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文档简介

1、场发射显示器驱动电路设计摘要场发射显示器(fed)是一种非常有市场竞争力的新型平板显示器,fed的基本原理与阴极射线管(crt)是比较相似的并且兼有液晶显示器(lcd)和等离子体显示器(pdp)等薄型平板显示器的优点,具有很大的市场开发潜力。由于发展初期 人们将目光和精力主要集中在研究场发射显示器的阴极的发射电压、发射电流、 亮度以及寿命等问题上,在一定程度上忽视了其驱动电路的研制。本文简要的介 绍了场发射显示器的发展过程和发射原理,主要对场发射显示器的阴极发射材料的发展和驱动点电路的设计做了比较深入的研究,主要分析了驱动电路的二级结构和三级结构,并简要的分析了场发射显示器在发展过程中所面临的

2、一些有待解 决的问题和研究中遇到的困难,并且对今后的场发射显示器所发展的方向做了一 定的展望。关键词:场发射显示;阴极材料;驱动电路the design of driving circuit for field emission displayabstractfield emission display (fed) is a very competitive in the market of new type of flat panel display, fed the basic principle and the cathode ray tube (crt) is compared wit

3、h similar and both liquid crystal display (lcd) and plasma display panel (pdp) thin flat panel display advantages, with great development potential in the market. due to the early development of the people will look and energy mainly concentrated in the research field emission display cathode emissi

4、on voltage and emission current, brightness and life issues. in a certain extent, ignored the development of the drive circuit. the brief introduced field emission display of the development process and principle of transmission, mainly of field emission display cathode emission materials to develop

5、 and drive circuit design made a more in-depth study, the main analysis of the driving circuit of the secondary and tertiary structures, and jane to the analysis of the field emission display faces in the development process of some pending the difficulties encountered in the problem to solve and re

6、search and on the future of field emission display the development direction do certain outlook.keywords: field emission display; cathode materials drive circuit1引言科学技术的迅猛飞速的发展使人们对生活需求不断提高,同时人们对高清晰 大屏幕的平板电视的需求也越来越渴望,实现大屏幕显示的技术很多,主要有液 晶显示器(liquid crystal display,lcd )、有机电致发光显示器(organic light emitting

7、 display,oled )、等离子显示器(plasma display panel,pdp )、电 致发光显示器(hector l uminescent display ,eld)等。随之场致发射显示器 (field emission display,fed )的迅速发展也快速的引起了人们的极大兴趣, 因为它是八十年代末刚问世的真空微电子学的产物,并且展示出强大的市场潜力与竞争力。场发射显示器的显示原理与传统阴极射线管 (cathode-ray tube,crt) 非常接近。传统阴极射线管是一种采用热阴极技术的平板显示器, 恰恰相反,场 发射显示器是一种采用冷阴极技术的新型平板显示器。 f

8、ed因为crt勺高图像质 量和lcd的薄型低功耗的诸多优点,是市场上公认的crt勺下一代产品,因而备 受亲睐。与此同时,fem pd葭样也可以实现大面积显示,其在发光效率(5-15lm/w)、亮度(1000cd/itf)、视角等方面具有与lcd和pdpffi当的优势。 fed备受市场推崇,还有其他的优点,比如:分辨率很高、良好的色在性、超高 的对比度(大于100:1 )、在极高和极低的温度下依然性能依然良好、快速响应 能力、抗振动冲击、电磁辐射强度低、性价比高、容易实现数字话显示。基于 fed以上的优点,世界上很多电子科研机构都对 fed!行了详细深入的研究。2场发射显示原理场发射显示器(fi

9、eld emission display , fed的基本结构是由两块平 行的交叉电极构成的可寻址的电子场致发射阵列基板和靠支撑体支撑涂有三基 色荧光粉像素阵列的前板两部分组成,最后经过真空封装构成。如图1所示fed 的基本结构图。场致发射显示是当栅极相对于底电极加上正向电压时,阴极尖锥的尖端产生非常强的电场(电场强度大于 50000000v/cm),在强电场作用下阴 极表面势垒高度将会降低,宽度也将会变窄,电子将从阴极内部穿出,在隧道效 应的作用下穿过势垒发射到真空中,轰击三基色荧光粉层,从而达到发光的目的。如图2所示场发射显示器器件的原理图。场致电子发射是一种比较有效的电 子发射方式,发射

