传感器检测技术实验报告

1、传感器与检测技术 实验报告 姓 名: 学 号： 院 系: 仪器科学与工程学院 专 业：测控技术与仪器 实 验室: 机械楼5楼 同组人员： 评定成绩： 审阅教师： 传感器第一次实验 实验一金属箔式应变片单臂电桥性能实验 一、实验目的 了解金属箔式应变片的应变效应及单臂电桥工作原理和性能。 二、基本原理 电阻丝在外力作用下发生机械形变时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应。 金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件，通过它反映被测部位受力 状态的变化。电桥的作用是完成电阻到电压的比例变化，电桥的输出电压反映了相应的受力 状态。单臂电桥输出电压 Uo! =EK；/4，其中K为应变灵

2、敏系数， L/L为电阻丝长度 相对变化。 三、实验器材 主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。 四、实验步骤 1根据接线示意图安装接线。 2. 放大器输出调零。 3. 电桥调零。 4. 应变片单臂电桥实验。 测得数据如下，并且使用 Matlab的cftool工具箱画出实验点的线性拟合曲线: 重量（g） 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 电压（mv） 0 1.1 2.1 3.1 4.2 5.3 6.4 7.5 8.5 9.6 10.7 拟合值 （mv） -0.03 1.04 2.10 3.18 4.25 5.32 6.39 7.46 8

3、.53 9.60 10.67 mx| 0.03 0.06 0 0.08 0.05 0.02 0.01 0.04 0.03 0 0.03 由matlab拟合结果得到，其相关系数为 0.9998，拟合度很好，说明输出电压与应变计 上的质量是线性关系，且实验结果比较准确。 系统灵敏度（即直线斜率），非线性误差= 五、思考题 单臂电桥工作时，作为桥臂电阻的应变片应选用：（1）正（受拉）应变片；（2）负（受压） 应变片；（3）正、负应变片均可以。 答：（1）负（受压）应变片；因为应变片受压，所以应该选则（ 2）负（受压）应变片。 实验三金属箔式应变片全桥性能实验 一、实验目的 了解全桥测量电路的优点 二

4、、基本原理 全桥测量电路中，将受力方向相同的两应变片接入电桥对边，相反的应变片接入电桥邻边。 当应变片初始阻值 R仁R2=R3=R4其变化值.：R R2 = ：R R4时，其桥路输出电压 U3二EK :。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍，非线性误差和温度误差都得到了改善。 三、实验器材 主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。 四、实验步骤 1根据接线示意图安装接线。 2放大器输出调零。 3电桥调零。 4.应变片全桥实验 数据记录如下表所示，并且使用 Matlab的cftool工具箱画出实验点的线性拟合曲线： 重量（g） 0 20 40 60 80 100 120 140 160

5、 180 200 电压（mv） 0 5 9 13 18 22 27 31 36 40 45 拟合值 （mv） 0.045 4.51 8.97 13.44 17.90 22.37 26.83 31.29 35.76 40.22 44.69 |Amx| 0.045 0.49 0.03 0.44 0.10 0.37 0.17 0.29 0.24 0.22 0.31 由matlab拟合结果得到，其相关系数为0.9995,比上个实验中的单臂电桥线性度差， 跟理论存在误差。 系统灵敏度一V/Kg即直线斜率），非线性误差圆柱的半径为r;圆柱的长为X，则电容量为 C= 2 x/ln（R/r）。图中C1、 C2

6、是差动连接，当图中的圆柱产生 X位移时，电容量的变化量为 C=C1 C2= 2 2/ln（R/r），式中 2、 ln（R/ r）为常数，说明 C与位移X成正比，配上配套测量电路就能测量位移。 图3-6电容式位移传感器结构 三、实验器材 主机箱、电容传感器、电容传感器实验模板、测微头。 四、实验步骤 图3-7电容传感器位移实验原理图 1、 按图3-8将电容传感器装于电容传感器实验模板上，实验模板的输出V 01接主机箱电压表的V in。 2、将实验模板上的 Rw调节到中间位置（方法：逆时针转到底再顺时传3圈） 。 3、 将主机箱上的电压表量程（显示选择）开关打到2v档，合上主机箱电源开关； 旋转测

