谢翔用于上传的定稿2

1、贵州师范学院毕业论文学科分类号140.50 本 科 毕 业 论 文 题 目 硅基异质结太阳能电池光电特性研究 姓 名 谢翔 学 号 1207030540056 院 (系) 物理与电子科学学院 专 业 电子信息科学与技术 年 级 2012级 指导教师 陈德良 职 称 副教授 二一六年五月贵州师范学院本科毕业论文诚信声明本人郑重声明：所呈交的本科毕业论文，是本人在指导老师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果，成果不存在知识产权争议，除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明

2、的法律结果由本人承担。 本科毕业论文作者签名： 年 月 日目 录摘 要1Abstract21 前言31.1 概论31.2 全球的太阳能发展现状31.3 国内太阳能发展现状42 太阳电池的工作原理42.1 太阳能电池的介绍42.2 P-N结42.3 太阳能的重要参数52.3.1 开路电压Voc52.3.2 短路电流ISC52.3.3 输出功率62.3.4 填充因子62.3.5 转换效率62.4 影响电池效率的因素及改进方法73 异质结83.1 异质结的发展83.2 异质结的特点84 太阳能电池84.1 高效硅基太阳能电池84.2 硅基异质结的发展95 硅基异质结太阳电池的研究95.1 硅基异质结

3、太阳电池的发展95.2 硅基异质结太阳电池的研究105.2.1 HIT电池115.2.2 纳米结构用在硅基异质结电池中125.2.3 硅基同质异质结太阳电池135.3 SILVACO TCAD软件14II结语15参考文献16致 谢181摘 要在当今能源匮乏的情况下，人们对太阳能的利用显得尤为的重要。随着研究太阳能电池地不断进步影响着人们在未来各方面的进步，世界上大多数国家都对太阳能的研究和使用充满热情。我们认识的首代单晶与多晶硅电池虽然制地技术不错，但是其消耗的原料多，制作的价格高，光电转换的效率又不理想。二代的薄膜电池价格是降低了，但是不够稳定，在这两代电池的基础上，通过无数研发人员多年的努

4、力，随着天阳能电池制作工艺不断地进步，人们将异质结应用到了太阳能电池中，从而打开了第三代发展方向的大门。本文通过理解太阳能电池的工作原理，从中发现影响太阳能电池效率的因素，然后介绍将纳米结构用在硅基异质结电池中和将同质结用到硅基异质结电池中优点，并介绍Silvaco TCAD这款仿真软件，最后对硅基异质结太阳能电池做出发展方向的预测。硅基异质结太阳能是太阳能发展的前沿，随着研究的进步，其更高效率的研究成为科研人员追求的目标。关键词：异质结；太阳能电池；光生伏特效应AbstractIn todays energy shortage situation, the use of solar ener

5、gy is particularly important. With the progress of research on solar cells, the progress of people in all aspects of the future, most countries in the world are full of enthusiasm for the study and use of solar energy. We know that the first generation of single crystal and polycrystalline silicon c

6、ell technology is good, but it consumes more raw materials, the production of high prices, the efficiency of photoelectric conversion is not ideal. Second-generation thin-film battery price is lower, but is not stable enough, in these two generations of battery based, through numerous R & D staff ye

7、ars of effort, with solar battery production process of continuous progress, people will heterojunction applied to solar cells, thus opened the door of the third generation of development direction.This paper, through understanding the working principle of solar cells, from found factors to affect t

8、he efficiency of solar cells, and then the nano structure is used in silicon heterojunction solar cells and the homojunction use advantages of silicon heterojunction solar cells, and introduces the SILVACO TCAD this simulation software and finally of silicon based hetero junction solar cells make a

9、prediction of the development direction. Silicon based heterojunction solar energy is the forefront of the development of solar energy, with the progress of research, its more efficient research has become the pursuit of the goal of researchers.Keywords: heterojunction; solar cell; photovoltaic effe

10、ct1 前言1.1 概论我们现在无时无刻不在使用电子产品，在交通工具泛滥的今天，电、石油和天然气已经成为我们生活中不可缺少的一部分，在有些地方使用的电主要还是用煤来发电的1。我们燃烧的传统能源煤、石油和天然气等物质所带来的有污染的物质和温室气体对我们赖以生存的环境产生着巨大影响，所造成的环境污染在不断地威胁着人类的基本生存。并且这些能源都是有限资源，它们正在不断地走向枯竭。在使用过程中都会或多或少的产生一些不宜物质。随着近年来全球温度越来越高，人们开始意识到环境的重要性，为了还能看到未来，我们不得不重视环境。这不是一个国家能做到的，需要全球一起共同努力，我们需要保护我们赖以生存的大自然。而我们

