结型场效应管.ppt

4.1结型场效应晶体管、4.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管、4.3场效应晶体管放大电路、4.4各种放大元件电路性能比较、4场效应晶体管放大电路、4场效应晶体管放大电路、n沟道、p沟道、扩展性、耗尽型、n沟道n沟道、p沟道、(耗尽型)、分类：4场效应晶体管放大电路、结构、工作原理输出特性、迁移特性、主要参数、1、JFET的结构和工作原理、2、JFET的特性曲线和参数、4.1结型场效应晶体管、结型场效应晶体管的结构图及其表示符号(b)P沟道JFET， 1 .结构： n沟道管：电导，导电沟道为n型半导体p沟道管：空穴导，导电沟道为p型半导体，另一方面，JFET的结构和工作原理，2 .基于工作原理、VGS的沟道控制作用，在VGS0的情况下(以n沟道JFET为例)，沟道发生夹断关于n沟道的JFET、VP0。 PN结反向偏置，耗尽层变厚，沟道变窄。VGS持续变小、沟道继续变窄，在基于VDS的沟道的控制作用下，在VGS=0的情况下，在VDS、id、VDS增加到VGD=VP的情况下，在漏极附近发生预钳位。g、d之间PN结的反向电压增加，漏极附近的耗尽层扩大，沟道变窄，从上到下呈楔形分布。 此时VDS、夹断部延长、沟道电阻、ID几乎不变，VGS和VDS同时工作时，VPUT中出现n型沟道，(b)uDS小时ID急剧增大，(c)uDS大时ID饱和，正漏极电源uDS产生ID。 将通过uDS电开始导通的uGS称为导通电压UT。 (1)当：是00，但没有网格流。 当uGSUT时，形成导电信道并且iD0。 2.N沟道扩展MOS管道特性曲线可分为恒流区、可变电阻区、截止区和击穿区。 其特征在于，(2)输出特性，2.N沟道扩展MOS管理特性曲线，1 )截止区域： UGSUT，未形成导电沟道，iD=0。 2 )恒流区域：曲线间隔均匀，uGS控制iD的能力强。 uDS对iD的控制能力较弱，曲线平坦。 3 )可变电阻区域：uGS越大，rDS越小，出现可变电阻，4 )随着破坏区域：uDS的增大，漏极区域附近的PN结的反向偏置电压uDG也增大。 1.N沟道耗尽型MOSFET的结构和工作原理，(1)结构：扩展NMOS管在uGS=0时，管内没有导电沟道。 耗尽型不同，但uGS=0时有导电通道，该导电通道在制造过程中形成。 n沟道耗尽型MOS管结构图和符号，二，耗尽型MOSFET，(2)工作原理：1.N沟道耗尽型MOSFET的结构和工作原理，因为在uGS=0时存在原始沟道，所以此时只有uDS0有漏极电流。 在uGS0中，向基板的电场变强，沟道变宽，漏极电流iD变大。 相反，设为uGS0时，栅极电压产生的电场与正离子产生的自然电场相反，总电场变弱，沟道变窄，沟道阻抗变大，iD变小。 如果uGS继续变为负，等于某个阈值电压，则所有通道消失，iD=0，管关闭。 2.N沟道耗尽型MOS管的特性曲线、(1)转移特性曲线、(2)输出特性、n沟道耗尽型MOSFET管的电流方程式与增强管相同，但其中的导通电压换算为夹断电压UP。 经过简单的变换，耗尽型NMOSFET的电流方程式在3.P沟道绝缘栅场效应晶体管(PMOS )、PMOS管中也有2种：扩展型和耗尽型。 增强型PMOS管理器要求栅极-源极电压uGS为负，并且还要求漏极-源极电压uDS和漏极电流iD与NMOS管理器相反，以在操作时在漏极-源极之间形成p型沟道。 1、各种MOS管的符号比较、三、各种M