10、电流密度不但很高,而且时间没有迟滞性,且功耗低。此外场 致发射时,随着外加电场的不断增强,发射体表面势垒的高度将会越来越低,宽度也会越来越窄,因此发射表面逸出的电子也将会越来越多,致使场发射电流也将会越来越大。根据fowler-nordheim公式,场发射电流密度为:j=0.00000154*(町*(p)exp(-0.000000687( e/口)上式中:u是外加电压(v ,力是材料表面逸出功(ev) , p是发射阴极的几何因子(cm)。从上式中可知要得到足够大的发射电流,可以从以下三 个方面来做出改进:第一点:从栅极工作电压考虑,应该尽可能的提高栅极工作电 压;第二点:是从发射材料考虑,应该

11、采用表面逸出功比较低的发射材料或者将 逸出功比较低的材料涂敷在阴极的表面;第三点:可以改变阴极的几何形状从而 提高几何因子,通过以上三点来实现我们要达到的目的。图1 fed的基本结构上捱板直流4电源图2场发射显示器器件原理图灵光的从透明电极3驱动电路的阴极材料显示器经过飞速的发展,已经达到了另外一种比较高水准的场发射显示器。虽然场发射显示器相比较前面几种平板显示器已经初步展现出了多方面的优越 性和巨大的市场潜力,但是仍然还有很多的关键性问题需要我们研究解决,比如较大面积的冷阴极阵列的制备、显示的均匀性、多极结构的研制、适合场发射显 示器的荧光粉等诸多问题。场发射阴极材料的研究是目前场致发射显示

12、器研究中 一个国际性的热点问题,目的是为了研究出大面积且低成本高性能的场致电子发 射阴极,能够实现好的均匀性及亮度,并且简化制作工艺,达到容易实现的目的。其中阴极材料的特性在某些方面很大程度上决定了显示器的均匀性,并且场发射显示器亮度和显示器的分辨率也直接受到阴极材料特性的影响。其中fed阴极结构主要分为两大类,一类是spindt型阴极结构,另一类是平 面薄膜型阴极结构。在这两大类型下,根据阴极材料的不同又可以进行更为详细 的划分。spindt型根据阴极材料的不同分为金属 mo-spindt型和si-spindt型 与其他的类型;平面薄膜型分为金刚石薄膜型、 和类金刚石薄膜型、纳米金刚石 涂层

13、型、secffl、碳纳米管型等,具体分类如图 3所示。spdint 型金属发射极型si发射极型其他型场发射阴极平面薄膜型金刚石、类金刚石类型纳米金刚石涂层型sedficn图3阴极结构材料分类3.1 spindt 型spindt型是传统型结构中最早的,它主要是通过增大发射体曲率以此来 增强发射体附近的场强,进而达到降低工作电压的目的,即减小功耗与成本的发 射体。这种类型的阴极材料可以是物理、化学特性比较稳定的各种金属、 半导体和介质(金刚石)或者是它们的复合体,如铝尖、硅尖和spindt微尖。根据阴极场 发射阵列结构的不同又可分为二级管型结构和三极管型结构。其中二极管型结构中只有阴极和阳极两种极

14、性,当我们给阳极加上一定的电压时,阴极表面就会发 射出电子,并在阳极电压的电场力加速下,轰击到阳极荧光粉而达到发光的效果。 如图4所示为二极管型结构。因为一般二极管型结构阴极与阳极的间距比较大, 因此所加的电压会较大,图5所示为三极管型结构,与二极管型相比较而言,三极 管型结构中多了一个栅极,因此最终所需的电压比二极管型结构所需要的电压小 一点,其结构是将栅极加在阴极三角锥型发射体与阳极之间,当在栅极加上一定的电压,且所加的电压应该大于三角锥型阴极产生电子的阈值电压,致使电子将发射出,同时在阳极电压的加速后,轰击到阳极涂覆的荧光粉使其发光。图4 fed的二级管型结构发射图5 fed的三极管型结

15、构在上述材料中,场致发射阴极阵列的制备技术已经发展的最为成熟的是 spindt型中的钥锥,但是相比较其他的材料,它的制作工艺比较复杂,需要大 量亚微米工艺,因而成本很高,且制备难度大,因此对显示大面积制造并不是最 佳的选择。与spindt型阵列技术相比,硅锥阵列制备的发展呈现出多样化,但 硅锥也有一些缺点,它的发射能力比较低,平均单个硅锥的发射在几个到几十个 纳安的水平。虽然spindt微尖发射体能够得到比较稳定的发射电流、比较高的 发射效率和比较低的驱动电压,但是这类微尖阵列基于薄膜技术与半导体加工方 法之上,采用熔点比较高的金属作发射体,尽管色纯、亮度及寿命等性能与传统 阴极射线管的性能很

