功率MOS管的参数测试(优选材料)

1、-参考资料一页眉页脚可删除一一、极限参数：ID :最大漏源电流。 是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效 应管的工作电流不应超过 ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。IDM :最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD :最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。VGS :最大栅源电压。Tj :最大工作结温。通常为150 C或175 C，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。TSTG :存储温度范围.二、静态参数：V(BR)

2、DSS :漏源击穿电压。是指栅源电压 VGS为0时，场效应管正常工作所能承 受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS。它具有正温度特性，故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 V(BR)DSS/ Tj :漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/ C。RDS(on):在特定的 VGS (一般为10V )、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下 的值作为损耗及压降计算。VGS(th):开启电压(阀值

3、电压)。当外加栅极控制电压 VGS超过VGS(th)时，漏区 和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。IDSS :饱和漏源电流， 栅极电压 VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。一般在微 安级.。IGSS :栅源驱动电流或反向电流 。由于 MOSFET输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安 级。三、动态参数：gfs :跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电 流控制能力大小的量度。gfs与VGS的转移关系图如图 2所示。Qg :栅极总充电电量.。MOSFET是电压型驱

4、动器件，驱动的过程就是栅极电压的建 立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论 述.。Qgs :栅源充电电量。Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller效应)电量。Td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值 90%的时间(参考图4)。Tr :上升时间.输出电压 VDS从90%下降到其幅值 10%的时间。Td(off):关断延迟时间.输入电压下降到90%开始到 VDS上升到其关断电压时10%的时间。Tf :下降时间.输出电压 VDS从10%上升到其幅值 90%的时间(参考图4)。 Ciss :输入电容， Ciss= CGD + CG

5、S ( CDS 短路)。Coss :输出电容，Coss = CDS +CGD 。Crss :反向传输电容，Crss = CGD 。图2 MOSFET的极间电容MOSFET之感生电容被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容所引述的值是在漏源电压为某固定值的情况下此些电容随漏源电压的变化而变化（见图3的一典型关系曲线）电容数值的作用是有限的输入电容值只给出一个大概的驱动电路 所需的充电说明而栅极充电信息更为有用它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量图3结电容与漏源电压之关系曲线 四、雪崩击穿特性参数：这些参数是 MOSFET在关断状态能承受过压能力的指标如果电压超过漏源极限电压

6、将导致器件处在雪崩状态。EAS :单次脉冲雪崩击穿能量这是个极限参数，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击 穿能量IAR :雪崩电流EAR :重复雪崩击穿能量 五、热阻：1、 结点到外壳的热阻。它表明当耗散一个给定的功率时，结温与外壳温度之间的差值 大小。公式表达t = PD* 。2、外壳到散热器的热阻，意义同上。3、结点到周围环境的热阻，意义同上。4、 Rth（j-c）与 PD 的关系，Tc（环境温度）=Tj-Rth（j-c）*PD 反过来可以推出，环境每上升一度，PD下降数值。六：体内二极管参数：IS :连续最大续流电流（从源极）.ISM :脉冲最大续流电流（从源极）.VSD :正向导通压

7、降Trr :反向恢复时间Qrr :反向恢复充电电量Ton :正向导通时间.（基本可以忽略不计）图3 gfs-VGS 曲线图图4 MOSFET开通时间和关断时间定义*在应用过程中，以下几个特性是经常需要考虑的：1、V （ BR ） DSS的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性。2、V ( GS ) th的负温度系数特性。栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小，一些辐射也会使得此门槛电位减小，甚至可能低于0电位这一特性需要工程师注意MOSFET在此些情况下的干扰误触发，尤其是低门槛电位的MOSFET应用。因这一特性，有

8、时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值(指N型，P型类推)以避免干扰误触发。3、 VDS on/RDS on的正温度系数特性。VDSo n/RDSon随着结温的升高而略有增大的 特性使得MOSFET的直接并联使用变得可能。双极型器件在此方面恰好相反，故其 并联使用变得相当复杂化。RDS on也会随着ID的增大而略有增大， 这一特性以及结 和面RDS on正温度特性使得 MOSFET避免了象双极型器件那样的二次击穿。但要注意此特性效果相当有限，在并联使用、推挽使用或其它应用时不可完全依赖此 特性的自我调节，仍需要一些根本措施。这一特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大。故在损耗计算时应特别留意参数的 选择。4、ID的负温度系数特性：ID会随着结温度升高而有相当大的减额。这一特性使得在设计时往往需要考虑的是 其在咼温时的ID参数。5、 雪崩能力IER/EAS的负温度系数特性。结温度升高后，虽然会使得MOSFET具 有更大的 V ( BR ) DSS ，但是要注意 EAS会有相当大的减额。 也就是说高温条件下 其承受雪崩的能力相对于常温而言要弱很多。6、 MOSFET的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好。在设 计中并不期望利用其作为回路主要的电流载体，往往会串接阻拦二极管使体内寄生二极管无效，并通过