP在负载电阻RL两端产生的压降IpRL之差，即 （2.6-4）式中RL为负载电阻；由式（2.6-4）可见，输出电压与入射辐射e，的变化方向相反。实验时，先打开光电实验平台的电源，然后调整光源的电流ILED，使入射的光通量v，或照度Ev，为适当值，测出此时的光电流Ip与输出电压Uo

27、值，填入表2.6-2中；再改变LED光源的电流值，测得另一组数据，再填入表2.6-2。最终测得5组数据，根据所测数据，可以在直角坐标系上画出不同的光照特性曲线。表2.6-2为在一定电源电压下确定光通量的伏安特性曲线电压流流电U1U2U3U4U5U6I1I2I3I4I5图2.6-6 光电池反偏特性曲线将表中的数据用坐标表示，便画出如图2.5-6所示的特性曲线，曲线中，负载电阻值直接影响输出电压的变化量，影响电路的电压灵敏度。光电综合实验平台提供对硅光电池反向偏置电路进行实验的相关软硬件，使学生很方便地完成硅光电池反偏特性曲线的测试。测试时电源用锯齿波提供，入射到光电池上的光有LED光源提供阶梯光

28、输入端，软件菜单上选定好阶梯的步长，执行特性曲线测量软件，便可直接在计算机显示屏幕上观测到硅光电池反向偏置下的特性曲线。由特性曲线可以方便地测出硅光电池的电流灵敏度SI，电压灵敏度SV等参数。（4）测量硅光电池反向偏置状态下的时间响应图2.6-7 光电池反偏时间响应测量电路测量硅光电池反向偏置状态下的时间响应的测量电路如图2.6-7 所示，用示波器探头CH1测量LED发光管的驱动脉冲，用探头CH2测量光电池反向偏置电路的输出信号Uo，在光电综合实验平台软件主界面上选择“示波器”菜单，可以显示出如图2.2-15所示的时间响应曲线。要注意选择适当的采样频率，可选择频率为100kHz，即光源为100

29、kHz的方波脉冲。在100kHz的方波光脉冲的作用下，硅光电池的时间响应 。实验时，因所用硅光电池的面积不同，时间响应的差距可能很大，应适当调整采样频率，使观测效果最佳，能够读出它的上升时间ton与下降时间toff。6. 关机与结束：1、所测的数据及实验结果（包括实验曲线）保存好，分析实验结果的合理性，如不合理，则要重新补作上述实验；若合理，可以进行关机；2、将实验平台的电源关掉，再将所用的配件放回配件箱；3、将实验所用仪器收拾好后，请指导教师检查，批准后离开实验室。实验2.7 测量光电三极管的特性参数实验1. 实验目的：硅光电三极管是一种最基本、最常用的光生伏特器件，掌握它的基本特性和性能参

30、数的测量方法是应用硅光电三极管实现光电检测与控制的重要手段。通过本节实验，要求学生能熟悉光电三极管的光电灵敏度、时间响应、光谱响应等特性，掌握相关特性参数的测试方法。2. 实验仪器： GDS-型光电综合实验平台1台； LED光源1个； 光电三极管1只； 通用光电器件实验装置2只； 通用磁性表座2只； 光电器件支杆2只； 连接线20条； 40MHz示波器探头2条；3. 实验内容：1 光电三极管光照灵敏度的测量；2 光电三极管伏安特性的测量；3 光电三极管时间响应的测量；4 光电三极管光谱特性的测量；4. 实验原理图2.7-1 光电三极管原理结构图与电路符号为了提高光电二极管的电流灵敏度，提高内增

31、益，采用具有电流放大功能的晶体三极管制造出NPN或PNP型Si（或Ge等半导体）光电三极管。其原理结构及等效电路如图2.6-1所示。它是由两个PN结构成的半导体光电器件，在如图所示的偏置电压作用下，其集电结处于反向偏置，发射结处于正向偏置。因此，集电结构成的光电二极管因本证吸收所产生电子-空穴对中的空穴与处于正向偏置的发射结所发射的电子复合形成基极电流Ib，显然 （2.7-1）处于反向偏置的集电结收集基极电流Ib并放大倍。即 （2.7-2）显然，它是光电二极管灵敏度的倍。即它与光电二极管相比增益提高倍。光电三极管光电灵敏度的提高带来了光电特性的变化，它的光电灵敏度的线性、伏安特性与时间响应特性