11、生活中无时无刻不在破坏环境，所以人类迫切的需要寻找新的洁净的对环境和人类的健康无害的可持续发展的能源，必须减少对煤、石油等能源的依赖2。车和电已经让人们无法离开，这是人类的发展所需，既然我们离不开，那么我们就只能改进它。自从第一次石油危机和日本的福岛核事故的出现警醒着我们既要开发新的可持续发展能源，同时又要注意新能源的安全问题。太阳能已经照耀我们地球无数个纪元，但是它依然如旧，我们离它那么远，依然能收到如此高的能量，并且它对我们的身体健康是有益的。由此可见太阳能转换成为电能是全球保护环境并且实现可持续发展的一个重要方向。对太阳能电池的研究要求：一是追求尽可能高的光电转换效率，从而降低产生相同电

12、力时所需昂贵半导体材料。二是选择其他新的材料和精致的制作工艺减少电池制作的成本。面对能源危机我们不能逃避，所以我们必须不断对太阳能进行研究并使之普及。1.2 全球的太阳能发展现状2015年，全球的光伏市场都强劲地增长着，新增装机容量预计将超过50GW，日、美、欧在新增装机容量上最靠前，占作为第一的我国的一半左右，其他新的市场也不断增加。照这样发展下去，14年左右太阳能发电将有望占据全球发电总量的十分之一。1.3 国内太阳能发展现状近九个月我国就对与光伏有关的行业增加了超过三分之一的资助，在财力物力的支持下，我国的自主研究发展取得了可观的成就，单晶硅、多晶硅、铜铟镓硒、砷化镓等的发电技术在国际上

13、都处于领先的地位，甚至有些已经打破了世界纪录。随着技术的进步，我国的发电成本不断降低。2 太阳电池的工作原理2.1 太阳能电池的介绍当光照在p-n结上且能量大于它的禁带宽度时，会在p-n结附近产生电子-空穴对。在内建电场的作用下，使得产生的非平衡载流子将向空间电荷区两端漂移，从而产生光生电势，打破了原来的平衡3。如果将p-n结和外电路相连，就会在电路中出现电流，这种现象就叫光生伏特效应45。而能将光能转换为电能的产品就是太阳能电池。2.2 P-N结在一块n型（或者p型）半导体晶体上，用适当的工艺方法把p型（或者n型）杂质掺入其中，让此晶体的不同位置分别显示n型和p型的导电类型，其交界面处就叫P

14、-N结6。唯一的n或p型半导体是不显电性的，但在两块半导体形成P-N结的过程中，由于p区内空穴占多数，电子占极少数；而n区内则电子占多数，空穴占极少数，在交界面的两侧出现电子和空穴浓度不一样，从而使得了空穴从p区到n区，电子从n区运动到p区，即扩散运动，如图2.1所示。由于扩散运动，在P区的空穴离开后，在p区靠近n区的地方出现等数量的电子，这个区域叫负电荷区，同理在n区靠近p区的地方出现一个正电荷区，这两个区域叫作空间电荷区7，如图2.2所示。在空间电荷区产生的电场叫内建电场。图2.1 载流子的扩散过程图2.2 P-N结空间电荷区2.3 太阳能的重要参数太阳电池电特性的几项重要参数是开路电压(

15、Voc)、短路电流(Jsc)、最大输出功率(Pm)、填充因子(FF)和转换效率()89。2.3.1 开路电压Voc在电池受到光射并且是开路的情况时，I=0，由此可得：VOC=Ln+(IL/L0+1)KBT/q (2.1)因为IL与照射光的强度成正比，VOc又是一个有限值，所以有如下式： (2.2)开路的电压随饱和电流logI0的增大而减小。禁带宽度不断增加，I0就会随之减小，但是Voc会变大，并且Voc受温度影响，与之成反比。2.3.2 短路电流ISC用表示短路电流。RL等于零、V等于零，则有：ISC =I =IL （2.3)光电流密度JL即光电流IL除以光电池面积，可以表示为：JL =q0N

