IRF540中文数据手册要点

1、IRF540中文数据手册要点IRF540 N 沟道 MOS 管特性SYMBOLQU ICK REF ERENCE DATAVD55 = 100 VI- = 23 A 了7 mQ Thrench 工艺低的导通内阻快速开关 低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的 N通道增强型场效应功率 晶体管应用：DC到DC转换器开关电源电视及电脑显示器电源IRF540 中提供的是SOT78(TO220AB) 常规铅的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。管脚管脚描述1Gate2Drain3SourceTabDrainHb J (V:I 3HSOT7B (TO220AB)极限值系统绝对

2、最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V_DSS漏源极电压Tj= 25 ?C to 175 ?C-100VV_DGR漏门极电压Tj = 25 ?C to 175 ?C;-100VV_GS门源极电压RGS = 20 k ?-士 20VI_D连续漏电流-23ATmb = 25 ?C; VGS = 10 V-16AI_DM脉冲漏电流Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V-92AP_D总功耗Tmb = 25 ?C-100WTj , Tsig操作点和存储温度Tmb = 25 ?C-55175C雪崩能量极限值符号参数条件最小值最大值单位Eas1 AS非重复性Un clamped in du

3、ctive load, IAS = 10 A;-230mJ雪崩 能量 最大tp = 350 s;Tj prior to avala nche = 25?C;VDD 25 V; RGS23A非重 复性 雪崩 电流=50 ?; VGS = 10 V; refer to fig:14热敏电阻付号参数条件最 小 值典型值最大值单位Rthj mbRthj a1安装底座交界处的热阻 周围环境热阻SOT78 封装，自由空 间SOT404 封 装，PCB上-60501.5K/WK/WK/W电特性25 C除非另有说明符参数条件典单位1 | 号1 1小 值/、 型 值大值V(BR) DSSVgS(TO)RDS(O

4、N)g fs1 GSS1 DSS漏 源 极 朋 溃 电 压门 阀 电 压漏 源 极Vgs=0V ； iD=0.25mATj = - 55?CVds = Vgs； ID = 1 mATj = 17 5?CTj = - 55?CVgs = 10 V； ID = 17 ATj = 17 5?CVds =25V; Id = 17AVgs=20 V;Vds=0Vvds = 100 V; vgs = 0VVDS=80V;VGS=0V;Tj=仃5?C10089218.7 S 61124677930010!50VVVVV mQ mQS nA uA uA导 通 电阻向前 跨导 门源 极泄 漏电 流0门极电 压漏

5、 电流Qg(tot)总ID = 17 A-65nCQgs共VDD = 80 V;-10nCQgd门 极 电 荷 门VGS = 10V29nC源 极 电荷 门 漏 极 电 荷Td on开Vdd = 50 V； Rd=2.2 ?;-8-nsTr启Vdd = 10 V； Rg :=5.6 ?-39-nsTd offTf延 迟 时 间 开 启 上 沿 时 间 关Resistive load2624nsns闭 延 迟时 间 关 闭 下 沿 时 间LdLd内 部 漏Measured tab to centre of dieMeasured from drain lead-3.54.5-nHnHLs电 感

6、内 部 漏 电 感to centre of die package only) Measured from lead to source bond pad(SOT78 source7.5nH内 部 源极 电 感CiSS输Vgs = 0 V； Vds= 25 V; f = 1-8901187pFCoSS入MHz-139167pFCrSS电 容 输 出 电 容 反 馈 电 容83109pF反向二极管极限值及特性符号参数条件最 小 值典型值最大值单位I S1 SMVDS连 续 源 极 电 流If=28A ;Vgs =0V-0.9423921.5AAV脉 冲 源 极 电 流极 管 正 向电 压trr反

7、# = 17A; Vgs=0V;-61-nsQrr向恢复之间 反向恢复命令-d iF/dt=100A/us; Vr=25V200nCNormalised Power Derating, PD (%)Fig. 1. Normalised power dissipation. PD% = 100PD/PD25V=f(T)底座温度-自然功率降低百分比图1：自然功率损耗0255075100125150175Mounting Base temperature, Tmb (C|Fig.2. Normalised continuous drain current. Q% 二 100川口站七=（仃趾）；con

8、ditions:3 7。底座温度-漏电流降低百分比图2 :自然持续漏电流Fig. 3. Safe operating area. Tmb = 25 C Id & IDm = f(VDs)； d sing/ P山so: parameter tD漏源极电压 -脉冲漏极电流峰值n Transient thermalmpedance, Zth 卜mbD = 0.50.2:图3 :安全操作区域；02 二Singhktp)=tp/T4fT歸5壬；二? 0.02+|f-= 丄n I single pulse ii iTfii j ii1E-061E-051E-04IE-031E-O21E-O11E+00Pu

9、lse width, tp (s)味宽Fig4 Transient thermal impedance,召卜咖=F;parameter D = t/T脉宽-瞬态热阻抗图4:瞬态热阻抗Fig5 Typical output characteristiGS, T - 25 CId = f(VDS)漏源极电压-漏极电流图5:典型输出特性Drein-SOLrce On Resistance, RDS(on) (Ohms)Fig. 6. Typical on-state resistance, 7 = 25 C DS(ON) = FQd)漏极电流-漏源极导通阻抗图6:典型导通阻抗Fig. Z Typic

10、al transfer characteristics-Id = f(Vss)图7:典型传递特性图&典型跨导Normalised Onstate ResistanceFig .9. Normalised drain-source on-state resistance.DS(O/DS(ON)25 C 亿丿图9: 漏源极导通阻抗Threshold V口Itaga, VGS(TO) (V)A -nnaxiirl%彩-f f一 j1 7num-J . 3q - 一,(VDical _Lrr*、厶寸7 -1mininAnum计斗-0j -1 2 J* 1A -U.30-60-40*2002040 E0

11、 80100 120 140 160 180Junction Tomporaturo, Tj (C|Fig. 10. Gate threshold voltage.gs(to)= conditions: iD = 1 mA; VDS = VGS图10:门阀电压Fig. 11. Sub-threshold drain current. Id = fW conditions: 7； = 25 C: VD3 = %图11: 阈漏极电流Capacitancae. Oise, Coes, Cre宫(pF)Fig. 12, Typical capacitances, C*C = f(VDS); conditions: VGS = OV; f = 1 MHz图12:典型电容值Sdurte-Drain Voltage, VSDS (V)Fig. 13. Typical reverse diode current lF = f(VSDS); conditions:论込=0 V; parameter TVfis =Q V7厂1/i175 (r /r丄Ti =?5f/Jjr/F/17*-J/