32、都与光电二极管有所差异。这些在“光电技术”、“光电图像传感器应用技术”等教材中都有详细的论述。通过实验可以进一步认识这些问题，以便在实际应用中能够正确选择适当型号的器件，更为合理地应用光电三极管进行相关设计 。5. 实验步骤（1）光电三极管实验常识图2.7-2 光电二极管与光电三极管外形图先从光电综合实验平台备件箱中取出光电二极管与光电三极管，注意观察它们之间的共同点与差异，注意观察图2.7-2所示的光电二极管与光电三极管在一起的照片，从照片上怎样分辨是光电二极管还是光电三极管呢？分辨的方法是看其内部光敏区的面积，光电三极管的光敏面积小于光电二极管的光敏面积。因此顶端发黑色的是光电二极管（左侧

33、），而另一只是光电三极管（右侧）。（2）光电三极管伏安特性图2.7-3 光电三极管参数测量电路 常规测量方法光电三极管在不同照度下的伏安特性就像一般晶体三极管在不同的基极电流作用下的输出特性一样，光电三极管可以将光信号变换成电信号。 如图2.7-1所示为光电三极管的原理结构图，图2.6-1（a）所示为原理电路图。按图2.7-1（a）所示电路将光电三极管实验装置接入如图2.7-3所示的测量电路，接入方法与步骤与光电二极管实验相同，这里不再赘述。将实验平台上的数字电压表跨接到光电三极管的两端（发射极接电压表的负极），电流表串联入测量电路中（注意电表的极性应如图2.7-3所示），再用两棵带插头的引线

34、将负载电阻也串联入测量电路。电源电压可以选择+12V，也可以选择+5V（实验平台均能提供）。通过插线很容易构成测量电路。测量用的光源可以选用光电实验平台提供的LED照明光源，它能够通过改变电流实现不改变光源光谱成分情况下改变光电三极管光敏面上的照度。（可以事先用平台上的照度计事先标定好所用光源装置的电流与照度间的对应关系，然后再通过测量电流得知光源的照度）以便获得已知照度的光源进行伏安特性的测量。在一定照度的光源作用下慢慢调节如图2.7-3所示的电源电压Ubb（可以自行用平台提供的电子元器件构成可调电源），使之19V变化，或按表2.7-1表2.7-4给出电源电压值变化，测量光电三极管的输出电流

35、IL和光电三极管两端的电压U。填入表2.7-1表2.7-4。表2.71 在100Lx照度下U (V)1.01.52.02.53.54.04.55.05.5IL (mA)表2.72 在500Lx照度下 U (V)1.01.52.02.53.54.04.55.05.5IL (mA)表2.73 在1000Lx照度下U (V)1.01.52.02.53.54.04.55.05.5IL (mA)表2.74 在1500Lx照度下U (V)1.01.52.02.53.54.04.55.05.5IL (mA)根据表2.7-1表2.7-4的数据画出光电三极管在一定照度下的伏安特性曲线如图2.7-4所示。ILUL

36、图2.7-4光电三极管伏安特性实验曲线 仪器扫描自动测量方法仪器扫描自动测量法是通过仪器内部提供的扫描电路为光电三极管供给阶梯波光照和锯齿波偏置电压实现在一个阶梯光照下电源做线性变化，从而获得光电三极管的伏安特性曲线。自动测量法的操作过程与实验步骤如实验2.4“光电二极管伏安特性曲线的测量方法”相似，这里不再赘述。（3）光电三极管光照特性的测量 光电三极管的光照特性主要表现在它的暗电流特性与亮电流特性方面，通常采用如下方法进行测量。仍采用如图2.7-3所示的测量电路，先设定加在光电三极管上的偏置电压UD（或电源电压Ubb），然后改变入射到光电三极管上的光照度，测出对应不同照度下流过负载电阻RL

