基于FLASH的TMS320C6416-DSP-ROM加载方法

1、精品文档基于FLASH的TMS320C6416 DSP ROM加载方法摘要：简单介绍TMS320C6416的引导方法。通过CCS把用户的应用程序烧到FLASH中。当DSP复位时引导装载程序装载位于FLASH的前1KB中的二次引导程序放在DSP的存储器0处。传输完成后DSP从0地址开始执行程序 ,二次引导程序加载用户应用程序。关键词：DSP 闪烁存储器 二次引导装载 Rom Boot Method of TMS320C6416 Dsp Based on Flash WANG Min-zhi ,CAO yuan-jiang ,CHEN Xing-hu（Nanjing Marine Radar In

2、stitute, Nanjing 210003, China）Abstract: This paper introduces the characteristics and the program method of the dspTMS320C6416.The program is written to the flash by the CCS.The second bootloador program which is in the first 1KB of the flash is transferred to memory located at the address 0.At the

3、 end of the transfer,the CPU remove from the reset and start from memory location 0,then,the second bootloador program boots the users program.Keyword: DSP; flash; second bootloador1、 引言对于TI公司C6000系列DSP的ROM加载过程是：位于CE1空间的ROM中的代码首先通过DMA/EDMA被搬入地址0开始的内部存储器。加载过程在复位信号撤消之后开始 ,此时CPU内部保持复位状态 ,由DMA/EDMA执行1个单

4、帧的数据块传输。传输完成后 ,CPU退出复位状态 ,开始执行地址0处的指令。对于C62x/C67x ,用户可以指定外部加载ROM的存储宽度 ,EMIF会自动将相邻的8bit/16bit数据合成为32bit的指令。对C620x/C670x,ROM中的程序必须按little-endian的存储模式存储；对C621x/C671x,ROM中的程序存储格式应当与芯片的endian模式设置一致。C64x只支持8bit的ROM加在 ,ROM中的程序存储格式需要与芯片的endian模式设置一致。对于不同的芯片 ,加载过程还略有不同。 对C620x/C670x,DMA从CE1空间中拷贝64KB数据到地址0处 对

5、C621x/C671x/C64x,EDMA从CE1空间（对C64x是EMIFB的CE1空间）中拷贝1KB数据到地址0处 图1 TMS320C6000 ROM BOOT 过程2、 TMS320C6416芯片的性能特点TMS320C6416是TI公司最新推出的高性能定点DSP ,其时钟频率可达720MHz ,最高处理能力为5760MIPS ,软件与C62X完全兼容 ,采用先进的甚长指令结构（VLIW)的DSP内核有6个ALU（32/40bit） ,每个时钟周期可以执行8条指令 ,所有指令都可以条件执行。该DSP具有Viterbi译码协处理器（VCP）和Turbo译码协处理器（TCP)；采用两级缓存

6、结构 ,一级缓存（L1)由128Kbit的程序缓存和128Kbit的数据缓存组成 ,二级缓存（L2)为8Mbit；有2个扩展存储器接口（EMIF) ,一个为64bit（EMIFA) ,一个为16bit（EMIFA) ,可以与异步存储器（SRAM、EPROM)或同步存储器（SDRAM、SBSRAM、ZBTSRAM、FIFO）实现无缝连接 ,最大可寻址空间为1280MB；具有扩展的直接存储器访问控制器（EDMA） ,可以提供64条独立的DMA通道；主机接口（HPI)总线宽度可由用户配置（32/16bit） ,具有32bit/33MHz ,3.3V的PCI主/从接口 ,该接口符合PCI标准2.2版

7、,有3个多通道串口（McBSPs） ,每个McBSPs最多可支持256个通道 ,能直接与T1/E1、MVIP、SCSA接口 ,并且与Motorola的SPI接口兼容 ,片内还有一个16位的通用输入输出接口（GPIO）。3、 SST39VF160的主要特点及编程方法SST39VF160是SST公司新推出的1M16位产品 ,具有以下主要特点：（1）支持单电源操作 ,可分为满负荷电压供电（2.7V3.6V）和电压范围可调节（3.0V3.6V）供电两种方式。满负荷电压供电压供电方式主要用于电池供电的应用中 ,而电压范围可调节供电方式直接与3.3V的高性能DSP接口 ,简化了系统的电源要求。（2）最快的

