北京科技大学 溅射镀膜技术

1、北京科技大学材料科学学院 唐伟忠 Tel: 6233 4144 E-mail: 课件下载网址： wztang_ 下 载 密 码： 12345678 n 利用带电荷的阳离子在电场中加速后具 有一定动能的特点，将离子引向欲被溅 射的物质制成的靶电极（阴极） n 入射离子在与靶面原子的碰撞过程中， 通过动量的转移，将后者溅射出来 n 这些被溅射出来的原子将沿着一定的方 向射向衬底，从而实现物质的PVD沉积 溅射法制备薄膜的物理过程 靶材是要溅射的材料，它作为阴极, 相对于真空室内其他部 分处于负电位。阳极可以是接地的，也可以是浮动的 n以适当压力（10-110Pa）的惰性气体（一般均为 Ar）作为放

2、电气体（与PVD的真空蒸发时不同） n在正负电极间外加电压的作用下，电极间的气体 原子将被雪崩式地电离，形成可以独立运动的 Ar+离子和电子。电子加速飞向阳极，而带正电 荷的Ar+离子则在电场的作用下加速飞向作为阴 极的靶材，并发生靶物质的溅射过程 n气体放电现象是发生物质溅射过程的基础 在阴阳两极间，由电动势为E的直流电源提供靶 电压V 和靶电流 I，并以电阻R 作为限流电阻 在两极之间存在电位差时，气体分子将因电离过程而分 解为电子和离子。离子轰击阴极将引发二次电子发射。阴极 发射出来的电子在获得能量以后将会与等离子体中的分子碰 撞，造成后者的激发和离化，形成新的电子与离子，使放电 过程得

3、以持续进行。 A. Bogaerts et al. / Spectrochimica Acta Part B 57 (2002) 609658 放电曲线分为： n 汤生放电段（气体分子开始出现电离） n 辉光放电段（产生大面积辉光等离子体） n 弧光放电段（产生高密度弧光等离子体） = 只有当 Pd 取一定数值时，气体才最容易维持辉光放电 d 10cm时，P 10Pa 放电击穿后，气体即成为具有一定导 电能力的等离子体，它是一种由离子、电 子及中性原子、原子团组成，而宏观上对 外呈现电中性的物质存在形式。 相应于辉光和弧光放电，就有了辉光 放电等离子体和弧光放电等离子体。 n 典型辉光放电等离

4、子体的粒子密度 1014/cm3， 即气体中，只有约 10-4 比例的电子和离子 n 电子质量小，其电场中的加速快，电子的平均动 能Ee 2eV，相当于电子温度Te =Ee/k 23000K n 电子、离子质量差别大，导致离子及中性原子处 于低能态，如 300500K n 电子是等离子体中主要的能量携带者 n 电子、离子具有极不相同的速度： 电子 va=(8kTe/m)1/2 9.5105 m/s Ar+离子 约5102 m/s 等离子体中电子碰撞参与的主要微观过程 微观过程表达式 电子与气体分子的弹性碰撞 电子与气体分子的非弹性碰撞 激发 分解 电离 XY+eXY+e （使气体分子的动能增加

5、） XY+eXY*+e XY+eX+Y+e XY+e XY+2e （使气体分子的内能增加） 高能量的电子与其他粒子间的相互碰撞是等离子体 从外界获得能量的方式 n 等离子体鞘层：任何处于等离子体中或其附近的 物体的外侧都将伴随有正电荷的积累 n 鞘层电位：相对于等离子体来讲，任何处于等离 子体中或其附近的物体都将自动地处于一个负电 位 电子与离子具有不同速度的一个直接后果是产 生等离子体鞘层以及鞘层电位： 鞘层电位可由电子能量分布为 麦克斯韦分布的假设求出： 2 1 e e p ) m3 . 2 m ln( e kT V Vp的变化范围不大，约等于电子温度Te的4-6倍，10V 鞘层 两极间的

6、电压降几乎全部集中在阴极鞘层中：因为负电极力图吸 引的是正离子，但后者的质量大，被加速的能力弱，加速较难 阴极鞘层 n 阴极鞘层电位的建立使到达阴极的Ar+离 子均要经过相应的加速而获得相应的能量 (102 eV 数量级)，即轰击阴极的离子具有 很高的能量，它使阴极物质发生溅射现象 n 溅射仅是离子轰击物体表面时发生的物理 现象之一，其相对的重要性取决于入射离 子的种类与能量。几十至几十千eV是物质 溅射所对应的离子能量范围 a) Single knock-on b)Linear cascade c) High energy spike 不同微观过程所导致的溅射效率是不一样的 n溅射产额是是衡

