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文档简介

1、一、电流负反馈偏置的共发射极放大电路如图1所示，设晶体管3 =100, rbb，=100Q。(1) 计算电路的电压增益 Aus=Vo/Vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro；(2) 研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率忙的影响： 令C2, Ce足够大，计算由Cl引起的低频截止频率fL1； 令C1, Ce足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2； 令C1, C2足够大，计算由Ce引起的低频截止频率fL3； 同时考虑C1, C2, Ce时的低频截止频率fL；+VccRc3.3k Q(12V)RB1100k Q3.3 口 FRs3.3 口 F200 Q t-RB220k QRe1k Q5.1k Q图1电

2、流负反馈偏置共发射极放大电路(3) 采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设RL=3k Q , Rs=100 Q ,设计其它电路元件参数，满足下列要求：Aus 40, fL 80Hz。二、如图2所示电路是一个低频功率放大电路，Q6,Q7为大功率管。设Q6,Q7的3 =50 ,Is=1X 10-14A；Q1Q5的3=100 , Is=1 X 10-15A。(1) 调节电阻R1及R5使静态时Va衣Vcc/2,lc6 Ic7 10mA。(2) 输入信号为f=1kHz的正弦波，求电路最大输出电压的幅度及最大输出功率。(3) 为使负载获得最大功率，激励信号的幅度应是多少？若电容C2因损坏而开

3、路，它对电压增益及最大输出电压 幅度有何影响？(4) 求电路的下限截止频率 九。a = 50V。输入正弦信号。（1 ）设= -Vi2 （差模输入），求Audi ,AuD2 3, AuD=01 3 的幅频特性，确定VilVi2Vi!Vi2Vi!Vi2低频电压增益值及 J，观察Ve的值。VolV o 2Vol Vo2（2 ）设Vi二Vi! =Vi2 （共模输入），求AvC1 -，AvC2 及AvC -的频响特性，确定其低频ViViVi增益值，并观察的值。V e（3）求KCMR = a的频响特性，确定K CMR的截止频率fCMR，并对此加以讨论。A vC1（4）设Re3 =0，R2 =0，调节Ri，保证Qi，Q2，Q3的Icq不变，求此时 mr的频响特性。+V ccV i1 f3）部分进行衰减，对低音频（f f2）部分进行提升，对更低音频（f fi）部分限制提升。试通过仿真分析求出这

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