霍尔效应的应用试验报告

1、名称：霍尔效应的应用、 目的：1霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2测绘霍尔元件的 VHIs ，VHI M曲线，了解霍尔电势差 VH与霍尔元件工作 电流 Is ，磁场应强度 B及励磁电流 IM 之间的关系。3学习利用霍尔效应测量磁感应强度 B 及磁场分布。4学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。三、器材：1、实验仪：1）电磁铁。2）样品和样品架。3）Is 和 I M 换向开关及 VH 、V 切换开关。2、测试仪：（1）两组恒流源。（2）直流数字电压表。四、原理： 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏 转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料

2、中，这种偏转就导致在垂直电 流和磁场方向上产生正负电荷的聚积， 从而形成附加的横向电场， 即霍尔电场 EH 。 如图 15-1 所示的半导体试样， 若在 X方向通以电流 IS ，在 Z方向加磁场 B，则在 Y方向即试样 A-A / 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的学习参考指向取决于试样的导电类型。对图所示的 型试样则沿 Y 方向。即有EH （Y） 0 （N型）EH （Y） 0 （P型）N 型试样，霍尔电场逆 Y 方向，（b）的 P显然，霍尔电场 EH 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场 力 eEH 与洛仑兹力 evB 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡

3、，故 eEH evB（ 1）其中 EH 为霍尔电场， v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为 b，厚度为 d，载流子浓度为 n ，则I S nevbd（ 2）由（1）、（2）两式可得：VH EH b 1 ISB RH I SB（3）ne d d即霍尔电压 VH （A 、A电极之间的电压）与 I SB乘积成正比与试样厚度 d 成 反比。比例系数 RH 1 称为霍尔系数， 它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。 ne只要测出VH （伏）以及知道 I S （安）、 B （高斯）和 d （厘米）可按下式计算 RH （厘米 3库仑）：RH VHd 108（4）ISB上式中的 108是由于磁感

4、应强度 B用电磁单位 （高斯）而其它各量均采用 CGS实用 单位而引入。由于产生霍尔效应的同时，伴随多种副效应，以致实测的霍尔电场间电压不等于真实的 VH值，因此必需设法消除。根据副效应产生的机理，采用电流和磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。具体的做法是 Is 和 B（即 I M）的大小不变，并在设定电流和磁场的正反方向后，依次测 量由下面四组不同方向的 Is 和 B（即 I M）时的 V1， V2，V3，V4，1)+I s+BV12)+Is-BV23) -I s-BV34) -I s+BV4V1 V2 V3 V4 VH然后求它们的代数平均值，可得：H4学习参考通过对

5、称测量法求得的 VH误差很小另一方面，射载流子浓度为 n,薄片厚度为 d,则电流强度 I 与 u的关系为：1 IB1IBI bdnqu (5) ，则可得到 VBB (6) ，令 R，则 VBB Rnq dnqd (7) ，R称为霍尔系数， 它体现了材料的霍尔效应大小。 根据霍尔效应制作 的元件称为霍尔元件。在应用中， (6) 常以如下形式出现： VBB KH IB(8) ，式中KH1 称为霍尔元件灵敏度， nqdI 称为控制电流可见，若 I 、KH已知，只要测出霍尔电压 VBB ，即可算出磁场 B的大小；并且 若知载流子类型 (n 型半导体多数载流子为电子， P 型半导体多数载流子为空穴 ),

6、 则由 VBB 的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。由于霍尔效应建立所需时间很短 (10-1210-14s), 因此霍尔元件使用交流电 或者直流电都可。指示交流电时，得到的霍尔电压也是交变的， I 和 VBB应理解为 有效值。五、步骤：1、测量霍耳电压 VH 与工作电流 IS 的关系。 对测试仪进行调零。将测试仪的“ I S调节”和“ IM 调节”旋钮均置零位， 待开机数分钟后若 VH 显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位 器实现调零，即“ 0.00 ”。 测绘VH - I S曲线。将实验仪的“ VH ，V ”切换开关投向 VH 侧，测试仪的 “功能切换”

7、置 VH，保持 IM 值不变(取 IM =0.6A )，绘制VH - IS曲线。2、测量霍耳电压 VH 与工作电流 IM 的关系。实验仪与测试仪各开关位置同上。保持半导体的电流IS 不变(取IS =300mA)，绘制VH - IM曲线。3、测量V 值。将切换开关“ VH ，V ”投向V 侧，“功能切换”置 V 。在零 磁场下，取 I S =2.00mA，测量 V 。4、确定样品的导电类型。将实验仪三组双刀开关均投向上方，即IS沿 X方向，B沿Z方向。毫伏表测量电压为 VAA 。取I S=2.00mA IM =0.6A，测量VH大 小及极性，判断样品导电类型。5、 求样品 RH ，n，值。学习参