7、量溅射过程效率的一个参数： 被溅射出来的物质总原子数 溅射产额 S = 入射离子数 n靶材溅射过程释放出的各种粒子中，主要是单 个的原子，以及少量的原子团；离子所占的比 例只有1-10% n使物质发生溅射的能量存在一定的阈值E0；每 种物质的溅射阈值与被溅射物质的升华热成比 例。金属的溅射能量阈值多在1040eV之间 溅射能量有其 阈值 最佳溅射能量区间 n 元素的溅射产额呈现周期性的变化 n 惰性气体的溅射产额较高；从经济性方面考虑, 多使用 Ar 作为溅射气体 C的溅射 Ar+的溅射 （参见溅射产额的欠余弦分布） 溅射产额随的温度变化也有对应的阈值 不同于热蒸发时的余弦分布 平均能量？ n

8、 溅射过程中的能量传递使溅射出来的原子 将具有很大的动能，一般分布在5 20eV之 间，其平均能量约为10eV n 这是溅射过程区别于热蒸发过程的显著特 点之一。热蒸发时，原子的平均动能只有 0.1eV n溅射法易于保证所制备的薄膜的化学成分与靶 材的成分相一致，这是它与蒸发法的另一区别 。其原因有二： n如，对成分为80%Ni-20%Fe的合金靶来说， 1keV的Ar+离子溅射产额为：Ni：2.2，Fe：1.3 。但适当的预溅射后，其表面开始富Fe，即仍 能保证沉积出合适成分的合金薄膜 p与不同元素在平衡蒸气压方面的巨大差异相比， 元素溅射产额间的差别较小，只有0.1-10 p溅射过程中靶物

9、质处于固态，其扩散能力较弱； 溅射产额差别造成的靶材表面成分的偏离在随后 的溅射过程中会实现自动的补偿 溅射法在应用于化合物溅射时，有两个重要的问 题： n许多化合物的导电性较差；如何实现其溅射过 程？ n化合物在溅射过程中，其成分又是如何变化的 ？会不会发生化合物的分解？ 关于这两点，我们在稍后一些介绍 u 直流溅射（即二极溅射） u 三极、四极溅射 u 磁控溅射 u 射频溅射 u 偏压溅射 u 反应溅射 u 中频孪生靶溅射和脉冲溅射 u 离子束溅射 u 阴极是要溅射的靶材, 阳极即是真空室 u Ar 压力 10Pa u 电压上千伏 u低压时等离子体密度低，溅射速率低 u高压时气体分子对溅射

10、粒子的散射严重，溅射速率低 沉积的效率 放电电流 二极溅射有两个缺点： n 不能独立控制各个工艺参量：电压、电流 及溅射气压 n 气体压力较高（10Pa左右），溅射速率较 低（0.5m/hr）。这不利于减少杂质污染 及提高溅射效率 在二极溅射的基础上, 增加一个发射电子的热阴 极，即构成了三极溅射装置。它有助于克服上 述两个问题 其优点是: 可独立调节参数，降低气体压力，提高溅射效率 _ 第四极 _ 第三极 n 上述的直流溅射方法要求靶材具有好的导电性，否 则靶上电荷积累，会造成靶电流过小，靶电压过高 n 射频溅射是适用于导体、非导体靶材的溅射方法 射频溅射多使用13.56MHz 频率的射频电

11、源 ？ u 电容C 将射频能量耦合至靶电极，而地电极则包括了衬底和真 空室，即放电系统具有非对称的电极配置： 靶电极面积 地电极面积 u “电容耦合”指两电极间形成了一等效电容，将能量耦合至体 系 与直流时相比，射频放电过程有两个显著的变化： u高频电场已可经其他阻抗形式（电容C）耦合 到靶上，而不必要求靶材是导体。电极在前半 周期内积累的电荷将会在下半周期内得到释放 u在射频频率下，惰性较大的离子已跟不上电场 的高速变化，而只能感受到平均的电位分布； 而惰性较小的电子，可以紧跟电场的周期变化 在两极间振荡运动，从电场中获得能量，使气 体分子电离和轰击电极产生二次电子 n 射频电源的采用使放电

