ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

1、存储设备 存储器特点RAMFlash MemoryROM中文名称（Random Access Memory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器电源关闭 数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NOR Flash和NAND Flash型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM 不同ROM特点Mask ROMPROMEPROME2PROMFlash ROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重

2、复写入通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）产品实例Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等U盘（NAND Flash）Flash ROM 存储器特点NOR FlashNAND Flash性能比较1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；3、NAND Flash的4ms擦

3、出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。接口差别1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。容量和成本1、NAND Fl

4、ash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。可靠性和耐用性寿命(耐用性)NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次

5、。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。位交换NAND Flash发生的次数要比NOR Flash多 Flash Memory器件都受位交换现象的困扰。块坏处理NAND Flash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。易用性可以非常直接地使用NOR Flash，可以像其他内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND Flash要复杂得多。各种NAND的存储方法因厂家而异。软件支持不需要任何的软件支持需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序（MTD）市场定位用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，NOR Flash也被称为代码闪存（Code Flash）。用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也被称为数据闪存（Data Flash）。RAM 不同SRAM特点SRAMDRAMDDRAM（基于SRAM）全称Static RAM，静态随机存储器Dynamic RAM，动态随机存储器Do