37、的电流IL，将IL填入表2.7-5；改变偏置电压，在重复上述过程，可以获得与表2.7-5类似的测量值，再根据这些测量值绘出如图2.7-5所示的光照特性曲线。显然，照度为0时输出的电流为暗电流。表2.7-5光电三极管的光照特性照度Lx01020304050607080I（mA）图2.7-5光电三极管光照特性实验曲线IL/mAEV/lx（4）光电三极管的时间响应图2.7-6 时间响应测量电路光电三极管的时间响应测量电路如图2.7-6所示，光电三极管时间响应测量系统的光源由发光二极管提供。由于发光二极管的时间响应远远小于光电三极管，因此，对于光电三极管来说发光二极管在方波脉冲电流作用下发出的光可以近

38、似为方波辐射。光电三极管在方波辐射作用下的响应标志着光电三极管的时间响应特性。因此，用图2.7-6所示的时间响应测量电路中光电三极管集电极输出信号Uo的波形能够测量出它的时间响应特性。图2.7-7 光电三极管变换电路的时间相应的测量输出信号Uo的波形存在着上升时间tr 和下降时间tf，它们都滞后于输入脉冲的两个边沿。因此，通过同步测量输入与输出脉冲的波形可以测量光电三极管的时间响应。测量时，将输入给发光二极管的方波脉冲接到实验平台输入端口CH1端上，既用它作数据采集的同步控制又要将其波形显示出来，输出信号Uo接到实验平台的另一个输入端CH3上，作为被测信号。接好后，合上实验平台电源和计算机的电

39、源，执行“光电综合实验平台软件”，再弹主菜单，在主菜单上选择适当的工作频率，如选择500KHz，执行“示波器”功能键，在示波器界面上点击“开始”，则界面出现如图2.7-7所示两示波器探头所测得的信号波形。其中下部方波为光源的驱动波形，上部为光电器件的输出波形。显然输出波形因器件的惯性而产生延迟，用鼠标右键可以测出波形任意点处的幅值与位置值（纵、横坐标值）；如图2.7-7中选择上升到幅值的10%的时间起点，如图2.7-8中选择上升到幅值的90%的时间终点，由图2.7-7及图2.7-8可以方便地测量出电路的上升时间与下降时间。图2.7-8 光电三极管变换电路上升到位波形图从图2.7-7与2.7-8

40、中可以看出，输出电压波形延迟于输入脉冲的波形，表明光电三极管的反向偏置电路存在着时间延迟现象，利用软件提供的测量工具，可以找到它的上升时间tr 和下降时间tf值。实验过程中应该具体计算出光电三极管的两种变换电路在不同工作频率下的上升时间与下降时间，通过实验，掌握时间响应的测量方法。实验结束后，将光电三极管的时间响应特性曲线用计算机抓图的方法存入计算机，并填入实验报告。6. 讨论：1、你能否利用光电综合实验平台提供的软、硬件资源设计用“数据采集”方法画出光电三极管在不颜色LED作用下的伏安特性曲线？2、光电三极管、光电二极管的伏安特性曲线有何相同与不同之处？为什么？3、光电三极管时间响应特性下降

41、的原因是什么？加大负载电阻的阻值会使时间响应变好还是变坏？4、你在光电三极管时间响应特性测试实验中用过测量时间的“测试线”吗？感觉如何？你能在此基础上设计出能够同时显示两条测试线的软件吗？7. 关机与结束：1、所测的数据及实验结果（包括实验曲线）保存好，分析实验结果的合理性，如不合理，则要重新作上述实验；若合理，可以关机；2、先将计算机关掉后再关掉实验平台的电源，再将所用的配件放回配件箱；3、将实验所用仪器收拾好后，请指导教师检查，批准后离开实验室。实验2.8 光电倍增管特性参数测试实验1.实验目的光电倍增管是最灵敏的光电传感器件，其暗电流、信噪比、灵敏度和时间响应等特性都具有独特的特点，是非

