计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验

1、半导体存储器原理实验一、实验目的： 1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。 2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。二、实验要求： 按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。三、实验方案及步骤：1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。3、根据实验指导书里面的例子练习 ，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。四、实验结果与数据处理：（1）表2.1各

2、控制端的状态控制信号写地址写内容读内容sw-b001ldar100ce100we10（2）练习操作数据1：（aa）16 =（10101010）2写入操作过程：1)写地址操作：应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000000即可。应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce=1,we=0或1。应与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关star

3、t即可。应关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为10101010。应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。应与t3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按一下微动开关start即可。应关闭片选信号和写命令信号：即ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作：参考写

4、入操作的写地址操作2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000000地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b7-b0显示出来。数据2：（55）16 =（01010101）2 写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000001。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“

5、switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce=1,we=0或1。与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关start即可。关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为01010101。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片

6、选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。与t3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000001地址单元中：按一下微动开关start即可。关闭片选信号和写命令信号：ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000001地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b

7、7-b0显示出来。数据3：（33）16 =（00110011）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000010。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce=1,we=0或1。与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关start即可。关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状

8、态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00110011。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。与t3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000010地址单元中：按一下微动开关start即可。关闭片选信号和写命令信号：ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作： 具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存

9、数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000010地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b7-b0显示出来。数据4：（44）16 =（01000100）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000011。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信

10、号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce=1,we=0或1。与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关start即可。关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为01000100。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。与t3脉冲配合可将总线上的数据

11、写入存储器6116的00000011地址单元中：按一下微动开关start即可。关闭片选信号和写命令信号：ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作： 具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000011地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b7-b0显示出来。数据5：（66）16 =（01100110）2写入

12、操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000100。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce=1,we=0或1。与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关start即可。关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-

13、d0设置为01100110。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。与t3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000100地址单元中：按一下微动开关start即可。关闭片选信号和写命令信号：ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作： 操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信

14、号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000100地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b7-b0显示出来。数据6：（08）16 =（00001000）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000101。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce

15、=1,we=0或1。与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关start即可。关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为00001000。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。与t3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000101地址单元中：按一下微动开关start

16、即可。关闭片选信号和写命令信号：ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作： 操作参照写入操作过程的写地址操作过程。2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000101地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b7-b0显示出来。数据7：（f0）16 =（11110000）2写入操作过程：1)写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input

17、 device”中的8位数据开关d7-d0设置为00000110。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，打开地址寄存器存数控制信号，即ldar=1,关闭片选信号（ce），写命令信号（we）任意，即ce=1,we=0或1。与t3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入ar地址寄存器中：按一下微动开关start即可。关闭ar地址寄存器的存数控制信号：ldar=0。2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“input device”中的8位数据开关d7-d0设置为11110000。设置有关控制端的开关状态：在实验仪“switch

18、 unit”中打开输入三态门控制端，即sw-b=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即ldar=0，打开片选信号（ce）和写命令信号（we），即ce=0,we=1。与t3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000110地址单元中：按一下微动开关start即可。关闭片选信号和写命令信号：ce=1,we=0。读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作过程2）读内容操作： 关闭输入三态门控制端，即sw-b=1。地址寄存器存数控制信号(ldar)任意，不过最好关闭，即ldar=0，防止误按脉冲信号存入数据。关闭写命令信号（we）,即we=0，打开片选信号（ce）,即ce=0，不需要t3脉冲，即不要按微动开关start。此时00000110地址的内容通过“bus unit”中数据显示灯b7-b0显示出来。五、实验结果分析：经过我们组组员的分析比较，各存储单元所写入内容都与读出内容一致，说明实验操作过程正确，实验结果可信。六、实验总结： （1）这次实验令我加深了对课堂知识的理解，这次我同样能受益匪浅。按课程要求做好实验仪器的连线，有了第一次实验的经验，今次的动作熟练了不少，各个实验步骤都能顺利地完成，并做好了实验记录。这次实验比较容易，所以我很快就完成了。对实验教学的建议：希望实验老师能在实验前把实验原理电路图讲解一下。 （2）这次