1.5二极管习题

1、上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 电阻量程电阻量程 1 10 100 1k 测得电阻值测得电阻值 31 210 1.1 k 11.5 k 例例1 用万用表测量二极管的正向直流电阻用万用表测量二极管的正向直流电阻RF，选用，选用 的量程不同，测得的电阻值相差很大。现用的量程不同，测得的电阻值相差很大。现用MF30 型型 万用表测量某二极管的正向电阻，结果如下表，试分万用表测量某二极管的正向电阻，结果如下表，试分 析所得阻值不同的原因。析所得阻值不同的原因。 练练 习习 题题 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 图中，图中，R0为表头等效内阻。

2、为表头等效内阻。 万用表的量程越大，即万用表的量程越大，即R0越大。越大。 解解 万用表测电阻的原理图万用表测电阻的原理图 R0 + + - - E iD + +- - uD 写出电路方程写出电路方程 uD+iDR0=E 显然，上式在显然，上式在 iD uD坐标系中表示一条直线。坐标系中表示一条直线。 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 画出上式所表示的直线。画出上式所表示的直线。 E/R01 UD ID E/R0 E 二极管伏安特性二极管伏安特性 直线直线 R0增大增大 UD1 ID1 uD iD O 显然，显然，UD、 、ID是直线与二 是直线与二 极管伏安特性曲

3、线的交点。极管伏安特性曲线的交点。 可见，万用表的量程越大，可见，万用表的量程越大， D R0 + + - - E iD + +- - uD uD+iDR0=E UD、 、ID 越小， 越小， 二极管的等效电阻越大二极管的等效电阻越大。 二极管的等效电阻为二极管的等效电阻为 RD=UD/ID 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 例例2 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各 电路中的二极管是导通还是截止，并求出电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之两点之 间的电压间的电压AB值值。 V115 V 10 VV2 R

4、2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (a) V1 15 V 10 VV2 R2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (b) 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 解解 判断电路中二极管工作状态的方法判断电路中二极管工作状态的方法 1. 断开二极管，分析电路断开点的开路电压。如断开二极管，分析电路断开点的开路电压。如 果该电压能使二极管正偏，且大于二极管的死区果该电压能使二极管正偏，且大于二极管的死区 电压，二极管导通；否则二极管截止。电压，二极管导通；否则二极管截止。 2. 如果电路中有两个二极管，利用方法如果电路中有两个二极管，利用方法1分别判

5、分别判 断各个二极管两端的开路电压，开路电压高的二断各个二极管两端的开路电压，开路电压高的二 极管优先导通；当此二极管导通后，再根据电路极管优先导通；当此二极管导通后，再根据电路 的约束条件，判断另一个二极管的工作状态。的约束条件，判断另一个二极管的工作状态。 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 对于图对于图 a，经判断知，经判断知，D1、D2两端的开路电压两端的开路电压 分别为分别为： D2反偏电压为反偏电压为5 V D1导通导通 AB = 0 V D2截止截止 V115 V 10 VV2 R2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (a) 10 V，5 V

6、 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 对于图对于图 b，经判断知，经判断知，D1、 D2两端的开路电压分别为两端的开路电压分别为 即即 D1上的反偏电压为上的反偏电压为15 V D2优先导通优先导通 AB = 15 V D1截止截止 10 V，25 V D2导通后导通后 V1 15 V 10 VV2 R2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (b) 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 例例3 电路如图所示电路如图所示, 设设D1 、D2 的性能均理想，输入电的性能均理想，输入电 压压uI的变化范围为的变化范围为030 V。画出电路的

7、传输特性曲线画出电路的传输特性曲线。 + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 解解 当当D1、D2均导通时均导通时 2 I2 2D2 R uV ii - - )()( 2 I2 1 I1 D21D1 R uV R uV iii - - + + - - - - + +- - + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术

8、基础 5 18 I D2 u i - - 代入有关数据得代入有关数据得 由此可知由此可知 D2导通的条件是导通的条件是uI18 V D1导通的条件是导通的条件是uI12 V + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 5 242 I D1 - - u i 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 5 24-2 I D1 u i 5 18 I D2 u i - - 故故 当当uI12 V时，时，D1截止、截止、D2导通。导通。 V12V)52 . 16( 111O + + + + RiVu + _

9、 uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 mA2 . 1mA 55 618 21 12 21 + + - - + + - - RR VV ii 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 当当uI 18 V时，时，D1导通、导通、D2截止截止 当当12 V uI 18 V时，时，D1、D2均导通均导通 uO= uI uO=18 V 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 uOuI关系曲线关系曲线 uO/V uI/V 121830 12 18 0 上页上页 下页下页返回返回 模拟电子技术基础模拟电子技术基础 例例4 二极管的伏安特性如图二极管的伏安特性如图 所示，试画出二极管的电路所示，试画出二极管的电路 模型。模型。 uD iD O UD