16、接近,尺寸也达到38.1cm,但与此同时它在某些方面也存在一些难以克服的缺点:由于它涉及到精密光刻、刻蚀、和薄膜沉积技术,加工 精细,工艺复杂,难于制造,不但很难应用在大尺寸显示上,并且成本也相对比 较高,这些缺点都在一定程度上限制了spindt型阴极场发射显示器的发展。3.2 表面传导电子型发射体表面传导电子发射体显示器(surfacec conduction electronemitter display , sed是在1996年由日本佳能(cano。公司推出的新型显示器结构并 拥有多项专利技术。表面传导电子发射显示器的结构如图6所示。sed的发射体采用的是喷墨技术涂敷,平面电极采用印刷技

17、术。sed的阴极是由厚度为10nm左 右的pdo膜形成的玻璃基板。在它的中心部分有一条 10nm左右的缝隙,这个缝 隙的形成的主要原因是在两个电极之间施加高电压,击穿pdo薄膜,因此才形成了这条10nm的缝隙。在阴极和引出线之间施加的15v电压中,一个很大的比例落 在了这条缝隙上,具间电场达到1 v/nm以上,比较容易实现场发射。当在该薄膜 上施加10v左右的电压时,在一侧pdo膜上的电子开始将向另外一侧 pdo膜运动, 此时在阳极加上高电压时,则一部分跳出来的电子将改变方向到阳极, 激发阳极 上的荧光粉而发光。玻璃从板图6 表面导体发射型阴极结构在图像质量方面,sed的图像质量可以和crt相

18、媲美,因为sed的荧光粉材 料与crt中使用的荧光粉材料相似,因此颜色再现能力和视频响应都接近于 crt 的水平;在响应时间上,由于荧光材料的延迟特性决定,sed的响应时间小于1ms, 它几乎看不到拖尾和轮廓模糊的现象,因此sed的响应时间比液晶显示和等离子 体显示都要短;在对比度方面,由于sed的暗色能够有效的进行定位,对比度可 以达到10000:1。与其它材料的场发射显示器相比较,sed的驱动电压低,这是它最大的一个特点,因此脉宽驱动模式可以实现256级灰度级和1700万种颜色或者更高,能够产生非常丰富的细节图片。sed要实现大屏幕的显示只需要增加微型电子发射器的数量就能达到此效 果,因此

19、被誉为未来很有前景的平板显示器之一,但该结构电子离散角大,分辨率低,因此也在一定程度上限制了其发展。3.3 金属一绝缘体一金属(mim)结构的发射体mim是h.mahl等人在二十世纪三十年代提出的发射体结构。mim阴极在外加电场足够强时,电子由底电极注入到绝缘层中,绝缘层导带上的部分电子将 进入上电极。如果某些电子的能量大于上电极的逸出功,这些电子将会穿越上电极到达真空。在这一过程中,不同的结构会产生不同的现象。在绝缘层的厚度很 小时,电子的状态会很稳定,不会溢出。如果 fed的结才是mim的,那么它将具 有如下的特性:发射均匀性好、超强的抗污能力、低真空度下有较好的特性等。 mim结构中电子

20、束发散小,当阴极和阳极之间的距离为 3mm、阳压为5000v时, 横向发散小于25仙m。电子束发散小这对于提高分辨率是很重要的,这也是类 阴极的优势之一,但它的缺点也很明显:发生率较低、传导需要大电流、需要很 薄的绝缘层。因此无法再实际中运用。3.4 金属一绝缘体一半导体一金属结构(mism)结构的发射体mimsm与mim的主要差别在于电极和绝缘层之间加了一层半导体薄膜。mism的主要优点在于寻址电压低,大概在 20v左右,不需要电阻层来稳定发射电流, 在一定程度上简化了制作工艺,适应较大的压强范围,发射的电子具有自聚焦特 性,大面积工艺相对简单。虽然它有以上这些优点,但很难达到实用化,它存在

