模拟集成电路设计实习讲义_SCUT-自由下载

1、模拟集成电路设计实习讲义_SCUT-自由下载 模拟集成电路设计实习培训内容介绍 培训目的 经过本培训，学员将会学到在模拟集成电路设计过程中的绝大部分环节。 1. 学会使用数模混合集成电路设计EDA工具进行简单的模拟集成电路设计的流程，包括Cadence的Virtuoso原理图输入、版图设计，Cadence的Spectre电路仿真，及Mentor Graphics的Calibre版图规则检查（DRC）、电路图版图一致性检查（LVS）。 2. 学会使用三大常用的仿真方式（DC，AC，以及Transient）来对电路进行性能的验证与设计参数的调整 培训内容 本培训首先设计一个运算放大器，在该放大器中

2、采用了一个理想的电流源做偏置。接着设计一个带隙基准源（Bandgap reference）来提供这个运算放大器中用到的电流源，然后对整个电路进行仿真验证。整个电路Lab_top电原理图以及仿真激励如下图所示。 最后，参加培训的学员要求对所设计的Bandgap reference进行版图设计以及DRC、LVS检查，时间充裕的学员进一步设计运算放大器的版图及对其进行DRC/LVS的检查。 图 1-0 Lab_top 原理图 上图中的运算放大器（opam）电路如下图所示，值得注意的是，该运算放大器需要一个current sink做偏置，该current sink由上图中的NM1来提供。 其中的ban

3、dgap电路如下图。 这里看上去好像电压源并没有和电路直接连在一起，但是由于系统中所有标记相同的点电位都相同，所以，图中的这种接法等效于直接把V4接到电路的正负极。 Ibias AnalogLib/isource/DC V0与V1 AnlogLib/vsin V4 AnalogLib/vsource/DC VCM AnalogLib/vsource/DC 图1-14 加入激励源后的图 二、Spectre仿真 (opam) （1）直流分析(DC Analyses) 我们在共模输入管脚接一个可以调节的电压源VCM，使得这个电压源的电压从0升到高到3.3v然后我们测量output端的电压。 从图1-

4、14中的Tools菜单->Analog Environment调出spectre 图2-1 spectre仿真界面 。 2-1 setup菜单->model librarys调出模型库设置窗口。 点击Browse找到使用的仿真文件“sm083006-1k.scs”， Section那栏填入：typical， 然后点击 ADD 。依次在Section栏中加入bjt, capacitor, diode,resistor并点击加入，结果如图： 图2-2 setup result 点击ok,回到spectre的主窗口。 提示：我们在创建库lab_practice的时候已经指定了工艺库为ch

5、rt35rf，因此这里的模型库是自动设置好的。 现在我们要进行dc分析的设置了，从analyses菜单->choose调出分析设置窗口。选择DC分析，变化类型选择Component Parameter，Component name 填入 VCM参数为dc ,变化范围是0到3.3（见图2-3）. 图2-3 dc分析设置 点击ok.回到了spectre主界面。到此，已经把仿真环境设置好了。现在我们要观察output端的波形，如何才能做到呢？从spectre的outputs菜单->to be plot->select from schematic,这个时候，会切换到schemati

6、c窗口，用鼠标点击一下output那条连线，看看发生了什么？ 图2-4 select on the schematic output端的颜色变了，标识出它的波形将会被显示，spectre的窗口已经变成了下面的 图2-5设置后的 spectre 图 2-6 Output波形(结果显示共模输入电平在2.0V以下输出直流工作点基本不变) DC分析，除了包含器件参数的仿真外，还可以进行温度仿真，设计变量仿真和器件模型参数仿真。有兴趣的话可以自己摸索一下。 (2)AC分析 我们必须先明确一下ac分析的目的，所谓的ac分析，就是在一定的静态工作点上，施加一个小信号，然后分析输出的的交流信号，可以看出放大系

