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1、1 第2章 半导体材料和化学品的性质 2 3 4 5 6 7 8 9 纯硅 10 11 12 13 14 指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度 15 为何选择硅 占地壳成分25% 硅1412 锗937 绝缘体 相似的膨胀系数 自然界硅主要存在于：SiO2 (硅土、玻璃、无色水晶、石英、玛瑙、 猫眼石等)和其他硅酸盐中。 16 17 18 异质结：两种不同的半导体相接触所形成的界面区 域。 按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p 结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结。 通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近 的原子间距和热膨胀系数。

2、利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。 异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电 特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激 光器等。 19 第三代半导体材料 主要包括金刚石、碳化硅(SIC)和氮化镓(GaN)等，具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、 介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中 潜在的巨大前景，非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。 第一代半导体材料主要是指硅、锗元素半导体材料 第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb）；三元 化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻 璃半导体(又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、 酞菁铜、聚丙烯腈等。 20 21 22 23 24 25 26 27 每开(英文carat、德文karat的缩写，常写作k)含金量为4.166%， 18k=18*4.166%=74.998%,24k=24*4.166%=99.984% 24K含金99%，22K含91.7%，18K含75.1%，14K含58,5%， 12K含50%。 千足金含量为99.9%，俗称三个9。

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