21、 的主要问题是发射比小和发射均匀性差。3.5 金刚石薄膜发射体(diamond thin film )金刚石薄膜场发射的阈值电场强度约为200000v/cm,阴极电流密度约为100ma/cm2金刚石呈电负性、逸出功低,物理与化学稳定性高,其薄膜导热性能比铝大5倍。制造廉价、工艺简单、易于大面积发射体及批量生产,是替代微尖的较理想发射体。3.6 碳纳米管发射体(carbon nanotube,cnt)碳纳米管型作为一种新型场发射材料很快引起了人们广泛的关注。碳纳米管有单壁碳纳米管(single wall nanotube,swnt)和多壁碳纳米管(multi wall nanotube,mwn琰

22、似于石墨结构的六边形网格同轴卷绕而成的中空管道。单壁碳纳米管的直径主要是分布在1nm到5nm之间,由于尖端有很小的曲率半径,因此 使它的顶端处局部电场强度起到了增强的作用。 多壁碳纳米管的内直径主要分布 在1.5nm到15nm之间,外在直径在2.5nm至u 30nm之间。碳纳米管又具有良好 的导电性能。因此可以成为优良的场发射体,在很低的电场下,可以得到场发射显 示所需的电流密度。作为场发射材料cnt具有其独特的优点:场致电子发射性能极好,工作电压 低,发射电流大,电子逸出功低,发射特性十分稳定;使用寿命长,可靠性高;原材 料来源广泛,制备工艺相对简单,易于大批量生产。有很多种方法来制备碳纳米

23、 管,化学气相沉积法(cvd、辉光放电法、直流电弧放电法、气体燃烧法、催 化剂高温热解法等等,主要是电弧法和化学气相沉积法。因此cn醐极被认为是 最有希望的理想场发射体,成为国内外fed阴极研究的重点对象。碳纳米管显示 器根据结构可以分为二级管结构和三极管结构。与二极管结构相比较,由于三极管结构的栅极与阳极之间的距离小,因此所需的调制电压比较低,在进行矩阵寻 址时,可以用常规的驱动电路,从而降低了总体的制作成本。如图7所示给出三极管结构的碳纳米管显示器。 当在阳极施加高电压的,碳 纳米管的表面就已经有了一定大小的电场强度, 由于栅极和cnt阴极间的距离很 小,因此在栅极上加上很小的正电压就可以

24、在 cnt0j端形成很强的电场,二者相 互叠加在一起,由于方向相同,叠加的结果具有增强的效果,因此这个电场强度 足以能够迫使碳纳米管发射大量的电子。 发射的电子在阳极高电压的作用下,穿 过栅极上预留的电子通道孔,以很高的速度向阳极运动,轰击荧光粉层,达到发 光的效果。图7 碳纳米管显示结构采用碳纳米管作为fed冷阴极与spindt微尖结构相比,cnt的长径比有更 大的场增强因子,能够提供足够大的发射电流,并且避开了复杂的尖锥加工工艺; cntw良好的导电性、很高的机械弓s度和良好的化学稳定性;cnt具有多种制备方法,且工艺简单材料低廉。虽然它有很多优点,但仍存在一些问题,碳纳米管 薄膜制备还处

25、于实验阶段,控制其形状、方向和密度工艺还不完善;制备薄膜所 需的温度较高,需要降低生长温度,达到实现在玻璃衬底上直接生长; 在进行场 致发射电子的过程中,网状栅极结构会截获大量电子,降低阳极电流,因此需要 改进器件结构;实现大面积高真空显示屏的透明封装问题;阳极荧光粉的制作和 老化问题。4驱动电路的设计平板显示器的迅速发展与配套的驱动电路有着密不可分的关系,它是显示器非常重要的一部分,其占有着极其重要的地位。在各种平板显示器如液晶、等离 子体、场发射等显示器中,具显示驱动电路不管是技术含量还是整机价格比例 都很高,所占的份额都非常大,因此可以说驱动电路的发展在相当程度上制约着 平板显示器的进步

26、与发展,对显示器驱动电路的研制与开发相当迫切和重要,研究并改进驱动技术对平板显示器的普及与发展都具有很重要的作用。4.1 液晶显示驱动电路液晶的显示效果是因为在显示像素上施加了电场的原因。 在显示像素上建立 直流电场非常容易,但这样会使液晶材料的化学反应和点击老化, 因此必须施加 交流驱动。如今液晶显示驱动器普遍采用数字化集成电路, 具交流驱动是以脉冲 电压形式产生的。液晶显示器驱动方式包括静态驱动、多路驱动、有源驱动等。4.1.1 静态驱动以lcd数码管为例,它的背电极连在一起引出,各像素段电极是分立引出 的,交变电压的控制可以通过异或门来实现, 驱动原理如图8所示从图中可以清 楚容易的看出