7、数，频率响应等的特性。 先进行AC分析激励设置，将输入交流信号V1（正端）和V0（负端）的交流幅值设置为500mV，相位都为0。由于两端反向连接，故反向，差分交流输入的幅值为1V。 图2-7 交流分析激励设置 现在进行分析设置，重新调出图2-3的窗口，。 图2-8 ac分析设置 设置频率从1变到1G，点击ok，然后netlist & run: 图2-9 输出波形查看设置 图2-10 输出运算放大器的波特图 现在测量一下图2-10中的运算放大器的低频增益（Av0）、3dB带宽（f0）、相位裕度（PM）等参数。有两种测量方法：Trace工具条测量法及calculator精确计算测量法 图2

8、-11 用Trace工具条进行仿真参数的测量，此图读出低频增益为51.27dB -3dB带宽和相位裕度也可测出。 图2-12 用Trace工具条测量-3dB带宽（51.27dB-3dB=48.27dB），测出为484.83 kHz 图2-13 用Trace工具条测量相位裕度，定义为增益为1（0dB）时对应的相位与-180 oC的距离。先从幅频特性中找出增益为0dB（此处为99.45dB，近似0dB）对应的频率（121.91MHz），再在相频特性中找出此频率对应的相位，与-180 oC相减即为相位裕度（-125.82 oC -（-180 oC）=54.18 oC） 开子窗口按钮 图2-14 以实

9、际幅值而非dB值显示的幅频特性（因为输入为1.0 V，所以实测低频输出电压值即为放大器的低频增益值，365.98） a） 如果想精确计算仿真结果的参数，则需用Calculator工具。 先Edit/Delete 删除第二个子窗口，只留下原来的幅频特性和相频特性在一起的图。 Tools/Calculator弹出Calculator窗口 图2-15 Calculator窗口 先将options菜单中的set RPN那个勾去掉。选择ac分析，再点击vf选项，去到电路原理图中点击输出点（out），然后在右下白色窗口中选择测量bandwidth，再点击一下Append字样右边的plot按钮就可以计算出仿

10、真波形的-3dB带宽（491500 Hz，约480 kHz）。相位裕度也可用同样的方法计算（选phase margin， 测出PM=54.15 oC） 图2-16 用Calculator计算运放的-3dB带宽 三、建立opam的symbol: 整个系统包括上面设计好的运算放大器 (opam) 模块和后面的带隙基准源 (bandgap) 模块。系统的设计采用层次化设计方法：顶层为系统电路，调用opam模块和bandgap模块。而要模块调用的话必须先为设计好的模块建立symbol。方法为： 图3-1 将opam另存为opam_simu 重新进入opam文件修改 先将电压源、电流源等删除，加pin（

11、快捷键按p），加pin时可以单击鼠标右键对pin旋转。依次加上vdd，GND，Iin，vin+，vin-共五个输入pin，加上之前加的out输出pin，共六个pin。修改后的电路图如图3-2所示。 图3-2 去电压源、电流源，以及gnd，再加相应地pin 接着我们要对设计要的原理图绘制symbol，生成symbol后，这个opamp就可以在其它电路中被调用。 从原理图生成symbol的方法如下，在Virtuoso Schematic Editing窗口中，选择菜单Design->Create Cellview ->From Cellview. 图3-3 从菜单创建symbol 图3

12、-4 在Tool/Data Type一栏中选Composer-Symbol 图3-5 安排pin的位置 图3-5只是pin摆放的一个例子。 图3-6 创建好的opam模块的Symbol 图3-7 创建的Symbol在Library Manager中体现 四、bandgap模块 （1）温度系数仿真 图4-2 温度从0到100 oC变化时bandgap电压输出的变化系数仿真设置 图4-3 bandgap温度系数仿真结果 按“D”按键使用两点差测量工具，出来一个红色三角形和一个绿色三角形。将红色条拉到输出电压最大 位置，绿色条拉到输出最小位置，可以读出波形的最大电压（Ymax）、最小电压（Ymin）

13、及最大最小电压差（?Y），从而计算出bandgap的温度系数TC。 TC = (Ymax-Ymin)/(1/2) (Ymax+Ymin)/100 = 2*0.003027/(2.000711+1.997684)/100 = 15.14 ppm (2) PSRR仿真 在直流VDD的上面加一交流信号（图4-4），设置交流仿真的频率范围（图4-5），看out1信号（图4-6）。 图4-4 PSRR 激励仿真设置图 在直流电源VDD的基础上加一交流信号vdd，模拟电源电压波动对电路输出的影响（电源抑制比，PSRR(dB) = 20log(?Vout/?VDD)） 图4-5 电源抑制比仿真设置 图4-6

