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文档简介

1、2015-2016第二学期微电子制造工艺技术考查卷班级_姓名_学号_成绩_一、 名词解释（共25分）：1 请阐述摩尔定律的内容。(4分）2 请对如下英文缩写给出简要解释：（每空3分） ic: ssi: msi: lsi: vlsi: ulsi: gsi: 二、 简答题（每题5分，共25 分）： 1、半导体工业由那几部分构成？ 2、物质的状态分为几种？分别是什么？ 3、晶体缺陷主要有几种？ 4、请描述热处理的工艺过程? 5、光刻的目的是什么?三、 简述题（每题15分，共30 分）： 1、请描述光刻的工艺流程。 2、防止人员污染的措施有哪些？四、 计算题（ 20 分）： 假设晶元生产良品率90%，

2、晶圆电测良品率70%，晶圆封装测试良品率92%，请计算晶圆整体良品率。2015-2016第二学期微电子制造工艺技术考查卷答案一、名词解释（共25分）：3 答：摩尔定律：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。(4分）4 请对如下英文缩写给出简要解释：（每空3分） ic:集成电路 ssi:小规模集成电路 msi:中规模集成电路 lsi:大规模集成电路 vlsi:超大规模集成电路 ulsi:特大规模集成电路 gsi:巨大规模集成电路二、简答题（每题5分，共25 分）： 1、半导体工业包括材料供应商、电路设计、芯片制造和半导体工业设备及化学品供应商。 2、物质有4种状态：固态、液态、气态和等离子态。 3、晶体缺陷主要有点缺陷、位错、层错、微缺陷。 4、热处理是简单地讲晶圆加热或冷却来达到特定结果的工艺过程。 5、光刻的目的：在半导体基片表面，用图形复印和腐蚀的办法制备出呵护要求的薄膜图形，以实现选择扩散或注入、金属膜不限或表面钝化等目的。三、简述题（每题15分，共30 分）： 1、请描述光刻的工艺流程。 基片前处理涂光刻胶前烘曝光显影后烘刻蚀去胶 2、防止人员污染的措施有哪些？ 1）把工作人员完全包裹起来：选择无脱落材料全封闭的洁净服。 2）严格遵守穿衣

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