27、,笔段波形要么与公用波形同相要么就是反相。 当波形同相时液晶 上无电场.lcd&于非选通状态。反相时,液晶上施加了一矩形波,当矩形波的 电压比液晶阈值高很多时,lcd&于选通状态。图8 一段lccb动电路原理图4.1.2 多路驱动方式在多路驱动方式中,构成矩阵扫描,在多路驱动方式中。构成矩阵电极,其中x电极为扫描电极,加扫描电压。剪电极为信号电级,加信号电压。x, y电极的交叉点就是像素(x, y)像素数目取决于x, y交点数。矩阵显示通常有 两种比较常用的扫描的方式:逐点扫描和逐行扫描,如图所示 9和图10所示。144中中中图9逐点扫描图10 逐行扫描行七存器4.1.3 有源矩阵驱动电路有源

28、矩阵驱动的方式可以有效的克服简单矩阵驱动方式中的“交叉效应”, 使液晶像素的阈值特性变陡,主要是在扫描电极和信号电极的交叉处安装透明的 薄膜晶体管或者是非线性元件与液晶像素串联。4.2 等离子体显示驱动电路等离子体显示技术是利用气体放电产生的紫外线激发荧光粉的一种主动发光型平板显示技术。根据工作方式的不同以分为交流型(ac pdp)和直流型(dc pdp)两大类,ac-pdp又能分为表面放电式和对向放电式。我们以三级结构的表面放电式ac-pdp的驱动电路作为主要介绍。结构如图11所示,它主要包括两个维持电极即 x 电极和y 电极和呈空问 正交的选址电极。x 一电极同功率分配器相连.y 一电极同

29、扫描驱动集成电路相连。选址电极连接选址驱动集成电路以接受信息进行写入。驱动集成电路分成逻辑部分和高压转化部 分,结构如图12所示,逻辑部分主要用于数据的处理,高压部分则根据这些数据来提升电压以达到工作电压,并广生局压和大电流。一 x维得电极日生器一图12 pdp集成驱动电路的基本结构图11 pdp显示板选址驱动集成电路4.3 场发射显示驱动电路fedb动采用的是行列矩阵寻址驱动方式,通常情况下栅极是行引线,阴极 为列引线。在选行期间,像素的亮度由列驱动器来控制。主要方式有:电流或电 压的幅度调制am;电流或电压的脉宽调制 pwm当某一像素需要被点亮时,选 中该点所在的行列电极然后施加适当电压就

30、可以到达选通点亮的目的。二级管结构的fed驱动的结构框图如图12所示,由视频解码、驱动总控制器、阴极驱动 和阳极驱动。行扫描驱动电路用于驱动选定行电极,其输出驱动信号是固定脉宽的开关信号;列驱动电路则是在选定某行情况下 ,依次选定该行内的每一像素 各像素的驱动脉冲信号宽度受图像信号调制,由此就可确定每一像素点的亮度。 为实现整屏显示,考虑到驱动信号占空比不宜太小常,因此采用逐行扫描。图12 fed驱动系统的结构框图4.3.1 阳极驱动电路阳极驱动电路主要作用是提供阳极高压扫描脉冲。如图12所示阳极驱动电路是直接同fed显示屏相连的,从本质上讲,阳极驱动是一种移位寄存器,但是它又不同于普通的移位

31、寄存器,因为它必须带有高压输出,只有这样它才可 以直接驱动屏幕,故阳极芯片具有的通用型结构应该如图13所示,如hv507等。从图13可以看出,阳极芯片基本由3块组成,移位寄存器/锁存器、控制 逻辑电路和高压输出三部分组成。hv02hv03hv222hv223hv224图13阴极驱动电路结构4.3.2 阴极驱动电路阴极驱动电路作用是向fed屏提供图像数据信号的,它也是移位寄存器的 应用,同时它也是和fed显示屏幕直接相连接的,所以也带有高压输出。阴 极驱动电路芯片的结构和阳极的很相似 ,唯一不同的地方就是高压输出部分, 阴极的高压必须低于阳极的高压,否则屏幕的点就无法驱动了 ,这类芯片有nec公