42、常优秀的一类光电器件。掌握光电倍增管的主要特性与参数对微弱辐射的探测具有非常重要的意义。2.实验器材 PMTS-II或-型光电倍增管实验仪1台； 耐高压连接线8只； 光点检流计（2.10-14A）1台。3.基础知识1）光电倍增管工作原理图2.8-1 侧窗鼠笼倍增管光电倍增管属于真空光电传感器件，它主要由光入射窗、光电阴极、电子聚焦系统、倍增电极和阳极5部分构成，光电倍增管有多种结构类型，典型光电倍增管如图2.8-1所示，为侧窗圆形鼠笼式光电倍增管。其工作原理见光电技术教材第4章，分下面5部分： 光子透过入射窗口玻璃入射到玻璃内层光电阴极上，窗口玻璃的透过率满足光电倍增管的光谱响应特性； 进入到

43、光电阴极上的光子使光电阴极材料产生外光电效应，激发出电子，并飞离表面到真空中，称其为光电子； 光电子通过电场加速，并在电子聚焦系统的作用下射入到第一倍增极D1上，D1发射出的光电子数目是入射光电子数目的倍，这些二次光电子又在电场作用下射入到下一增极； 入射光电子经N级倍增后，电子数就被放大N倍，图2.8-1所示的倍增管共有8级，即N=8； 经过电子倍增后的二次电子由阳极收集起来，形成阳极电流，在负载上产生压降，输出电压信号Uo。2）光电倍增管的基本特性参数光电倍增管的特性参数如下。光电灵敏度光电灵敏度是光电倍增管探测光信号能力的一个重要标志，通常分为阴极灵敏度Sk与阳极灵敏度Sa。它们又可分为

44、光谱灵敏度与积分灵敏度。关于灵敏度的定义问题请参考光电技术教材的第4章。光电倍增管的阳极光谱灵敏度常用Sa，表示，阳极积分灵敏度常用Sa表示，其量纲为A/lm。阴极光谱灵敏度Sk,Sk，表定义为阴极电流与入射光谱光通量之比，即（A/lm） (2.8-1)阴极积分灵敏度Sk 阴极积分灵敏度常用Sk表示，它为阴极电流与入射光通量（积分）之比，即（A/lm） (2.8-2)阴极灵敏度的测量光电倍增管阴极灵敏度的测量原理如图2.8-2所示。入射到阴极K的光照度为Ev，光电阴极的面积为A，则光电倍增管所接收到的光通量v为 (2.8-3)图2.8-2 光电倍增管供电电路接线图将式(2.8-3)代入式（2.

45、8-2）便可通过测量入射到PMT光敏面上的照度得到入射光通量，如果入射光为单色，则所测量出来的阴极灵敏度为光谱灵敏度；而入射光为白色，则所测量出来的阴极灵敏度为积分灵敏度。入射到光电阴极的光通量由LED发光二极管提供，用LED发光二极管很容易提供各种颜色的“单色光”，可以近似地将其看作光谱辐射量，在实验前先将LED光源用照度计进行标定；测量时，用数字电流表测出流过LED的电流ILED（ILED已被标定），它与照度相对应，当测出LED光源出光口的面积时，便很容易计算出它发出的光通量。实验中常用的光通量为2.10-52.10-2lm范围。阳极光照灵敏度SaSa定义为光电倍增管在一定的工作电压下阳级

46、输出电流Ia与入射到光电阴极上光通量之比，即（A/lm） (2.8-4) 电流放大倍数(增益)GG定义为在一定的入射光通量和阳极电压下，阳极电流Ia与阴极电流Ik之比，即 （2.8-5）由于阳级灵敏度为PMT增益与阴极电流之积，因此，增益又可表示为 (2.8-6)G描述了光电倍增管系统的倍增能力，它是工作电压的函数。暗电流Id当光电倍增管处于隔绝辐射的暗室中时，其阳极输出电流称为暗电流。暗电流与光电倍增管的供电电压Ubb有关，因此必须首先确定Ubb，才能测定它的暗电流Id。引起暗电流的主要因素有：欧姆漏电、热电子发射、场致发射、玻璃荧光与玻壳放电等。3）光电倍增管的供电电路光电倍增管的供电电路