16、(Eg) （2.4)收集的效率是式子中的0；当所给的能量不断增大超过了Eg时的光子流密度时式子中的N（Eg），禁带距离即宽度是式子中的Eg。2.3.3 输出功率由图2.3看出，由太阳能电池特性曲线上我们可以求得负载电阻，只要给出实线上的一个点，我们就能求得对应的。在实线上存在一个W点，能使该点对应的电流电压之积最大。即Pm=ImVm (2.5)称W点、Im、Vm、Pm分别为太阳电池的最佳状态9。 图 2.3 太阳电池 I-V 特性曲线2.3.4 填充因子填充因子专门衡量太阳能电池性能好坏的，值越高越好，其表达式为：FF=Pm/(VOCISC) (2.6)2.3.5 转换效率光电转换效率决定太阳

17、电池性能好坏，它的表达式为：=Pm/Pin=VOCISCFF/Pin (2.7)所以有Pm为：Pm=VOCISCFF (2.8)因此，在规定的条件下我们可以从调节VOC、ISC和FF来求得最大的Pm。2.4 影响电池效率的因素及改进方法目前来看，a-Si太阳电池经常使用的结构主要有ITO/N-I-P/金属基板太阳电池和Al/N-I-P/TCO/玻璃基板太阳电池两种。太阳光和电池本身影响着太阳电池的效率，因此可以从这两方面来考虑改善电池效率。从太阳光方面考虑，可以通过聚光来提高太阳电池效率，光强是影响太阳电池的发电量的重要因素，一定区域里，光强与发电量成正比关系。从电池本身考虑，限制太阳电池电池

18、效率的原因主要包括以下几方面：(1)温度 电路短路产生的电流值和开路状态下的电压值会随温度而变化，从而导致电池的效率随温度的增加而下降，因此控制好温度是提高我们电池的效率必须考虑的因素。(2)前表面钝化采用激光刻槽埋栅金属化和丝网印刷工艺可以减少串联电阻和遮挡带来的损失。非晶硅太阳电池面临的最大问题是转换效率较低以及稳定性差，通过不断的研究对于解决这些问题有了很大突破主要体现在以下几方面：1)窗口层应采用禁带宽的材料，将原来的a-Si换成a-SiC，因为后者具有较高光学带隙。2)本征层厚度的选取存在最优值，与局部能级密度有关。3)N层与P层的要求大致相同，选取c-Si作为N层材料，可以有效减小

19、串联电阻。4)将原先的平面ITO用绒面SnO2替代，采用多层背反射电极，可以有效减少反射和透射带来的损失。5)通过改变电池结构，设计不同带隙的叠层电池或者采用梯度界面层来提高电池效率和稳定性。3 异质结3.1 异质结的发展异质结是由两种禁带宽度不同的半导体材料相接触而形成的接触过渡区11。第一代太阳能电池以晶体硅和多晶硅为代表，而第二代以晶硅薄膜显著，但是它们都存在价格高和效率低的问题。自1992年,异质结第一次被日本人Makoto Tanaka和Mikio Taguchi等用在硅基太阳能电池的制作中12。从此有了新型的硅基太阳能电池，得到了大家研究工作者的青睐。3.2 异质结的特点(1)异质

20、结对太阳能电池吸收较宽的光谱带是有助力的，能让太阳能电池的光电转换效率增加13。相对来说与之对应的运用上同质结的晶硅太阳能电池吸收的太阳光波长范围只能在0.3微米至1.1微米这个范围内 ,虽然在这个波长范围的能量达到总太阳光能量的百分之四十六，但是无法将占百分之五的紫外区和占百分之四十九的红外区太阳能吸收或转化为热14。但是当将我们异质结应用到太阳能电池中后，此电池能吸收一些晶硅电池所不能吸收的太阳光，这样可以增加太阳电池将光能转换为电能的效率15。(2)异质结能使内建电场加强，注入的效率得到提上来16。(3)使用上异质结使得相对单独的硅晶太阳能电池来说在硅这种原料上使用量降低，成品价格也因此

21、降了下来。4 太阳能电池4.1 高效硅基太阳能电池改善以下几点有望让产业化的硅基电池实现25%的效率：(1) 改进以硅作为衬底的用料并让少子的寿命增加。光生载流子在P 型硅这种材料中存在的时间不长，目前只有 N 型材料让硅电池实现25%效率。(2) 在电池中使用背接触结构。这样可以通过将电极遮光减少来让电池的效率增加。在其中用到的激光技术要求其本身和工艺都很严格，但是它的应用能减少成本，有望在未来的电池工艺上大幅使用。(3)将硅基异质结运用到太阳能电池中。4.2 硅基异质结的发展非晶硅薄膜和晶体硅的异质结在研究方向上是很火的，在制作上常用n型的硅片作为衬底，在其上沉积高质量的p型非晶硅的薄膜，