12、过程摆脱了对靶材导电性的 限制 n 但：靶物质如何在交变电场的作用下被溅射的呢？ 使射频方法可被用来产生物质溅射效应的根本 原因是它可在靶上产生自偏压效应自偏压效应，即在射频激励 之下，靶电极会自动地处于一个负电位，它导致离 子受到吸引，对靶电极造成轰击和溅射 电子、离子间巨大的质量（速度）差异是自偏 压得以产生的根本原因；通过电容电容C 的能量耦合方的能量耦合方 式式和电极面积差电极面积差是获得适当幅度自偏压的必要条件 A. Bogaerts et al. / Spectrochimica Acta Part B 57 (2002) 609658 激励电压 射频极的 电位 自偏压(电容电压降

13、) u 在射频激励下，正半周内高速电子将迅速涌入，使电极 电位迅速降低；负半周内慢速离子少量涌入将使电位少 量回升 u 最终，电极将获得一个负电位，以抑制电子的持续涌入 大电容,小电流 耦合电容C 使电极与电源间不能有实际的电流 流过；电容C 的负端和靶电极被充上负电荷后，使 其不再倾向于接受电子，即它将使靶电极调整到相 应的负电位，使其后它每个周期内吸纳的电子、离 子的数量趋于相抵 靶电极获得的这一负电位,即是靶电极上产生的 自偏压 系统可被描述为一个由电容、电阻、二极管组 成的体系；二极管描述了其单向导电的特性，电阻 描述其能量耗散特性 自偏压产生后，电极维持于一个负电位，以排斥电子 的涌

14、入；电极在正半周内接受的电子与负半周内接受 的离子数相等，使平均电流为零 电流的波形 电压的波形 电子-离子运动的速度 差异使电极的电流-电 压特性就象一只二极管 负偏压 n 因此，面积较小的靶电极将拥有较高的自偏压 n 两极及其间的等离 子体还可以被看成 是两个串联的电容 ，其中 “靶电极 电容” 因靶面积 小而较小，而 “ 地电极电容” 因 电极面积大而较大 。电容电压降V 与 电极面积A 成反比 ，即： u Vc-Vp 射频极对等离子体的电位差 u Vp-0地电极对等离子体的电位差 u 即，溅射极产生的自偏压 Vb O 等离子体电位 地电位 射频极的电位 自偏压 离子电 流脉冲 直流时情

15、况 根据电极面积比、电 源连接方式 (经电容 C) 的不同，可以有 不同的偏压效果 （左）面积小的射频电极将拥有较高的自偏压 （右）而对称配置的一对电极将因为会受到等量的离子轰击，因而 会造成溅射污染（特别是气压低、气体分子散射不严重时） 射频极射频极 平均电位 平均电位 n 靶电极上的自偏压将吸引离子，造成射频靶 的溅射，使非导体靶的溅射成为可能 n 自偏压的大小取决于靶面积比、外加射频电 压的高低、气体的种类与压力等。射频溅射 时，自偏压一般为1001000V，气体压力 1100Pa, 电子密度1091011/cm3 n 真空室壁感受到的自偏压较小，受到离子轰 击和溅射的效应很小，可以被忽

16、略 n 出于同样的道理，在衬底或薄膜（可以是导出于同样的道理，在衬底或薄膜（可以是导 体和非导体）上施加一射频电源，也可以起体和非导体）上施加一射频电源，也可以起 到对其施加负偏压的作用到对其施加负偏压的作用 早期的(非磁控的)溅射方法有两大缺点： n 溅射沉积薄膜的速率较低（1m/h） n 溅射所需的气压较高，否则放电现象不易 维持 两者导致污染几率增加，溅射效率低下 解决的办法：磁控溅射 电子在电场E、磁场B中将受到洛仑兹力作用 F=-q(E+vB) 若E、B相互垂直，则电子的轨迹将是既沿电场方向 加速，同时绕磁场方向螺旋前进的复杂曲线。即靶 表面垂直E方向的磁力线可将电子约束在靶表面附近