14、 电源抑制比仿真结果 从仿真结果图4-6可知，在频率 < 1 kHz时，PSRR < -35 dB 五、总电路（调用bandgap和opam模块）： 将lab_practice库中的bandgap_simu单元copy成bandgap单元，打开bandgap单元电路，删除直流电压源和交流电压源，创建bandgap单元的Symbol。 在lab_practice库中创建顶层系统电路lab_top单元，然后调用bandgap和opam子电路，加上几个PMOS和NMOS管做镜像电流源缓冲，再加上直流电源（V0）、运放的差分共模电压（VCM）及差分输入交流信号激励（VINP、VINN），如

15、图5-1所示。 注，lab_practice_demo中的lab_top中的两个差分输入信号有点错误，需要修改，将VINN的方向翻转180度，与VINP反向，并将AC phase由180度改为0度。 图5-1 使用bandgap模块和opam模块构成的电路总图 （1）先做瞬态仿真调静态偏置工作点 图5-2做瞬态仿真设置 图5-3 瞬态仿真输出波形选择NM1的漏端（可看NM1的漏极电流）及输出电压（out端） 图5-4 瞬态仿真波形 从图5-4可以看出，0.25us后NM1输出给opam的偏置电流基本保持在54.2 uA。输出电压V(out)则在不断变化，这是由于输入加了1 mV的差分正弦信号引

16、起的。如果要看清楚V(out)的整个变化，只要将仿真截止时间拉长至10 mS以上就可以了，此时，输入激励以及输出响应如图5-5。请注意，输出响应out 的相位跟VINP是一致，跟VINN的相位是相反的。 图5-5 仿真时间为10mS的瞬态响应波形 （2）再做AC分析 图5-6 AC分析时VINP和VINN设置 由于在lab_top的连接图中，两个输入激励的连接是相反的，这样VINP和VINN就是幅度都为0.5 V但相位相反的正弦信号，从而差分信号（VINP-VINN）为幅值为1.0 V的正弦信号。 图5-7 AC仿真结果 图5-7中左边子窗口可以看出低频增益为365.93。用calculato

17、r工具对子窗口 2中的特性进行测量，测得其带宽为493.166 kHz，相位裕度PM = 54.11o 六、画版图 1. 先画bandgap模块，打开library manager，新建版图文件 图6-1 新建bandgap的版图文件 图6-2 进入版图编辑器界面 在版图界面选择Tools/Layout XL打开相应模块的schematic 图6-3 使用Layout XL进行原理图和版图的交互编辑 在Virtuoso XL Layout 中，选择菜单Create/Pick From Schematic，然后鼠标点击schematic中的元件，在layout编辑器中放入。 布图设计分为两步：元

18、件布局与布线 在布局阶段需要根据原理图的设计考虑元件之间的匹配，此处建议的匹配方式： （1） 两个三极管，本电路大小比为1：8，所以小的管放中间，大管分成8个相同的方块以小管为中心 均匀分布； （2）电阻R16、R19、R20，RA=RB=10RC电阻匹配采用一维对称A1 B1 A2 B2.A5 B5 C B6 A6 B7 A7B10 A10 原理图中R20 (L/W=21.25um/2.5um)、R16 (L/W=192.85um/2.5um）、R19 (L/W=192.85um/2.5um)这三个电阻需匹配。故将R16和R19拆分成8段21.25um/2.5um再加上两段11.425um/

19、2.5um，以R20为中心交叉对称放置于R20两边； (3) MA=MB=MC=2MD的MOS管匹配也采用一维对称 0.5MA 0.5MB 0.5MC MD 0.5MC 0.5MB 0.5MA; 原理图中的PM66、PM65、PM68、PM69这四个晶体管为镜像电流源，故需要较好匹配。各管的宽长比为PM66（5um/2um）、PM65（10um/2um）、PM68（10um/2um）、PM69（10um/2um），将这些管拉到版图界面后发现PM66的宽度和其他三个管的宽度不一样，这样很难匹配。故修改原理图，将PM65、PM68、PM69三个管的宽长比改为和PM66一样（5um/2um），同时将