22、并通过加入非晶硅薄本征层的方法来减少复合中的损失，同时使反向的漏电流减少，从而来提高性能。有研究者用p型硅作为衬底，这样的做法有很好的兼容性，但是其导电性却降低了。美国的Joan Redwing等采取将非晶硅薄层覆盖在竖直的以硅为原料的纳米棒上，形成一种叫作非晶硅薄膜/晶硅纳米棒的新型异质结，然后又将将纳米、异质结和薄膜太阳能这些技术都使用在一起，来期望用纳米的这种结构来使接受太阳光的面积变大，从而将能量的转换效率提高。随着硅的掺杂技术不断完善的情况下，由于n与p型的材料制作起来容易，做异质结的选择也就不少了。如作为n型材料GaN、SiC等组合，作为p型材料可以与InAs、ZnSe和ZnO等材

23、料组成异质结构，并且有人在这方面做出了好的作品。近年来随着ZnO这种纳米材料的不断迅猛发展，ZnO/n-Si的成效也较高，转换效率都达到了8.5%，ZnO/p-Si的也达到了6.3个百分比，ZnO/S在完善制备方法后性能也得到较好的改善。美国的Michael Naughton等研究出了能将光子与光生载流子传输的路径完全隔开的非晶硅薄膜/碳纳米管异质结太阳能电池，这种电池有希望将转换效率提上来。5 硅基异质结太阳电池的研究5.1 硅基异质结太阳电池的发展世界各国的研究人员陆续研究了各种新型的硅基异质结太阳电池17，有人在不断地研究中用非晶C膜的半导体这种特别的性质来研究开发a-C/c-Si、a-

24、C/C60/c-Si 等这些比较新型的走向完善路上不可缺少的太阳电池，但是它们无法得到普及，因为它将光能转换为电能的效率太低了。在这些尝试性的研究中也有些比较成功的异质结太阳能电池，即:a-Si:H/c-Si、nc-Si:H/c-Si。以较为突出的a-Si:H/c-Si异质结作为示范，阐述几点让硅基异质结太阳电池实现高效率的条件：(1)进行对c-Si衬底的表面做足预先的加工与完善。(2)改进并完善 a-Si:H 层制作中的沉积技术。(3)对沉积后出现的膜层的后续加工与工艺做改进。Korte L根据上述方法成功的制备了(p)a-Si:H/(n)c-Si 和(n)a-Si:H/(p)c-Si 异质

25、结太阳电池，将它们的转换效率分别提升到了19.8和18.5个百分比的新高度18。硅基异质结太阳电池不但有着非晶硅的宽带隙还有着晶体硅的稳定性以及很高的转换效率，同时没有非晶硅薄膜太阳电池中的光致衰减这个问题，并且用于生产的花销也得到减少。硅基异质结太阳电池结构中存在复杂的异质结界面以及本征层等使得电池的光电转换效率受到许多条件的共同影响，使得其在性能和效率上不易达到理论值。电池的输出受到界面态的影响，缺陷的密度高了就会降低输出，异质结的层与层之间会发生耦合的现象，所以将异质结的界面弄清洁同时减少缺陷的密度并且细心地控制与调节载流子的分布情况，在能带的结构上严格要求，还有将纳米陷光这种结构用在硅

26、基异质结电池上，这些都能提高硅基异质结电池效率。5.2 硅基异质结太阳电池的研究当今多采用金字塔表面制构来将硅基异质结太阳电池的反射率被降低到百分之十以内。如图5.1为陷光作用的模拟图，采用精确的微米尺寸的金字塔表面制构可以让射入的太阳光在电池的表面发生多次的反射与折射，通过改变入射光在硅中的前进方向来延长了光程，使得光生载流子的产生得到增加。图 5.1 金字塔表面制构的陷光示意图5.2.1 HIT电池如图5.2为双面HIT太阳电池结构的示意图19-22。它将n型掺有杂质的c-Si硅片作为衬底，先将510 纳米厚的本征 a-Si:H 薄膜沉积在它的上面，然后放上p 型 a-Si 薄膜做成异质结

