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文档简介

1、功函数的计算功函数的计算一、热电子发射和功函数一、热电子发射和功函数A：常数：常数W：功函数：功函数(或脱出功或脱出功)，将固体，将固体中的电子移至其表面、并处于中的电子移至其表面、并处于自由状态所需的最低能量。自由状态所需的最低能量。V0EF0 xVW金属金属真空真空热电子发射的电流密度为热电子发射的电流密度为2expBWjATk T Richardson定律定律0FWVEV0：真空能级（势阱的深度）：真空能级（势阱的深度）W : 26 eV。此值与晶体方向此值与晶体方向有关，变化范围约有关，变化范围约1eV。二二. 功函数的计算模型功函数的计算模型 构造如右图所示的构造如右图所示的2维无限

2、阵列，计算维无限阵列，计算的材料就是图中的板，板间是真空层。用的材料就是图中的板，板间是真空层。用CASTEP计算此体系的计算此体系的EF 和板间的静电势和板间的静电势分布分布 (r)，在平行表面的方向上对静电势取，在平行表面的方向上对静电势取平均，从而在板间得到平均，从而在板间得到V0 ，进而得到，进而得到W。 由于功函数由于功函数W的数值依赖于晶体结构和的数值依赖于晶体结构和晶面取向，所以计算时需先优化体材料的晶晶面取向，所以计算时需先优化体材料的晶体结构，再绘制体结构，再绘制2维阵列。可以优化块层表维阵列。可以优化块层表面和块层内部的原子坐标，也可以不优化。面和块层内部的原子坐标，也可以

3、不优化。通过这些选择，人们可以研究表面弛豫对功通过这些选择，人们可以研究表面弛豫对功0.8-1 nm3 nm.slab函数的影响。一般建议利用函数的影响。一般建议利用constraints，固定块层中间的原子，使，固定块层中间的原子，使其保留体材料的结构。其保留体材料的结构。 对块层进行计算时，为了反映体材料的性质，块层的厚度至少在对块层进行计算时，为了反映体材料的性质，块层的厚度至少在0.8-1nm。为了避免块层相邻表面间静电势的相互干扰，并使静电势达。为了避免块层相邻表面间静电势的相互干扰，并使静电势达到其渐进值，真空层的厚度至少为到其渐进值，真空层的厚度至少为3nm。计算思路：计算思路：对一定的晶体结构，求出总电子能量最低对一定的晶体结构，求出总电子能量最低的电荷密度分布的电荷密度分布 (x)，再根据右式计算位置，再根据右式计算位置x处的电势处的电势 (x)。0( )( )4x dVxxx显示成球棒结构转化为原胞性质不选优化成功Save project, close all 打开优化后的W恢复为晶胞，准备切面其它不变，改厚度至9埃切出一个厚度约9埃的表面。足够厚，表示体性质。Save project，工作窗口仅保留表面结构。30斜拉鼠标，选中中间的一些原子。现在弛豫表面一层的原子。严格计算应该slab取厚检查后，恢复按照Elemen

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