SDRAM功耗计算

1、实用标准文档文案大全sdram/ddr 功耗计算标签：工作存储嵌入式百度测试2012-04-18 22:58 4907人阅读评论(5)收藏举报三分类:硬件(151 ) 声明：本文为博主原创文章，未经博主允许不得。在进行嵌入式系统设计过程中总功耗的计算是一个无法绕开的问题，在总功耗的计算过程中尤其以 SDRAM、DDR、DDR2等动态随机 存储器件的功耗难以把握和计算。本人在进行电源IC选型时采用估算措施，一般嵌入式系统总电流不会超过 400mA，所以选择电源IC只要 在500mA以上即可；电子工程师在选电源 IC计算系统总功耗时，总 是会在计算DRAM器件功耗时难以下手而不得不对其进行估算。本

2、人 本着将革命进行到底的精神，在闲暇时间百度一些相关资料后进行了学 习总结。1.DDR功耗计算现以DDR为例进行功耗计算，此过程可以推广到 SDRAM和DDR2 功耗计算。DRAM器件功耗难以准确计算的原因是由于该类器件工作 状态繁多，且系统运行过程这些状态还不断切换，这些都为功耗的计算造成了阻碍。具体计算存的功耗不是很容易的事， 我们计算的结果只是实用标准文档文案大全首先必须了解芯Write CM怙 Register2*tM 內館ecm unit4 16irllylirllyll lI ICLK /cuOCE /cs /RAS /CAS/WEUPQMLDQMJ-BarkControlAOfi

3、ifJWK -EAO EAlGoimwuidDecaterAddreuBufferMode8MK1& BANK 了SMX16 BAK2Wife BANK 1i321*BATIK 0Memory Cell ArrySense AMPDU?lOutjxiEpmer一个假定工作条件下的平均值。为了估算存芯片功耗,片的一些基本功能，下图是 DDR功能模块图：从上图可以看到，每个 BANK都有一个SENSE AMPLIRERS（读出放大器）,在进行读、写、自动刷新等操作时，需要先把存储阵列中的数据进 行缓存后才能进行操作，SENSE AMPLIRERS就是这个缓存器。DDR大致有以下几种工作状态，特总结

4、如下：16Dots Strwe TransmitterData StrobeReceiverOKrfcwDecoderUDQS. LDQSMadeRegisterUDQS. LDQSCdumn Address Counter32COkimnDecoder实用标准文档文案大全写、自动刷新、自ACTIVE （激活）、Precharge （预充电）、读、刷新ACTIVE （激活）用简单的一句话来描述，激活命令的作用就是将选择地址的bit信号送入读出放大器，以供下一步的读或写做准备。从字面上来理解，就 是将存储矩阵电路中位信号发送到读出放大器以供外设使用，也就是将存储信号激活。预充电（Precharg

5、e ）指关闭所有行地址线（rowline ），所有列地址线（bitline ）接1/2Vcc源经 过足够长时间冲或放电使列地址电容电压值达到1/2VCC的动作。对不同列地址进行读或写都要进行新的预充电。芯片上电后最先做的动作就是预充电，它是其他操作的基础。读芯片上电确定地址，进行预充电再进行激活处理将数值发送到读出处理器，再发送到I/O 口；这就是读操作的全部流程。芯片上电确定地址，进行激活处理将外设传递数据保存到读出处理器，再通 过预充电操作将数据压入存储矩阵电路。以上对sdram类器件的基本操作做了简要描述，这样对计算该类功耗计算实用标准文档文案大全起到了非常好的撬动作用。计算存电源消耗的

6、最重要的参数是操作电流Idd参实用标准文档文案大全数，这些值在标准的存芯片参考手册上都可以查到。下面的列表介绍了DDR存芯片的各种Idd电流的具体含义：T- - QfKratinq Current:One bank; Artiw- Precharge-;DCDMand DQ inputs dunging twiceper oock cycle; aMress and (Dfitrol ipui5 changing once per d( (x* !- F -DDOCurrnvOftc twnk; Active EUad - Ptedwq:BurHiengtri=2;口恤町；tcx ：tcXmi

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13、的比例CKE_LO_ACT%等等。这时，相应的公式要调整为：巴片帆山V11)* BNK_PRE i* CKI LO PKI：%实用标准文档文案大全Fihrstw卩RPJi C 1-CKB_L( (VRS%P讷n W IMUVDP CbiBNK PRE%) *CKE,LO ACT% P.AC i、俪产 IM“TOI尸 I - BK fRL：%) )( ( K Kt LO_ACrn) )单个芯片电源消耗的计算方法学会之后，我们还可以类推到整个存模块的功耗计算。下面我们就举例来分析一下 4根1G的DIMM正常工作时的电源消耗，芯片采用 Samsung K4H560838D DDR333 64MX4的

14、芯片。1DOO90IDD11201DO2P3IDD2F25IPDJQ20IDD3P3SIDD3N55IDD4R70IDD4W170IDD5180IDOONcrmal3_Low power1.51DD7A弓假设的系统工作条件如下:实用标准文档文案大全PornfCotnumfriioit 別 MwePIPAE 伽i；P(PRE S18Y4piWP ACT PD97fT.WPMCLSTBY)51 1mWPlPEF)13?mW439mWPtWPj399nW吋匸799mWP(DQJ10 319Tt7;t.i idvt归9亦山理初師!0 p*r130 1Total Rd血mW2&56nWri ver据古玷

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17、I血F和h和皿:血11仃I血郸龙汁算Power LMun横成卜的协拯期乩麻便阳11锻【酥.血it H Aciive 欢葛，郝使阳1呦电孤p: er :tl5敷屮i炉铢悴电ifitJVf -Mft I肿+ 4计皿护叫樣卄时均便町 試个电探值4 SDR f 1DDR故酣倚別ft出縊的旺配WJ DIM屮直按通过 tHlHHtVt:. :| t?畤取披缽的fl何ftffiVjiSt、SDR孔常朗 啊Sfl的葩R后面是从美光网上下载的功耗计算文件，感兴趣的可以自己分析icronSDRAM Configuration and Data Sheet ParametersDRAJ. Density12S訂财审

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