27、。接着将 510 纳米厚的本征a-Si与n型重掺杂的a-Si薄膜放在 c-Si 硅片背面，最后将透明的导电的氧化物薄膜沉积在异质结的最两侧上。将n型 c-Si硅片换成p型的作为衬底，背表面场用 n型a-Si的发射层和重掺杂的 p型a-Si，用在硅基异质结太阳电池上能得到对应的HIT结构的电池。HIT电池结构基本制作工艺流程为：硅片清洗制绒正面沉积非晶硅薄膜背面沉积非晶硅薄膜正反面沉积 TCO 薄膜丝网印刷电极边缘隔离测试。HIT这种电池具有低温工艺 、温度特性好如图5.3、结构对称、双面发电光照稳定性好和高开路电压的特点。 图 5.2 n 型 c-Si 衬底的 HIT 电池结构 图5.3 HI

28、T 电池与常规晶体硅电池的效率-温度曲线对比的示意图将背接触 IBC电池和硅基异质结这种HIT电池很好的结合成的HBC结构具有两者的优点。因为它有高质量的氢化非晶硅钝化和没有正面的栅线遮光特点使得电池有高的开路电压与短路电流。在2014年太阳能电池成功地在 N 型 Cz 硅上制作达到25.1百分比的效率。5.2.2 纳米结构用在硅基异质结电池中随着硅基异质结太阳电池不断地发展，需要更多的降低c-Si 衬底的厚度来减少生产中的花费和使效率得到进一步的提升。纳米结构的吸收共振强弱可以通过调控不同部位来实现，并且纳米结构可以有效的降低反射率和增加光的吸收，也就是说将a-Si 层中的光收吸量减少而光吸

29、收量在c-Si 层中得到提高，因此将纳米结构用在硅基异质结电池陷光结构上有着不错的发展以及应用上有着不错的前景。单根的 c-Si/a-Si 核壳同轴纳米线无论是在光吸收还是光电效应上都比 c-Si 纳米线有很大的增加。可是单根的纳米线不能用于大尺寸级别的电池，考虑到为了将之应用在太阳能电池中而有了把这些单根 c-Si/a-Si同轴纳米线做成纳米线阵列的想法。如图5.4是半核壳同轴纳米线阵列陷光结构,由图5.5可知，将c-Si 衬底的厚度减少到大概 10微米是将它使用在硅基异质结太阳电池中的结果，也就是说同等条件下他与一般的 HIT 电池在98微米厚度时的结果是大体一样的，这样就让所需的硅片厚度

30、得到大幅的减量，使得实现高效电池所需的硅片质量得到降低，同时这样还能让FF以及获得提升。这样的结构使得电池的成本获得了一定的下降，它能将以前无法使用在高效硅基异质结电池上的那些品质不高的扩散长度之能达到十微米左右的硅片都利用起来，放宽了选材范围。图5.4 c-Si/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列和其单个组成模块的结构示意图 图5.5 c-Si层为 98 m 厚的平板结构 HIT 电池、c-Si 层为 10.3 m 厚的平板结构 HIT 电池，和 c-Si 层为 10.3 m 厚的半核壳同轴纳米线阵列结构 HIT 电池，在标准 AM1.5 光谱下的 J-V 曲线5.2.3 硅基同质异质结太阳电池

31、将同质结的场钝化效应用来做钝化层去取代本征 a-Si 层，可以形成同质异质结，这种结构可以降低 66%以上的串联电阻，并且能够承受高达五百倍的界面态密度，这就使得界面态密度即使在没有压制到很低的这种情况之下，得到的电池转换效率也可以达到我们非常满意的程度。双节叠层的硅基同质异质结太阳电池是本征a-Si 层被 p 型 c-Si 层作为钝化层来替换后，将同质结与异质结的优点即场效应钝化和很好的能带结构这两者结合起来形成的。相比于HIT电池结构来看，硅基同质异质结太阳电池的填充因子与电池总体上的性能都得到提高，因为HIT电池的本征层电阻率高的特点被该结构给避开了。同质异质结因其能承受高达五百倍的界面