7、微头改变 电容传感器的动极板位置使电压表显示 Ov，再转动测微头（向同一个方向） 5圈，记录此时测微头读数 和电压表显示值，此点为实验起点值； 此后，反方向每转动测微头1圈即 x=0.5mm位移读取电压表读数，共转10圈读取相应的电压表 读数（单行程位移方向做实验可以消除测微头的回差）；将数据填入表3-7并作出x-v实验曲线。 X(mm) 16.741 16.241 15.741 15.241 14.741 14.241 13.741 13.241 12.741 12.241 V(mv) -316 -248 -188 -120 -60 -10 57 119 178 236 拟合值 (mv) -

8、287 -230 -174 -118 -61 -5 51 107 163 220 | Ami 29 18 14 2 1 5 6 12 15 16 X(mm) 11.741 11.241 10.741 10.241 9.741 9.241 8.741 8.241 7.741 7.241 V(mv) 293 350 408 461 514 565 618 665 693 740 拟合值 (mv) 276 332 389 445 501 557 614 670 726 783 | Ami 17 18 19 16 13 8 4 15 33 37 实验曲线 4、根据表3-7数据计算电容传感器的系统灵敏度

9、S和非线性误差 一V/m 3= 一=- 五、思考题 试设计利用的变化测谷物湿度的传感器原理及结构？能否叙述一下在设计中应考虑 哪些因素? 表3-7电容传感器位移与输出电压值 7 答：原理：测谷物的湿度时，稻谷的含水率不同，介电常数也不同，可确定谷物含水率，当电容的A与d 为恒定值，C=f()中发生变化。 结构：传感器为上下两个极板，谷物从传感器之间穿过。？ 考虑因素：感应器是否与谷物接触的充分、 谷物是否均匀的从传感器之间穿过以及直板 传感器的边缘效应。 实验一压电式传感器振动测量实验 一、实验目的 了解压电传感器的测量振动原理和方法。 二、基本原理 压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组

10、成。工作时传感器感受与试件相同的振 动频率，质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上，由于压电效应，压电晶体上产生 正比于运动速度的表面电荷。 三、实验器材 主机箱、差动变压器实验模板、振动源、示波器。 四、实验步骤 1、按照连线图将压电传感器安装在振动台上，振动源的低频输入接主机箱的低频振荡器， 其它连线按照图示接线。 2、合上主机箱电源开关，调节低频振荡器的频率和幅度旋钮使振动台振动，观察低通滤波 器输出波形。 3、用示波器的两个通道同时观察低通滤波器输入和输出波形；在振动台正常振动时用手指 敲击振动台，同时观察输出波形的变化。 4、改变振动源的频率，观察输出波形的变化。 低频振荡器的幅

11、度旋钮固定至最大，调节频率，用频率表监测，用示波器读出峰峰值填入 表格。 f(Hz) 5 7 12 15 17 20 25 V(p-p) 0.179 0.572 1.087 0.794 0.687 0.586 0.472 实验曲线： 五、思考题 根据实验结果，可以知道振动台的自然频率大致是多少？传感器输出波形的相位差大致为多 少？ 答：根据实验曲线可知，振动台的自然频率大约为 11Hz。 T=106ms 实验十二电涡流传感器位移实验 一、实验目的 了解电涡流传感器测量位移的工作原理和特性。 二、基本原理 通过交变电流的线圈产生交变磁场，当金属体处于交变磁场时，根据电磁感应原理，金 属体内产生电

12、流，该电流在金属体内自行闭合，并呈旋涡状，故称为涡流。 涡流的大小与金属体的电阻率、导磁率、厚度、线圈激磁电流频率及线圈与金属表面的距离 x等参数有关。 电涡流的产生必然要消耗一部分磁场能量， 从而改变激磁线圈阻抗，涡流传感器就是基 于这种涡流效应制成的。电涡流工作在非接触状态，当线圈与金属体表面的距离x以外的所 有参数一定时可以进行位移测量。 三、实验器材 主机箱、电涡流传感器实验模板、电涡流传感器、测微头、被测体（铁圆片） 。 四、实验步骤 1、观察传感器结构，根据示意图安装测微头、被测体、电涡流传感器并接线。 2、 调节测微头使被测体与传感器端部接触，将电压表显示选择开关切换到 20V档

