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文档简介
1、第三节 化学位移 核磁共振波谱主要参数核磁共振波谱主要参数 用于结构分析的主要参数有用于结构分析的主要参数有化学位移(位置)化学位移(位置), 自旋耦合常数(形状)自旋耦合常数(形状),信号强度(峰面积)。信号强度(峰面积)。 一、化学位移一、化学位移 屏蔽常数和化学位移屏蔽常数和化学位移 1H核的共振频率由外部磁场强度和核的磁矩表 核的共振频率由外部磁场强度和核的磁矩表 示示, 在在B0=4.69的磁场中,其共振频率为的磁场中,其共振频率为200.15 MHz,即在核磁共振谱图上共振吸收峰为单峰。,即在核磁共振谱图上共振吸收峰为单峰。 实际上各种化合物中的氢核的化学环境或结合实际上各种化合物
2、中的氢核的化学环境或结合 情况不同,所产生的共振吸收峰频率不同情况不同,所产生的共振吸收峰频率不同. 任何原子核都被电子云所包围任何原子核都被电子云所包围,当当1H核自旋时核自旋时,核周核周 围的电子云也随之转动,在外磁场作用下,会感应围的电子云也随之转动,在外磁场作用下,会感应 产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场,实际上产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场,实际上 会使外磁场减弱,这种对抗外磁场的作用称为会使外磁场减弱,这种对抗外磁场的作用称为屏蔽屏蔽 效应效应. n1H核由于在化合物中所处核由于在化合物中所处 的的化学环境不同化学环境不同,核外电子,核外电子 云的密度也不同,受到的屏云的
3、密度也不同,受到的屏 蔽作用的大小亦不同,蔽作用的大小亦不同,所以所以 在同一磁场强度在同一磁场强度B0 下,不下,不 同同 1H核的共振吸收峰频率核的共振吸收峰频率 不同。不同。 原子实际上受到的磁场强度原子实际上受到的磁场强度B等于外加磁等于外加磁 场强度场强度B0 减去外围电子产生的次级磁场强减去外围电子产生的次级磁场强 度(度(B0) B= B0-B0=B0(1-) 为屏蔽常数,为屏蔽常数, B0为感应产生的次级磁场为感应产生的次级磁场 强度,强度,B为氢核真正受到的有效外磁场强为氢核真正受到的有效外磁场强 度度 外电子云产生感应磁场外电子云产生感应磁场,抵消一部分磁场抵消一部分磁场,
4、产产 生共振向高场方向移动生共振向高场方向移动 由于氢核具有不同的屏蔽常数由于氢核具有不同的屏蔽常数,引起外磁场或,引起外磁场或 共振频率的移动,这种现象称为化学位移共振频率的移动,这种现象称为化学位移。固定。固定 照射频率照射频率, 大的原子出现在高磁场处大的原子出现在高磁场处, 小的原子小的原子 出现在低磁场处出现在低磁场处 屏蔽效应屏蔽效应 质子周围的电子云密度越高,屏蔽效应越大,即在质子周围的电子云密度越高,屏蔽效应越大,即在 较高的磁场强度处发生核磁共振,反之,屏蔽效应越较高的磁场强度处发生核磁共振,反之,屏蔽效应越 小,即在较低的磁场强度处发生核磁共振。小,即在较低的磁场强度处发生
5、核磁共振。 低场低场 B B0 0 高场高场 屏蔽效应小屏蔽效应小 屏蔽效应大屏蔽效应大 大大 小小 屏蔽效应屏蔽效应 甲醇(甲醇(CHCH3 3-OH-OH)的核磁共振谱)的核磁共振谱 二、化学位移二、化学位移(chemical shift)及其表示及其表示 1. 化学位移化学位移 不同的质子(或其他种类的核),由于在分子中不同的质子(或其他种类的核),由于在分子中 所处的化学环境不同,因此在不同的磁场强度下所处的化学环境不同,因此在不同的磁场强度下 具有不同共振的性质,称化学位移。具有不同共振的性质,称化学位移。 2. 化学位移产生的原因化学位移产生的原因 质子周围的电子云的感应磁场:质子
6、周围的电子云的感应磁场: N S 外加磁场外加磁场B 0 B实 实 = B 0- B 0 = (1-) B 0 :屏蔽常数 屏蔽常数 3. 化学位移的表示化学位移的表示 存在问题:存在问题: 各种质子共振频率相差很小各种质子共振频率相差很小 精确测量十分困难精确测量十分困难 并因仪器不同而不同并因仪器不同而不同 解决办法:解决办法:在测定样品中加一内标在测定样品中加一内标(TMS) TMS: Tetramethyl Silicon 相对表示法:相对表示法:克服测试的困难和避免因仪器不 同所造成的误差 化学位移表示:化学位移表示: = v样 样 -v标标 v0 106 = 106 ppm B样
7、样 - B标标 B 0 感应磁场B 非常小,只有外加磁场的百万分之一, 为方便起见, 106 规定TMS=0 采用采用TMS作标样的优点:作标样的优点: (1)所有)所有H核化学位移相同;核化学位移相同; (2)电子云屏蔽作用大,峰出现在最高场;)电子云屏蔽作用大,峰出现在最高场; (3)稳定,溶解性好。)稳定,溶解性好。 其它标样:其它标样: (CH3)3COH, CH3CN, (CH3)2CO, DMSO(二甲(二甲 亚砜亚砜), 二氧六环二氧六环, DSS( 4,4-二甲基二甲基-4-硅代戊硅代戊 磺酸钠)磺酸钠) 例:右图为例:右图为1,2,2-三氯三氯 丙烷丙烷90MHz的的NMR图
8、,图, 试计算每个峰的化学试计算每个峰的化学 位移值位移值 v =159.3Hz v =200.7Hz 解:由化学位移的计算公式可得解:由化学位移的计算公式可得: 12 峰峰1:= 106=2.23ppm 200.7 90106 峰峰2:= 106=4.00ppm 200.7+159.3 90106 = v样 样 -v标标 v0 106 ppm 常见结构单元化学位移范围 三、影响化学位移的因素 H /ppm 试比较下面化合物分子中试比较下面化合物分子中 Ha Hb Hc 值的大小。值的大小。 b a c H/ppm 值小,屏蔽作用大;值小,屏蔽作用大; 值大,屏蔽作用小;值大,屏蔽作用小; 使
9、电子云密度平均化,可使吸收峰向使电子云密度平均化,可使吸收峰向高场或低场移动高场或低场移动; 与与 C2H4 比:比: a)图:氧孤对电子与图:氧孤对电子与C2H4双键双键 形成形成 p- 共轭,共轭,CH2上质子电子云密度增加,移向高场。上质子电子云密度增加,移向高场。 b)图:羰基双键与图:羰基双键与 C2H4 - 共轭,共轭,CH2上质子电子云密度降低,移向低场。上质子电子云密度降低,移向低场。 CC H H H O CH3 CC H H H CH3 C O 极性基团通过极性基团通过-和和p-共轭作用使较远的碳上的质子受到影响。共轭作用使较远的碳上的质子受到影响。 a)图图 b)图图 由于邻对位氧原子的存在,上图中双氢黄酮的芳环氢a的 化学位移为6.15ppm,通常芳环氢化学
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