17、 ，延长其运动轨迹，提高其参与气体电离过程的几 率，降低溅射过程的气体压力，提高溅射效率 E、B 相互平行 E、B 相互垂直 形成一条溅射带，使靶的利用率低；不宜于铁磁性物质的溅射 在E与B相垂直的地方，电子密度高，因为这里电子轨迹被延长 u 可提高靶的 利用率 u 但靶的制造 较为困难 u 气压可以低至10-1Pa，降低了薄膜污染倾向； u 沉积速率高（可大于10m/hr）、效率大大提高。 磁控溅射的上述优点，使其成为了溅射法技术的主流。 射频溅射的靶电流 高于直流溅射，而 磁控溅射的靶电流 又高于射频溅射 n 磁控溅射还具有可将等离子体约束于靶附近，离 子对薄膜的轰击作用小的特点；这对于希

18、望减少 薄膜损伤、降低沉积温度的场合来说是有利的 n 但有时，又希望保持适度的离子对薄膜的轰击效 应。这时，可借助所谓的非平衡磁控溅射方法 n 非平衡磁控溅射靶有意减小（或加大）了靶中心 的磁体体积，使部分磁力线发散至距靶较远的地 方 n 非平衡磁控溅射时，等离子体的作用范围扩展到 了薄膜附近，引起该处气体分子电离和部分离子 轰击薄膜表面 有意减小（或加大）靶中心的磁体强度，使部分磁力 线发散至距靶较远的地方 n 在一般溅射装置的基础上，将衬底的电位与接地 阳极（真空室）的电位分开设置，在衬底与等离 子体之间有意识地施加一偏置电压，吸引部分离 子轰击薄膜的方法。有时，这种方法又被称为溅 射离子

19、镀 n 通常，负偏压的大小控制在数百伏之内。偏压溅 射是改善薄膜组织及性能的常用手段 偏压直流溅射和偏压射频溅射制备的Ta薄膜显示了类似的 结果，表明偏压对薄膜组织及电阻率的影响遵循着一种普遍的 内在规律 n 制备化合物薄膜时，可以直接使用化合物作为靶 材。但有时化合物溅射会发生化合物分解的情况 ，使沉积的薄膜在成分上与靶材有很大的差别 n 上述现象的原因是溅射环境中相应元素的分压低 于形成相应化合物所需的压力。因此，解决问题 的办法是调整气体的组成和压力，通入相应的活 性气体，抑制化合物的分解 n 进一步，也可采用纯金属作溅射靶，但在工作气 体中混入适量的反应气体（如O2、N2、NH3、 C

20、H4、H2S等），在溅射沉积的同时生成所需的化 合物。上述的溅射技术被称为反应溅射方法反应溅射方法 利用反应溅射方法可以制备 n 氧化物，如Al2O3、SiO2、In2O3、SnO2 n 碳化物，如SiC、WC、TiC n 氮化物，如TiN、AlN、Si3N4 n 硫化物，如CdS、ZnS、CuS n 复合化合物，如碳氮化物Ti(C,N)、Al(O,N) 反应溅射由于采用了金属靶材，因而它可以： p 大大降低靶材的制造成本 p 有效改善靶材和薄膜的纯度 通过控制活性气体N2的压力，可控制沉积产物的成分与 性能。如反应溅射沉积TaN时，可形成的相包括Ta、Ta2N、 TaN 以及它们的混合物 n

21、 随着活性气体压力的增加，靶材表面也要形成 一层相应的化合物,并导致溅射和薄膜沉积速 率的变化 n 化合物的溅射产额一般低于金属，即溅射效率 会下降。这时，靶材上活性气体的吸附速率已 经大于或等于其溅射速率；大量的入射离子不 是在对靶进行溅射，而是在溅射不断吸附到靶 上的气体，并大量产生二次电子的发射 n 上述溅射特征的变化呈现出滞后的特征。只有 当活性气体的流量降低至更低的水平时，溅射 效率才会提高到原来的水平。变化前后的溅射 模式被称为金属态的溅射和化合物态的溅射金属态的溅射和化合物态的溅射 从提高溅射效率的角度考虑，希望在保证薄膜成分的同 时，尽量将溅射过程控制在曲线的 E 点附近。 金

22、属态的 溅射 化合物态的 溅射 靶电流与Al靶396nm光发射谱线强度的变化 O2流量增加时, 光强度先降低, 后靶电流大增; O2流量再增加时, 光强度和靶电流都增加; 其后光 强度大降, 同时气体放电颜色由红变为绿 A. Schutze, D.T. Quinto / Surface and Coatings Technology 162 (2003) 174182 金属态的 溅射 化合物态的 溅射 n 更严重的是，阳极上生成化合物,导致阳极不能 再接受电子即出现 阳极消失 现象, 以 至溅射过程不能稳定进行 n 同时,靶面上形成的化合物会使得靶面上发生电 荷积累、不时引起电弧放电，损害靶材