13、，检查接 线无误后开启主机箱电源开关，记下电压表读数，然后每隔 0.1mm读一个数，直到输出几乎 不变为止。将数据填入下表： X(mm) 13.605 13.705 13.805 13.905 14.005 14.105 14.205 14.305 14.405 V(v) 0 0 0 0 0.01 0.09 0.18 0.28 0.38 X(mm) 14.505 14.605 14.705 14.805 14.905 15.005 15.105 15.205 15.305 V(v) 0.48 0.58 0.69 0.79 0.90 0.99 1.20 1.30 1.43 X(mm) 15.40

14、5 15.505 15.605 15.705 15.805 15.905 16.005 16.105 16.205 V(v) 1.56 1.68 1.79 1.91 2.05 2.18 2.39 2.44 2.57 X(mm) 16.305 16.405 16.505 16.605 16.705 16.805 16.905 17.005 17.105 V(v) 2.72 2.86 3.00 3.12 3.28 3.43 3.58 3.72 3.86 X(mm) 17.205 17.305 17.405 17.505 17.605 17.705 17.805 17.905 18.005 V(v)

15、 4.01 4.14 4.32 4.43 4.59 4.74 4.89 5.05 5.15 X(mm) 18.105 18.205 18.305 18.405 18.505 18.605 18.705 18.805 18.905 V(v) 5.32 5.46 5.58 5.71 5.88 6.0 6.12 6.27 6.42 X(mm) 19.005 19.105 19.205 19.305 19.405 19.505 19.605 19.705 19.805 V(v) 6.54 6.66 6.78 6.91 7.03 7.14 7.26 7.33 7.44 X(mm) 19.905 20.0

16、05 20.105 20.205 20.305 20.405 20.505 20.605 20.705 V(v) 7.59 7.70 7.79 7.88 7.96 8.02 8.18 8.21 8.25 X(mm) 20.805 20.905 21.005 21.105 21.205 V(v) 8.44 8.53 8.59 8.59 8.59 3、画出V-X曲线，根据曲线找出线性区域及正、负位移测量时的最佳工作点（即曲线线性 段的中点）。试计算测量范围为1mm与 3mm寸的灵敏度和非线性度（可以用端点法或其他拟 合直线）。 v 灵敏度: 测量范围1mm V/m 非线性度: yFs=1.41 所

17、以 V/m 测量范围3mm 灵敏度： 非线性度：yFs=4.15 五、思考题 1、 电涡流传感器的量程与哪些因素有关，如果需要测量土5mm勺量程应如何设计传感器？ 答：电涡流传感器的量程就是传感器的线性范围，它受到线圈半径。被测体的性质及形状和 厚度等因素影响。 2、用电涡流传感器进行非接触位移测量时，如何根据量程使用选用传感器？ 答：所测量的位移在所选的传感器量程范围内。 传感器第三次实验 实验十五直流激励时线性霍尔传感器的位移特性实验 一、实验目的 了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理 根据霍尔效应，霍尔电势Uh =Kh *Ib，当霍尔元件处在梯度中运动时，它的电势会发生变 化，利用

18、这一性质可以进行位移测量。 三、实验器材 主机箱、霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头。 四、实验步骤 图5-1霍尔传感器（直流激励）实验原理图 1、按图5-2示意图接线（实验模板的输出 Vol接主机箱电压表的Vin）,将主机箱上的电压 表量程（显示选择）开关打到 2v档。 2、检查接线无误后，开启电源，调节测微头使霍尔片处在两磁钢的中间位置，再调节 Rw1 使数显表指示为零。 3、向某个方向调节测微头2mm位移，记录电压表读数作为实验起始点； 再反方向调节测微头，每增加0.2mm记下一个读数（建议做4mm位移），将读数填入表 5-1。 表5-1 X(mm) 0 0.2 0.4 0.6 0.