8、考六、记录：1测绘U H I S曲线，保持 I M=0.6A、I S=1.004.00mA 不变，在表格中记录霍 尔电压。IS(mA)U1(mV)U 2(mV)U3(mV)U4(mV)V1 V2 V3 V4VH4B, ISB, ISB, ISB, IS1.00-2.202.90-2.503.02-2.671.50-4.034.25-3.854.44-4.162.00-5.425.59-5.185.59-5.452.50-6.826.92-6.527.23-6.873.00-8.218.26-7.858.62-8.244.00-11.0210.94-10.5411.42-10.982测绘 UH

9、IM 曲线，保持 Is=3.00mA；Im=0.3000.800A 不变，在表格中记 录霍尔电压。Im/AU1(mV)U2 (mV)U3(mV)U4(mV)V1 V2 V3 V4VH4B, ISB, ISB, ISB, IS0.3-4.094.13-3.734.52-3.120.4-5.495.50-5.105.87-5.490.5-6.846.88-6.487.30-6.880.6-8.238.27-7.878.63-8.250.7-9.589.63-9.229.99-9.610.8-10.9811.02-10.6211.39-11.00测得： V =130.6mVVh=-5.40mV七、数

10、据处理：2、在零磁场下，取 I S =2.00mA，测出 V =130.6mV3、确定样品的导电类型。测出霍耳电压 VH =-5.40mV0, 故样品属 N型。4、求样品 RH ，n， ，值。(1) 由RH VHd VHd 分别求出表 1、2的RH ，再求出其平均值 RH、RH ，H I SB I S 0.1X IMH H H(6.16 103 6.16 103 6.14 103 6.16 103 6.14 103 6.16 103) 6.15 10 3(Vm/ AT )(6.02 103 5.96 103 5.99 103 6.0 103 6.03 103 6.09 103) 6.02 10

11、 3(Vm/ AT )故RH= (6.15 10 3 6.02 103)= 6.09 10(3 Vm/AT)2)1|RH |e16.09 10 3 1.6 10 191.03 1021(AT / (V m C)3) =UISLS 22.06(A/Vm)(4)|RH | 6.09 10 3 22.06 0.13(T 1)八、预习思考题：1、霍耳元件为什么要用半导体材料，而且要求做得很薄？霍尔电压是如何产 生的？答：半导体材料的迁移率 高，电阻率 适中，是制造霍耳器件较理想的材 料。2、 工作电流和磁场为什么要换向？实际操作时如何实现？ 答：为了把产生霍耳效应的时候所伴随的副效应的影响从测量的结果

12、中消除。 实际操作时通过切换实验仪三组双刀开关改变电流和磁场的方向。3、 回答 IS、IM 、U H 、U 分别表示什么含义？ IS、IM 的作用分别是什么？ 答： I S表示样品工作电流； IM 表示励磁电流； U H 表示存在磁场时的霍耳电 压；U 表示在零磁场下的霍耳电压。 I S的作用是改变电流大小和方向， IM 的作 学习参考用是改变磁场的大小及方向4、 霍耳效应有哪些应用？ 答：在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的 电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器。九、操作后思考题

13、：1、 如何精确测量霍耳电压？本实验采用什么方法消除各种附加电压？ 答：设法消除产生霍尔效应时伴随的多种副效应。本实验采用电流和磁场换 向的所谓对称测量法。2、磁场不恰好与霍耳片的法线一致，对测量结果有何影响？ 答：磁场不与霍尔片垂直，只有其法向分量能起作用，即霍尔片产生的霍尔电压会减小。3、能否用霍耳元件片测量交变磁场？若能，怎样测量？ 答：能。4、如何根据 I，B和VH 的方向，判断所测样品为 N型半导体还是 P型半导体？ 答：先设定 I，B和VH 的参考正方向：例如设定 I从左向右为正， B垂直纸面 向内为正，正电荷向上偏转，则 VH 从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向 连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红表笔，上表 面接黑表笔。然后将 I， B均调为正，观察电压表的正负。根据 U KIB ，如果电 压表为负数，则灵敏度 K 0 ，电子导电， N型半导体； 如果电压表为正数， K 0， 空穴导电， P 型半导体。5、请根据欧姆定律推导出 I sL （电导率 为电阻率 的倒数）。US答：