32、司的upd16305等。4.3.3 二级管型fed驱动电路由二极管fed的结构,其驱动电路基本上采用矩阵扫描来完成,当对一个电 极进行快速扫描时,在另外一个电极上施加选址电压,以控制相应的像素发光。 如图14所示是二极管型fed驱动系统框图。在通常情况下,像元的视觉亮度与 其驱动信号脉宽成正比,通常采用电压的脉宽调制(pwm来实现fed的灰度显示。 在普通的二级管结构fed中,扫描电极x连接阳极,数据电极y连接阴极。为尽量减小交叉效应,阳极选通时加高电位,断开时接低电位;阴极选通时 接低电位,断开时加高电位。只有当对应阳极与阴极间的电压差超过阈值时,才能引起像素发光。由于工作时阳极与阴极间电压

33、较高 (一般为600”-800 v),现 有的高压驱动芯片难以满足需要,因此通常采用分立元件来进行行列驱动。二极 型fed的等效电路为电容性负载,为提高驱动开关速度,可以采用双管构成的单 个像素驱动电路。仃驱动输出电路行押制电路列邪动输出电路调m控制电路图14 二级管型fed驱动系统框图如图15所示分立元件驱动输出电路,场效应管 t1,t2构成驱动输出级,高 压mo与区动芯片ir2110实现对t1,t2的逻辑控制,当t1饱和时高压直接传送至 阳极(或阴极),由于t1导通电阻很小,因此对像素电容迅速充电,电平上升沿 小;当t2导通时,像素电容迅速放电,下降沿也很小,本电路的优点是耐压 高、信号响

34、应速度快,当驱动信号脉宽较窄时也能得到较理想的脉冲电压输出,在控制系统作用下通过脉宽调制可以实现显示灰度的线性变化。图15 分立元件驱动输出电路4.3.4 三极管型fedb动电路如图16所示三极管驱动电路的整体方框图,信号的工作流程如下:首先视频 采集电路对视频接收的图像视频信号进行 a/ d变换,将其编码后送入数据缓存 单元,同时实现图像的区域截取或者抽取;接着将图像数据传输到集成灰度调制 驱动单元进行图像灰度的还原,并在此单元中产生相应的列驱动脉冲, 行扫描脉 冲则是在行后级集成单元驱动按逐行方式进行,通过fpga空制单元对上述过程的整体控制从而实现行列驱动和视频图像显示。对于三极管fed

35、阴极所需强电场是靠在栅极一阴极两端施加电压产生的, 阳极上所施加的固定高压仅用来加速电子,通常为几百伏到几千伏;当要禁止阴 极场致发射时,应使栅极电位低于阴极电位;对栅极进行逐行选址,选中行对应 的栅极施加高电位,其余行施加低电位,阴极上施加与所需显示图像相对应的脉 冲,当所对应列上需显示时,对应的阴极为低电平;当所对应列上无显示时,对 应的阴极为高电平;通过控制阴极上脉冲的宽度或数目来实现灰度显示,这样就可实现视频显小0监控单元视频接收单元数据缓存单元集成灰度调 制驱动单元彩色 fed 显示 器屏视频米集单元图16三极管驱动电路整体系统框图4驱动电路的发展所面临的问题和发展前景虽然fed显示

36、器的驱动电路研究已经在荧光粉、抗大气压支撑体、显示寿命、 阴极材料等方面取得了很大的突破, 但是仍然存在许多需要解决的问题,例如发 射体发射机制的研究;优化器件结构参数,降低驱动电压,特别是在阳极电压的 设计;真空封装工艺;如何更进一步扩大显示面积,改善发射稳定性和均匀性; 提高工作的寿命,降低制造的成本。在fed显示器驱动电路研究中怎样提高阴极的发射电流和提高发射电流的 稳定性,都是场发射显示器驱动电路今后研究的重点方向。平板显示器已经成为了电子市场工业中不可或缺的一部分,尤其是场发射显示器的迅猛发展。与传统的液晶显示器和等离子体显示器相比较,场发射显示器具有响应快、色彩饱和度增强和功耗更小等许多优点,随着场发射显示器件的制 作水平慢慢的提高,与之相应的驱动技术也会很快得到很大的发展,要实现完美的显示器,场发射显示器还有很长一段探索之路,纳米技术的出现让 fed看到 了新的生机,它既充分发挥fed原有的优点,又有很低的制造成本,高画质, 低成本,大面积显示将是fed今后发展的主要趋势,必将成为未来最具有竞争 力的平板显示器。参考文献1:林志贤,郭太良.hv632pg在彩色fed集成驱动系统中的应用j.福州大 学学报(自然科学版),20

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