19、8 1.0 1.2 1.4 V(mV) -1617 -1308 -975 -664 -337 -6 1 309 P 684 1 X(mm) 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 V(mV) 1011 1362 1755 2110 2540 2920 , 3330 3790 X(mm) 3.2 3.4 r 3.6 3.8 4.0 4.2 1 V(mV) 4180 4670 5050 5360 5660 5910 作出V X曲线，计算不同测量范围时的灵敏度和非线性误差 实验完毕，关闭电源。 灵敏度： V =7277mV, X =4mm所以 非线性度: ：Vm =207mV

20、 yFs =5983.8 所以 五、思考题 本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化？ 答：反映的是磁场的变化。 实验十七霍尔转速传感器测量电机转速实验 一、实验目的 了解霍尔转速传感器的应用。 二、基本原理 利用霍尔效应表达式：Uh= KhB当被测圆盘上装上N只磁性体时，圆盘每转一周磁场 就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化， 输出电势通过放大、整形和计数电路计 数就可以测量被测物体的转速。 三、实验器材 主机箱、霍尔转速传感器、转动源。 四、实验步骤 1、根据图5-5将霍尔转速传感器安装于霍尔架上，传感器的端面对准转盘上的磁钢并调节 升降杆使传感器端面与磁钢之间的间隙

21、大约为23mm。 3樓主机箱5苗的丄 工作平台 升降杆 升降支架 2 3hm 农尔转速 霍尔转速传感器测量安装示意图 图5-5 霍尔转速 传感器实 验安装、 接线示意 图 2、在接线 以前，先 合上主机 箱电源开关，将主机箱中的转速调节电源 224v旋钮调到最小（逆时针方向转到底），接入 电压表（显示选择打到20v档），监测大约为1 .25v; 关闭主机箱电源，将霍尔转速传感器、转动电源按图5-5所示分别接到主机箱的相应电 源和频率/转速表（转速档）的Fin上。 3、合上主机箱电源开关，在小于12v范围内（电压表监测）调节主机箱的转速调节电源（调 节电压改变电机电枢电压），观察电机转动及转速表

22、的显示情况。 4、 从2v开始记录，每增加1v相应电机转速的数据（待电机转速比较稳定后读取数据）。 表5-3 电压（V） 2 3 4 5 6 转速 380 600 840 1060 1290 电压（V） 7 8 9 10 11 转速 1520 1740 1980 2200 2420 画出电机的Vn （电机电枢电压与电机转速的关系）特性曲线。 实验完毕，关闭电源。 五、思考题 1、利用霍尔元件测转速，在测量上是否有限制？ 答：有。霍尔元件不能用来测磁体的转速。 2、本实验装置上用了六只磁钢，能否用一只磁钢？ 答：可以，但是分辨率会降低，使实验结果不准确。 实验十八磁电式转速传感器测电机转速 一、

23、实验目的 了解磁电式测量转速的原理。 二、基本原理 d 基于电磁感应原理，N匝线圈所在磁场的磁通变化时，线圈中感应电势*应发 生变化，因此当转盘上嵌入 N个磁棒时，每转一周线圈感应电势产生 N次的变化，通过放 大、整形和计数等电路即可以测量转速。 三、实验器材 主机箱、磁电式传感器、转动源。 四、实验步骤 磁电式转速传感器测速实验除了传感器不用接电源外，其它完全与实验十七相同。 图5-6磁电转速传感器实验安装、接线示意图 按图5-6接线，实验十七中的实验步骤做实验。 实验完毕，关闭电源。 画出电机的Vn （电机电枢电压与电机转速的关系）特性曲线。 实验完毕，关闭电源。 表5-4 电压（V） 2

