磁场边界条件

1、在实际工程中，往往要遇到由不同的媒质组成的电磁系统。在不同 媒质分界面上，由于媒质的特性发生了突变，相应的场量一般也将发生突变。在这一节中，我们将研究电磁场在两种媒质分界面上的变化规律。决定分界面两侧电磁场变化关系的方程称为边界条件。研究边界条件的出发点，仍然是麦克斯韦方程组。但在不同媒质的 交界面处，由于媒质不均匀，媒质的性质发生了突变，因此，微分形式 的方程不再适用，只能从麦克斯韦方程组的积分形式出发，推导边界条 件。3.5.1电场法向分量的边界条件E 3. 9电场法向分壘的边界条件如图3.9所示的两种媒质的分界 面，第一种媒质的介电常数、磁导率和 电导率分别为【，切和J，第二种媒质 的介

2、电常数、磁导率和电导率分别为亠，-丄和在这两种媒质分界面上取一个小的 柱形闭合面，如图3.9所示，其高为无限小量，上下底面与分界面平行，并分别在分界面两侧，且底面积非常小，可以认为在上的电位移矢量匚和面电荷密度二是均匀的。一 -，1 分别为上下底面的外法线单位矢量，在柱形闭合面上应用电场的高斯定律= ft审” 心：=禹+爲q(3.48a)若规定*为从媒质U指向媒质I为正方向,，式(3.48a)可写为威(耳-鸟)二扇(3.48b)(3.48c)式(3.48)称为电场法向分量的边界条件因为二 二，所以式(3.48)可以用匸的法向分量表示(3.49a)(3.49b)若两种媒质均为理想介质时，除非特意

3、放置，一般在分界面上不存在自由面电荷，即 一，所以电场法向分量的边界条件变为(3.50a)(3.50b)若媒质I为理想介质，媒质U为理想导体时，导体内部电场为零，即，在导体表面存在自由面电荷密度，则式(3.48)变为，_【*(3.51a)(3.51b)3.5.2电场切向分量的边界条件在两种媒质分界面上取一小的矩形闭合回路abed，如图3.10所示，该回路短边为无限小量，其两个长边为 匚，且平行于分界面，并分别在分 界面两侧。在此回路上应用法拉第电磁感应定律因为和(3.52a)E 3.10电场切向分壘的边界奚件若”为从媒质U指向媒质I为正方向，式(3.52a)可写为宀倒爲)二。(3.52b)式(

4、3.52)称为电场切向分量的边界条件。该式表明，在分界面上电场强度的 切向分量总是连续的。用匸表示式(3.52a)得 二 二(3.53)若媒质U为理想导体时，由于理想导体内部不存在电场，故与导体相邻 的媒质I中电场强度的切向分量必然为零。即恥(3.54)因此，理想导体表面上的电场总是垂直于导体表面， 对于时变场，理想 导体内部不存在电场，因此理想导体的切向电场总为零，即电场也总是垂直 于理想导体表面。3.5.3标量电位的边界条件tt在两种媒质分界面上取两点，分别璋J为A和B,如图3.11所示。A，B分别位于分界面两侧，且无限靠近，两点二二I-的连线丄，且丄与分界面法线壬平行，从标量电位的物理意

5、义出发，得由于J和J为有限值，而匸所以由上式可知厂丄 ，即(3.55) 式中S为两种媒质分界面。该式表明在两种媒质分界面处，标量电位是连续 的。标量电位在分界面上的边界条件在静电场求解问题中是非常有用的。考虑到电位与电场强度的关系:(3.49b)得宜 s，由电场的法向分量边界条件式式(3.56)称为静电场中标量电位的边界条件。若两种媒质均为理想介质时，在分界面上无自由电荷,(3.56)标量电位的边界条件为(3.57)(3.59a)或若在理想导体表面上，标量电位的边界条件为(3.58a)3.5.4与分界面平行，底面积-很小，議为从叽(常数)讎场法向分量的边界条件媒质U指向媒质I法线方向矢量，在该