20、这三个管的multiplier设置为2，这样这三个管的实际宽长比相当于两个PM66的并联，即为10um/2um。这样布版图时就可以匹配了。 同样在原理图中有两个dummy MOS管，需要加到两边。 （4）参数相同的MOS管元件匹配：差分对，电流镜等。需要在原理图中将匹配的每个MOS管的宽度改为原来的一半，同时将multiplier设置为2，即拆成两个一半大小的MOS管的并联，且加上两个dummy管。当调到版图中按上面的方式对称布局。 （5）参数相同的电阻元件匹配：R15、R17。在版图中拆成两段长度为一半的电阻，记得在原理图中加入dummy元件。 将多个匹配的元件对齐： 首先将匹配的七个MOS

21、版图水平对齐，方法是Edit/Others/Align然后弹出对齐设置窗口，按图6-7所示设置，然后点击Set New Reference，在Layout中先选中中间MOS版图作为对齐中心，然后依次点击其他六个MOS，这样这七个MOS管就水平对齐了（元件之间空隙为1.0 um）。 图6-7 元件对齐设置 接着垂直方向对齐电阻，这回将图6-7的Alignment direction选项中的Horizontal改为Vertical，Spacings改为3.0 um，点击Set New Reference，在Layout中先选择中间那个电阻作为参考位置，然后依次点击上面和下面的电阻，将它们全部对齐。

22、 最后对齐九个三极管，先将中间三极管位置放好，然后用上面的方法水平和垂直对齐其他三极管，这里Spacings设置为3.0 um 所有的元件都放进来并对齐位置后，布局就完成了，接下来是布线。 为了将元件的衬底接到VDD或GND，以及对匹配的所有元件进行防干扰，所以对需要的管子加 guardring: PMOS管加well-guardring, NMOS管加p-guardring。 加方法（以pmos为例）：调出Layout XL，放置nwell层框将要加well-guardring的所有pmos框起来，选中nwell框，shift-G，双击nwell框之外的地方将guardring放好，按“s”

23、（拉伸线条）将nwell框拉到围住guardring的内框，如图6-10所示。 nmos管加完p-guardring后，则将之前放置的nwell层框删除。 图6-10 给PM65、PM66、PM68、PM69四个PMOS加保护环（guardring） 2. 再画OPAM的版图，方法如画Bandgap。 为画版图方便，可以考虑将OPAM原理图中的M10a和M10b的长、宽都降低10倍，即改为：W10a=58um，L10=2um，Multiplier=2 原理图中所有需要匹配的元件都要拆成两个，并加上dummy元件。 Calibre的quickstart 注：如运行DRC和LVS时出现类似“err

24、or while compling rules”错误，则先修改下面两个文件： 1. 修改DRC规则文件，将/home/eda/wzh_lab/verify/drc/drcfile/yi046dr002_1k00/drc_header_1k_00 文件中 包含在INCLUDE /home/eda/ICPRJ/verify/drc .等语句中的ICPRJ改成wzh_lab保存 2. 修改LVS规则文件，将 /home/eda/wzh_lab/verify/lvs/lvsfile/chrt035rf.sg.lvs.cal 文件中ICPRJ改成 wzh_lab保存 一、DRC 1. 先做bandgap的drc。 Virtuoso界面菜单最右边Calibre/Run DRC，出现如图1所示界面 图1 DRC运行界面 在wzh_lab/verify/drc目录中创建目录bandgap，然后将drc的工作目录设为bandgap目录，如图2所示。 然后按图2中的Run DRC按钮，稍等片刻，出现图3所示的DRC检查结果。 图2 设定工作目录和DRC文件 在Virtuoso layout界面菜单中，Calibre?Run LVS进入界面设置 ? Rules, Calibre-Lvs Rules File: /home/eda/