24、 3 4 5 6 转速 390 630 820 1060 1270 电压（V） 7 8 9 10 11 转速 1510 1710 1900 2040 2270 画出电机vn特性曲线: 五、思考题 为什么磁电式转速传感器不能测很低速的转动，能说明理由么？ 答：磁电式转速传感器是利用旋转体改变磁路，使磁通量发生变化，从而使其线圈产生感应 电压，如果转速很慢，旋转体改变磁路也很慢，磁通量的变化也很慢，感应电压就会很小， 就无法正确地测定转速。 传感器第四次实验 实验二十七 发光二极管（光源）的照度标定实验 一、实验目的 了解发光二极管的工作原理；作出工作电流与光照度的对应关系及工作电压与光照度的 对

25、应关系曲线，为以后实验做好准备。 基本原理 半导体发光二极管筒称 LED它是由IH-W族化合物，如 GaAs （砷化镓）、GaP （磷化 傢）、GaAsP （磷砷化傢）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般二极管的正 向导通及反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。 其发光原理如图7-1所示，当加上正向激励电压或电流时，在外电场作用下，在P-N结 附近产生导带电子和价带空穴，电子由 N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对 方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被 发光

26、中心捕获后，再与空穴复合发光。 除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、价带中间附近） 捕获，再与空穴复合，每次释放的能量不大，以热能的形式辐射出来。 发光的复量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散 区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数卩m以内产生。发光二极管的发光颜色由制作二极 管的半导体化合物决定。本实验使用纯白高亮发光二极管。 图7-1发光二极管的工作原理 三、实验器材 主机箱（020mA可调恒流源、电流表、024V可调电压源，照度表），照度计探头， 发光二极管，光筒。 四、实验步骤 1、按图7-2配置接线，接线注意+、极性。 2、检查

27、接线无误后，合上主机箱电源开关。 3、 调节主机箱中的恒流源电流大小（电流表量程20mA档），即改变发光二管的工作电流 大小就可改变光源的光照度值。拔去发光二极管的其中一根连线头，则光照度为0 （如果恒 流源的起始电流不为 0,要得到0照度只有断开光源的一根线）。 按表7-1进行标定实验（调节恒流源），得到照度电流对应值。 4、关闭主机箱电源，再按图7-3配置接线，接线注意+、极性。 5、 合上主机箱电源，调节主机箱中的024V可调电压（电压表量程 20V档）就可改变光 源（发光二极管）的光照度值。 按表7-1进行标定实验（调节电压源），得到照度电压对应值。 6根据表7-1画出发光二极管的电流

28、照度、电压照度特性曲线。 表7-1发光二极管的电流、电压与照度的对应关系 照度 (Lx) 2 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 电 流 (mA) 0 0 0.13 0.17 0.22 0.27 0.32 0.37 0.42 0.47 0.51 电压 (V) 0 2.56 2.60 2.64 2.68 2.72 2.75 2.78 2.82 2.85 2.88 照度 (Lx) 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 电 流 (mA) 0.56 0.61 0.66 0.71 0.76 0.81 0.86 0.91 0.97 1.0

29、1 电压 (V) 2.91 2.94 2.97 3 3.04 3.07 3.1 3.13 3.17 3.20 照度 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 (Lx) 电 流 (mA) 1.07 1.12 1.17 1.22 1.28 1.33 1.38 1.43 1.49 1.54 电压 (V) 3.22 3.25 3.28 3.31 3.34 3.38 3.40 3.44 3.47 3.50 6根据表7-1画出发光二极管的电流照度、电压照度特性曲线。 发光二极管的电流-照度图（纵坐标电流 A,横坐标照度Lx） 发光二极管的电压-照度图（横坐标照度，纵坐

30、标电压） 由图可知，发光二极管的电压和电流必须达到一定值后，二极管才发光。这是由于正向 电压必须达到二极管正向导通电压，二极管才能开始工作，才能发光。 实验二十八光敏电阻特性实验 一、实验目的 了解光敏电阻的光照特性和伏安特性。 二、基本原理 在光线的作用下，电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态，引起电导率的变化, 这种现象称为光电导效应。 光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强，器件自身的电阻愈小。 基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性，其工作特性与入射光光强、波 长和外加电压有关。实验原理图如图 7-4。 图7-4光敏电阻实验原理图 三、实验器材 主机箱（020mv