32、态密度的特点使得电池在界面态密度高的情况下也能将效率达到 20个百分比以上，这是一条新的走向高效硅基异质结电池的创新之路。5.3 SILVACO TCAD软件 SILVACO 提供了TCAD驱动的CAD环境，是一种通过计算机来实现工艺仿真和器件仿真的辅助软件。它能模拟各项集成电路制造工艺，如：离子注入、热氧化、薄膜沉淀、光刻和蚀刻等。所有关键制造步骤都能快速精确的模拟出来，还能无误地将器件结构中的几何结构、掺杂剂量分配和应力等预先推测出来。它能无误的反映出电、力、热学的性能，它可以将器件的构造做的更好，他能够提高成品的完成率以及将工艺变动的问题处理好。通过TCAD软见我们可以在不良费资源的情况

33、下研究硅基异质结太阳能电池的光电转换特性。硅基异质结太阳能是太阳能发展的前沿，它需要我们不断地研究与改进，通过仿真软件我们可以避开现实中工艺制作方面不完善而影响研究数据不精确的情况，并且通过此软件我们研究出适合工艺，从而对器件做出合理的优化处理。这样能更好的研究出最具理想的光电转换效率的太阳能电池。结语随着社会的发展，资源不断的消耗，人们意识到能源的重要性，而太阳能具有高能量、无污染和可持续发展的特点。太阳能虽然研究了多年，但是还是无法普及，主要是一代和二代的太阳能电池即价格高昂又光电转换效率低。而异质结不仅仅让能太阳能电池的光和电的转换效率提升了上来，还能让其制作成本有所下降，但随着对异质结

34、在硅太阳能电池中的运用，我们发现异质结会影响电池的稳定性，并且如何更好的将它与硅电池兼容起来也是一个问题，这些问题都有待解决。所以通过仿真软件的辅助，希望将硅基异质结太阳能电池不断地改进与完善，在理论上先达到不错的成绩，然后随着现实中的制作工艺不断完善与跟进，硅基异质结太阳能电池将有很高的发展展望。硅基异质结太阳电池的效率会不断增加，在发展上有很大的前途。今后的研究重点将集中于：1.进一步研究新型硅基异质结太阳能电池的结构。在结合了纳米线阵列、同质异质结的基础上，考虑引入上、下转换和多重激子效应等高效电池，向不曾做过的方向探寻硅基异质结太阳电池以求效率突破。2.发展一维横向排列纳米线阵列，将其

35、与硅片表面金字塔制构等其他陷光结构结合，期望在光吸收和减反性质上变得更好，以及在社会生产中得到体现。3.将同质异质结、纳米线阵列等新结构做出成品来。与理论上的数据上相比较，通过分析与改进来实现高效率的硅基异质结太阳电池，并分析其中可能潜在的物理问题。参考文献1 迟远英,李向阳.风力发电是电力可持续发展的最佳策略J.吉林电力,2005.2 陈统奎.她在提倡“破坏最小的消费”J.社区，2008.3 韩兵.硅基薄膜太阳电池的优化设计与模拟计算D.内蒙古：内蒙古师范大学，2010.4 刘恩科，朱秉生，罗晋生.半导体物理学M.第六版北京：电子工业出版社，2003:325-343. 5 孟庆巨,刘海波,孟

36、庆辉，半导体器件物理M.北京：科学出版社，2005.6 闻军,朱柱.“半导体器件原理”课程教学中固体能带理论的应用J.科教文汇,2015.7 李力猛.微晶硅/晶体硅异质结太阳电池的模拟与优化D.内蒙古：内蒙古师范大学，2009.8 Ji Youn Lee.Rapid thermal processing of silicon solar cells-passivation and diffusionM. Institute of Solar Energy(ISE),2003:25-26.9 施敏.半导体器件物理M.北京:北京电子工业出版,1986:56-98.10 杨虎.薄膜太阳电池测试台的研

37、制D.上海:上海交通大学,2003.11 Gubanov A I et al. Zh. Tekh. Fiz., 1951, 21: 304.12 Tanaka M et al. Japanese Journal of Applied Physics, 1992,31: 3518.13 张蕾, 殷锋, 彭浩, 胡育侠.激光对太阳能电池毁伤效果的研究J.电光系统,2006,(1):51-53.14 http:/ /wiki/Solar Radiation.15 樊炀.上转换下转换聚光太阳电池及系统的初步研究D.北京:北京交通大学,2009.16 Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices, Second Edi-tion. New York: John Wiley& Sons, 1981. 122.17 Korte L, Conrada E, Angermanna H, et al. Advances in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell