半导体二极管的结构及特性_第1页
半导体二极管的结构及特性_第2页
半导体二极管的结构及特性_第3页
半导体二极管的结构及特性_第4页
半导体二极管的结构及特性_第5页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、1.2.1 半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型构成：构成：pn结结 + 引线引线 + 管壳管壳 = 二极管二极管 (diode)符号：符号：a(anode)c(cathode)分类：分类：按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝n型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型n型锗型锗pn结结 正极引线正极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金锑金锑合金合金平面型平面型正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型pnp型支持衬底型支持衬底1.2.

2、2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性oud /vid /ma正向特性正向特性uth死区死区电压电压id = 0uth = 0.5 v 0.2 v(硅管硅管)(锗管锗管)u uthid 急剧上升急剧上升0 u uth ud(on) = 0.6 0.7 v硅管硅管0.7 v0.2 0.3 v锗管锗管0.2 v反向特性反向特性isu (br)反向击穿反向击穿u（br) u 0 id = is 0.1 a(硅硅) 几十几十 a (锗锗)u u（br）反向电流急剧增大反向电流急剧增大 (反向击穿反向击穿)反向击穿类型：反向击穿类型：电击穿电击穿热击穿热击穿反向击穿原因反向击穿原因： 齐纳击穿齐纳击穿：（zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压击穿电压 6v, 正正温度系数温度系数)击穿电压在击穿电压在 6 v左右时，温度系数趋近零。左右时，温度系数趋近零。id / maud / v0.20.4 25 50510150.010.02锗管的锗管的伏安特性伏安特性0604020 0.02 0.0400.4 0.82550id / maud / v硅管的硅管的伏安特性伏安特性1.2.3 温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响604020 0.02o 0.42550id / mau

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 农林牧渔

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论