31、可调恒流源、电流表、024V可调电压源、照度表），照度计探头，发 光二极管，遮光筒。 四、实验步骤 1、亮电阻和暗电阻的测量 （1）将光敏电阻和电流表串联，两端并联电压表（内接法），电压表正极接一上拉电阻 至VCC光敏电阻接受一个发光二级管的光照，中间有一个遮光筒。调节发光二级光的供电 电压，查表7-1，使光照度为100LX。 （2）10s左右读取光敏电阻电流值，作为亮电流 I亮。 （3）缓慢调节二极管供电电压减到 0V，10s左右读取电流值，作为暗电流I暗。 （4） 根据以下公式，计算亮阻和暗阻（照度100Lx）: I 亮=1.67mA，U 亮=10V, R亮=U/l=6kQ I 暗=0mA

32、， U 暗=10V, R暗=U/I=x 2、光照特性测量 光敏电阻的两端电压为定值时，光敏电阻的光电流随光照强度的变化而变化，它们之间 的关系是非线性的。 调节不同光照度，做出光电流与光照度的曲线图。 表7-2光照特性实验数据 光照度 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 （Lx） 光电流 0 0.32 0.48 0.61 0.73 0.87 0.95 1.04 1.13 1.21 1.28 图7-3光敏电阻光电流-光照度曲线 由图可知光敏电阻的光照特性呈非线性，因此不宜做线性检测元件，但是在自控系统中 用作开关元件。 3、伏安特性的测量 光敏电阻在一定光照强度下，

33、光电流随外加电压的变化而变化。 测量时，光照强度为定值下，光敏电阻输入6档电压，测得光敏电阻上的电流值如表7-3, 在同一坐标图中做出不同照度的三条伏安特性曲线。 表7-3光敏电阻伏安特性实验数据 光敏电阻 电压（V） 0 2 4 6 8 10 照度 Lx 10 电流（mA） 0 0.06 0.12 0.19 0.26 0.32 50 电流（mA 0 0.16 0.32 0.49 0.68 0.85 100 电流（mA 0 0.24 0.49 0.74 1.00 1.27 图7-4光敏电阻伏安特性 由图可知，光敏电阻的伏安特性是呈线性的；光照越强，伏安特性曲线斜率越大，说明 电阻阻值越小。 五

34、、思考 为什么测光电阻亮阻和暗阻要经过 10S后才读数？这是光敏电阻的缺点，只能应用于什 么状态？ 答：当光照强度发生变化时，材料的电阻率也会发生改变，从而电阻阻值也发生改变。该种改 变需要时间，当光线突然改变，阻值不稳定，经过 10秒后阻值基本稳定，便可以读数，以 获得稳定的输出读数。 光敏电阻只能应用于自动控制系统中的开关作用。 实验三一 硅光电池实验 一、实验目的 了解光电池的光照、光谱特性，熟悉其应用。 二、基本原理 光电池是根据光生伏特效应制成的，不需加偏压就能把光能转换成电能的P-N结的光电 池器件。当光照射到光电池的 P-N结上时，便在P-N结两端产生电动势。这种现象叫做“光 生

35、伏特效应”，将光能转化为电能。该效应与材料、光的强度、波长等有关。 三、实验器材 主机箱、安装架、光电器件实验（一）模板、滤色片、普通光源、滤色镜、照度计探 头、照度计模板探头、硅光电池。 四、实验步骤 光电池在不同照度下，产生不同的光电流和光生电动势。它们之间的关系就是光照特性。 实验时，为了得到光电池的开路电压 Voc和短路电流Is，不要同时接入电压表和电流表，要 错时接入来测量数据。 （1）光电池的开路电压实验 按图7-7安装接线，发光二极管的输入电流由实验二十七光照度对应的电流值确定， 读取电压表Voc的测量值填入表7-4中。 表7-4光电池的开路电压实验数据 照度（lx） 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Voc（ mv） 0 300 330 340 350 350 360 360 370 370 370 （2）光电池的短路电流实验 1、按图7-8接线，发光二极管的输入电压