6、闭合面上应用磁场的高斯定律0 B=蒂场牙场AS = 0则】(3.59b)式(3.59)为磁场法向分量的边界条件。该式表明：磁感应强度的法向分量在 分界面处是连续的。因为一 &，所以式(3.59b)也可以用匚的法向分量表示(3.60)若媒质U为理想导体时，由于理想导体中的磁感应强度为零，故(3.61)因此，理想导体表面上只有切向磁场，没有法向磁场3.5.5磁场切向分量的边界条件在两种媒质分界面处作一小矩 形闭合环路，如图3.13所示。环路 短边二.；，两长边分别位于分界面两侧，且平行于分界面。在此穿过闭合回路中的总电流 为环路上应用安培环路定I =佔十十几加竺5-22祝 2 di 2式中为分界面

7、上面电流密度，分别为两种媒质中的传导电流体dDx dD2密度，-和二 分别为两种媒质中的位移电流密度。因为-】，除外，回路中的其他电流成分均趋向零，即7-，于是(3.62a)式中-方向与所取环路方向满足右手螺旋法则 用矢量关系，式(3.62a)可表示为(3.62b)式(3.62)为磁场切向分量的边界条件。式中冠为从媒质U指向媒质I的法线 单位矢量。用丄表示式(3.62a)得(3.63)若两种媒质为理想介质，分界面上面电流密度L ，则磁场切向分量边界条件为(3.64a)(3.64b)或由式(3.59b)和式(3.64b)可得tan 4若媒质u为高磁导率材料丿、,当I小于时，二将非常小。换 句话说

8、，在铁磁质表面上磁力线近乎垂直于界面。 当上一 时，丨,即 在理想铁磁质表面上只有法向磁场，没有切向磁场。(3.6 5)若媒质之一为理想导体，电流存在于理想导体表面上f ，因理想导 体内没有磁场，理想导体表面切向磁场为也二兀(3.66a)或%月応(3.66b)若媒质的电导率才有限，即媒质中有电流通过，其电流只是以体电流分布 的形式存在，在分界面上没有面电流分布，即，则分界面上磁场切向分量是连续的，即03.5.6矢量磁位的边界条件根据矢量磁位-所满足的旋度和散度表示式，及磁场的基本方程，可推导出二的法向分量和切向分量在两种媒质分界面处是连续的， 所以二矢量在分界面处也应是连续的，即4|* J 5

9、(3.67)由式(3.63)可得1 亠 1 一-(Vx4-丄(血甩)严兀(3.68)3.5.7标量磁位的边界条件在无源区域，即无电流区域，安培环路定律的积分和微分形式为推庄二09x = 0(3.69)(3.70)根据矢量运算，由式(3.70)可引入一标量函数二，令育=(3.71)该标量函数;称为标量磁位，其单位是安培(A)。式(3.71)中的负号是为了与静电场中.。相对应而引入的。引入标量磁位的概念完全是为了在某些情况下使磁场的计算简化，并无实际的物理意义。类似于电位差的计算，a点和b点的磁位差为%=炉袒-滋“L乩圧根据标量磁位定义和磁场的边界条件可得(3.72)(3.73a)(3.73b)式

10、(3.73)为标量磁位的边界条件3.5.8电流密度的边界条件在两种导电媒质分界面处作一小柱形闭合面。如图 3.14所示，其高度 -，上下底面位于分界面两侧，且与分界面平行，底面面积 二；很小。汀为从媒质U指向媒质I法线方向矢量。根据电流连续性方程在图3.14所示的闭合曲面上,(3.75)苗険(3.74)(3.76)(3.77)式中-为闭合曲面包围的总电荷,当f时，有将式(3.77)代入式(3.76)得(3.78)将式(3.75)和式(3.78)代入式(3.74)中得(3.79a)(3.79b)根据导电媒质中的物态方程，又已知在分界面处电场切向分量连续，即I 【，所以电流密度的切向分量满足- J肿1 r(3.80a)或A_A=0 (3.80b)式(3.79)和式(3.80)为电流密度满足的边界条件，对静态场和时变场均适用。 在这一节中，我们详细讨论了电磁场中各参量的边界条件，为明晰起见, 归纳如下。矢量形式肿( -鸟)=厲标量形式%