23、与薄膜 上述反应溅射特有的靶上形成化合物的现象被称 为 “靶中毒” 现象 n 靶中毒不仅会降低薄膜的沉积速度，而且也会 损害靶和薄膜，它对溅射工艺的控制提出了严 格的要求 n 避免靶材中毒的可能措施包括： u 将反应气体的输入位置尽量设置在远离靶 材而靠近衬底的地方，提高活性气体的利 用效率，抑制其与靶材表面反应的进行 u 提高反应气体的活性，以降低其所需的压 力 (使用高活性气体/等离子体) u 提高靶材的溅射速率，降低活性气体吸附 的相对影响 u 中频孪生靶溅射和脉冲溅射中频孪生靶溅射和脉冲溅射 (象射频溅射) n 导致靶中毒问题出现的原因在于靶材与阳极表面 出现化合物层和电荷积累 n 显

24、然，若可以每隔一段时间让靶及阳极表面积累 的电荷得以释放的话，就可避免靶面打火等现象 的出现 n 因此，解决的办法之一: 可采取对溅射靶周期地 施加交变电压的方法，不断提供释放靶电荷的机 会 针对靶表面的电荷积累，可估计靶面电弧击穿 ”打 火” 现象出现的时间间隔。设相应化合物层的介电 常数与击穿场强为 r 和 Eb ，轰击靶面的离子流密 度为 J，从电荷开始积累到发生放电击穿的时间间 隔大致等于 J E t brb b 以反应溅射SiO2为例，设靶面溅射区离子流密度为1mA/cm2， SiO2的Eb=3105V/cm，介电常数r=3.7，则放电现象发生的时 间间隔约等于tb=100s。因此，

25、电荷释放所需要的放电频率应 该高于10kHz 在中频溅射的情况下，靶材周期性地处于高电位和 低电位 n低电位时，靶材在被离子被溅射的同时，正电 荷积累下来 n高电位时，等离子体中的电子迅速涌入, 中和 掉靶材表面积累的电荷，抑制了靶材表面的打 火现象 目前, 反应溅射多使用 n 频率为 10-150kHz 的正弦波中频电源 n 频率为 10-70kHz 的脉冲电源 中频溅射法常使用两个并列的靶、即孪生靶，它们各 自与中频电源的一端相连，并与整个的真空室相绝缘 。两靶交替作为阴极和阳极, 分别被离子所溅射 中频溅射法使化合物溅射的工业化不再成为问题 U. Krause et al.Thin So

26、lid Films 392(2001)196200 脉冲溅射法使用的是矩形波式的脉冲电源 n 在负脉冲期间，靶材处于被溅射的状态 n 在正脉冲期间，靶材表面积累的电荷将由于电 子的迅速流入而得到中和 脉冲溅射法也可以使用与中频溅射法时类似的孪生 靶 为保持高的溅射速率，同时也由于电子的速度远高于 离子的速度，因此正脉冲的宽度可以远小于负脉冲的 宽度 中频溅射和脉冲溅射法统称为交流溅射法。它克服 了困扰反应溅射技术的靶电极电荷积累问题，因而 靶材毒化的问题不再是妨害反应溅射过程进行的限 制性因素。这大大促进了化合物薄膜材料制备技术 的发展，因而已在实际生产中迅速获得了推广与使 用。 可以理解，脉

27、冲溅射与中频溅射两种溅射方法在克 服溅射靶材表面电荷积累方面的作用是相同的，因 而它们也具有相同的优点，即抑制靶中毒和打火现 象发生、稳定并提高薄膜的沉积速率与质量。 中频孪生靶磁控溅射法制备的 各种化合物薄膜的相对沉积速率 薄膜种类与直流磁控溅射法相比的相对沉积速率 SiO2 Si3N4 TiO2 Ta2O5 SnO2 6 2 6 2 2 中频孪生靶可以稳定运行，意味着可以使用更高的功率水平 和获得高的沉积速率 (a)直流和(b)脉冲反应溅射法制备的Al2O3涂层的 断面形貌 与中频孪生靶类似，脉冲溅射可大大改善薄膜的质量 直流和脉冲反应溅射制备的 Al2O3涂层的光学透过率曲线 n 一般的