8、存取速度高达70ns ,CMOS工艺 ,具有100000次写入/擦写寿命,数据可保持100年不丢失。（3）低功耗（4uA的自动休眠电流 ,4uA的待命电流 ,15mA的编程/擦除电流）。（4）灵活的块结构支持整片擦除、块擦除。段擦除18ms ,块擦除18ms ,整片擦除70ms,字编程14us。（5）数据查询位和数据切换位 ,可以通过软件方法检测编程/擦除操作的状态。（6）Ready/Busy#管脚 ,可以通过硬件方法检测编程/擦除操作的状态。（7）内嵌的擦除/编程算法能自动对整个芯片或某几个块进行擦除编程操作。 4、通过CCS烧写FLASH的方法TI公司提供了一个烧写FLASH的软件 ,但是

9、那需要将程序编译后生成的OUT文件再转换成ROM格式；或者是先将应用程序编译后导出到一个二进制文件中 ,再通过CCS编程序从这个二进制文件中一个一个的读入并写进FLASH。笔者要介绍的方法与上述两个方法不同。根据SST39VF160的时序 ,编写一个搬运程序 ,注意与DSP的BOOT程序的区别 ,这里的搬运程序是将在CCS中打开的工程的内容原封不动的搬到FLASH中 ,如此完成FLASH的烧写。根据这个思想 ,需要编写两个工程：一个主程序工程（即用户应用程序 ,其中包括二次引导程序） ,一个搬运程序工程。搬移程序不能使用与主程序的程序空间和中断向量表重合的物理空间 ,以免覆盖。烧写时 ,同时打

10、开主程序和搬移程序的PROJECT ,先LOAD主程序 ,再LOAD搬移程序 ,然后执行搬移程序 ,烧写OK!该方法应该是最简单的方法 ,只要在搬运程序中合理的调用下面列出的子程序 ,即可完成FLASH的擦除与编程。图2 片擦除和编程命令流程图1）、FLASH擦除子程序 FLASH编写之前 ,应对FLASH进行擦除 ,使其每个数据位恢复1状态 ,即全FF状态。void erase_flash() *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055; *(unsigned

11、 volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010; delay(); 这里FLASH_ADR1代表0x64005555、FLASH_ADR2代表0x64002AAA。2）、FLASH单字编程子程序void Program_One_Word (BYTE SrcWord, BYTE *Dst) BYTE *Dest

12、Buf; BYTE *Temp; DestBuf = Dst;Temp = (BYTE *)(WORD)FLASH_START+(0x5555); /* set up address to be 6400:5555h */ *Temp = 0xAA; /* write data 0xAAAA to the address */ Temp = (BYTE *)(WORD)FLASH_START+(0x2AAA); /* set up address to be 6400:2AAAh */ *Temp = 0x55; /* write data 0x5555 to the address */ T

13、emp = (BYTE *)(WORD)FLASH_START+(0x5555); /* set up address to be 6400:5555h */ *Temp = 0xA0; /* write data 0xA0A0 to the address */ *DestBuf = SrcWord; /* transfer the byte to destination */ Check_Toggle_Ready(DestBuf); /* wait for TOGGLE bit to get ready */void Check_Toggle_Ready (BYTE *Dst) BYTE

14、Loop = TRUE; BYTE PreData; BYTE CurrData; unsigned long TimeOut = 0; PreData = *Dst; PreData = PreData & 0x4040; while (TimeOutA4 | mvkl SOURCE_START,B4 ;flash start address -B4 mvkh CODE_START,A4 | mvkh SOURCE_START,B4 zero A1_boot_loop2: ldb *B4+,B5 mvkl CODE_SIZE,B6 ;B6 = BOOT_SIZE -1024 add 1,A1

15、,A1 ;A1+=1,inc outer counter | mvkh CODE_SIZE,B6 cmplt A1,B6,B0 nop stb B5,*A4+ B0 b _boot_loop2 nop 5 RESET_RST: mvkl .S2 _c_int00, B0 mvkh .S2 _c_int00, B0 B .S2 B0 nop 5结束语把程序烧写入Flash后 ,复位C6416 ,使用示波器测试定时器输出引脚 ,观察程序运行正确与否。通过上述方法可完成C6416对SST39VF160 Flash 的烧写 ,很好地实现了C6416上电后的用户程序自举引导功能。 参考文献：1TMS320C6000系列DSPs的原理与应用. 任丽香 马淑芬 李方慧编著 电子工业出版社2TMS320C6x Optimizing C Compiler Users Guide .Texas Instruments Incorporated,19993. TMS320C6x Assembly Language Tools Users Guide. Texas Instruments Incorporated,19994