47、常采用如图2.8-3所示的电阻链分压结构。它由N+1个电阻串联而成，其中N为光电倍增管的倍增极数。设流过串联电阻的电流为IR，则每个电阻上的压降为电流IR与电阻Ri的乘积，因此，加在光电倍增管倍增极上的电压为Udi=IRRi+1。 图2.7-3 光电倍增管常规供电电路接线图为确保流过电阻链中每个电阻的电流IR都近似相等，应满足关系IR10Iam （2.8-7）光电倍增管的输出电流Ia，在负载电阻Ra上产生的压降为输出电压信号Uo，即Uo=IaRa （2.8-8）图2.8-4 光电倍增管供电电路与偏置电路光电倍增管的供电方式有两种，即负高压接法(阴极接电源负高压，电源正端接地)和正高压接法(阳极

48、接电源正高压、而电源负端接地)。采用正高压接法的特点是可使屏蔽光、磁、电的屏蔽罩直接与光电倍增管的玻璃壳相连，使之成为一体，因而屏蔽效果好，暗电流小，噪声低。但是，这时的阳极处于正高压，使后面的处理电路难于连接。交流输出信号时虽然可以采用高压隔离电容进行隔离，但是会导致寄生电容增大；如果是直流输出，则不仅要求传输电缆能承受高压，而且后级的直流放大器也处于高电位状态工作，会产生一系列的不便，危险性也增大。负高压接法的优点是阳极电位低，便于与后面的放大器连接，如图2.8-4所示，直接与直流放大器相连，又可以通过电容只输出交流信号。使用操作安全又方便。负高压接法的缺点是玻壳的电位与阴极电位接近，为负

49、高压，玻璃壳与屏蔽罩之间的电场很高，为降低它们之间的电场，防止玻壳放电的发生，必须使它们分离12cm。4.实验内容与步骤1）实验内容 光电倍增管阳极暗电流Id的测量； 光电倍增管阳极光照灵敏度Sa的测量； 光电倍增管的灵敏度Sa与电源电压Ubb的关系； 光电倍增管的电流增益G的测量。2）实验步骤（1） 熟悉光电倍增管实验仪 PMTS-II光电倍增管实验仪的共同点是： 仪器内部暗室里安装有GDB221型圆形鼠笼式8倍增级的光电倍增管； 实验光源为可切换发光颜色的LED灯，灯的亮度能够通过电位器进行无级调整； 仪器面板上装有独立电源的数字电表可供实验应用，左起第一块电压表的量程是20V、200V、

50、2000V，分3档进行切换；左起第二块电压表的量程是2V、20V、200V，分3档进行切换； 两块电流表也是3档可切换量程的，均为0.2mA、2 mA、20 mA，基本满足实验过程所用。 仪器面板上还安装有高压电源的调压旋钮（左面第一个），能够调整光电倍增管实验所用的负高压电源的电压，旋钮上的标记标明电压的高低，逆时针旋转电压最低，顺时针旋转电压增高。 面板上还安装了照明光源亮度的调整旋钮，同样，顺时针旋转亮度增强。图2.8-5 光电倍增管实验仪外形图PMTS-II型光电倍增管实验仪的外形图如图2.8-5所示，它的发光颜色切换开关安装在仪器面板右侧，标有“光源切换”字样，按动按键，旁边的“光源

51、指示”灯的颜色将发生变化，标志着光电倍增管实验仪内部工作照明灯的颜色在改变，内、外的颜色同步。光电倍增管实验仪的下面安装有2个开关，右侧是仪器的电源总开关，左面是实验光源的“光源开关”，为测量光电倍增管暗电流时关灯用。面板上还安装有8个插孔并分别在其上方标有字符，注明其功能。其中的“LED+”为内部照明灯供电电路的正极，可用连线接入量程为20mA电流表的“+”端，“LED-”是负极，应该用连线接入量程为20mA电流表的“”端，用电流表示值测量各色光源的发光亮度。“E”为负高压电源输出端，它与“GND”插孔之间的电压为负高压（可由“高压调整”旋钮调整）；“K”为光电倍增管的阴极引出插孔；“D1”为光电倍增管第1倍增极的引出端，“DN”为光电倍增管最末一极倍增极（即为第8极）的引出端；“A”为光电倍增管的阳极引出端。上述插孔是光电倍增管特性参数测量过程中实现图2.8-2至2.8-4电路图的关键。 （2） 暗电流测量实验步骤 先将光电倍增管实验仪取出，明确它的型号，查阅使用说明书，仔细观察仪