28、溅射方法多是将靶、薄膜置于辉光放电 环境中，气体压力一般在0.1-10Pa之间。其缺 点是薄膜沉积过程处于等离子体中，这造成 n 离子束溅射方法与此不同，它将离子的产生与 靶的溅射过程相分开。离子产生区的真空度保 持在0.1Pa的数量级，而溅射区的真空度则可 维持在低于10-3Pa（甚至可达10-7Pa） u 离子能量、强度不能精确控制 u 气体杂质的污染 u 等离子体轰击导致薄膜温度上升 u 会产生电子、离子轰击损伤 离子束以一定的角度轰击靶材并溅射出其表层的原子。在靶材 不导电时，需要在离子枪外或是在靶材的表面附近，用直接对 离子束提供电子的方法，中和离子束所携带的电荷。 较高的真空度 较

29、低的真空度 由于溅射的原子携带有一定的能量，因而有助于改善薄膜表 面的平整度和覆盖能力 (虽然仍有阴影效应) n 值得注意的是，上述的各种溅射方法一般不具有 排他性，而是可以有机地综合在一起被使用 n 如磁控溅射： 可以是 直流磁控溅射 也可以是 射频磁控溅射 n 又如反应溅射：可以是 孪生靶反应磁控溅射 也可以是 脉冲反应磁控溅射 n 其中，磁控溅射已成为标准的薄膜溅射沉积方法磁控溅射已成为标准的薄膜溅射沉积方法 溅射法蒸镀法 沉积气相的产生过程 1.离子轰击和碰撞动量转移机制 2.较高的溅射原子能量（ 230eV） 3.稍低的沉积速率 4.溅射原子的运动具方向性 5.可保证合金成分，但有的

30、化合 物有分解倾向 6.靶材纯度随材料种类而变化 1.原子的热蒸发机制 2.低的原子动能（温度1200K时约 为0.1eV） 3.较高的蒸发速率 4.蒸发原子的运动具方向性 5.蒸发时会发生元素的贫化或富集 ，部分化合物有分解倾向 6.蒸发源纯度可较高 溅射法蒸镀法 气相过程 1.工作压力稍高 2.原子的平均自由程小于靶与 衬底间距，原子沉积前要经 过多次碰撞 1.高真空环境 2.蒸发原子不经碰撞直接在衬底上 沉积 薄膜的沉积过程 1.沉积原子具有较高能量 2.沉积过程会引入部分气体杂 质 1.沉积原子能量较低 2.气体杂质含量低 例一：CdTe/CdS 太阳能电池 A. Bosio et a

31、l. / Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 275 52 (2006) 247e279 电池的层状结构： u 衬底：普通碱性窗玻璃 u 前电极： ITO500nm u 隔离层： ZnO100nm u 透光层：CdS80 nm u 吸收层：CdTe4-6 m u 后电极：Sb2Te3100 nm u 金属电极：Mo100 nm n-type p-type XPS方法测量获得的CdTe/CdS电池的能带图 u 具有较宽禁带宽度的n-CdS 是透光层，而p-CdTe是光的 吸收层 u 两者之间形成p-n结 W.

32、Diehl et al. / Surface & Coatings Technology 332 193 (2005) 329334 The group of Dr. A. Klein 射频磁控溅射法制备的 CdS、CdTe薄膜的光学透过率曲线 H. Hernandez-Contreras et al. / Thin Solid Films 403 404 (2002) 148152 两种薄膜对可见光具有不同的吸收特性 CdTe/CdS 太阳能电池板的生产流程 A. Bosio et al. / Progress in Crystal Growth and Characterization o

33、f Materials 275 52 (2006) 247e279 u 传送带将玻璃衬底送入各真空室，加工成太阳能电池板后 离开生产线。 u 生产能力： 两分钟加工一块0.61.2m2 的电池板 u 生产成本： 1 Euro/ Watt u 主要的薄膜沉积方法: 溅射 u 玻璃清洗与干燥 u 400C，O2气氛中磁控反应溅射法制备ITO 电极层 u 室温下，第一次激光切割 u 250C，Ar+CHF3气氛中磁控反应溅射CdS u 500C， CSS法制备CdTe u 400C，可控气氛及真空热处理 u 室温下，第二次激光切割 u 300C，磁控溅射制备 Sb2Te3/Mo电极层 u 第三次激光切割 CdTe/CdS 太阳能电池板的生产流程 CdTe/C