微波固态电路实验报告

1 / 44微波固态电路实验报告微波固态电路微波固态电路未来的发展方向名称：微波固态电路未来的发展方向系部：电子通信工程系班级：通技 111 班姓名：*学号：*日期：2016 年 6 月 3 日微波固态电路未来的发展方向微波集成电路近些年发展迅速，已广泛用于卫星通信、电视转播、中继通信、数据与图像传输、雷达、遥控遥感、2 / 44电子对抗等领域，工作频段由 100GHz，且正在向 100GHz 以上延伸。微波固态电路大致包括以下几个方面：1、微波集成电路的基础：微波平面集成传输线、微波单片机集成电路2、微波晶体管放大器3、微波混频器和检波器4、微波倍频器5、微波振荡器6、微波控制电路一、微波固态电路的发展。微波固态电路开始于 40 年代应用的立体微波电路，它是由波导传输线、波导元件、谐振腔和微波电子管组成的。随着微波固态器件的发展以及分布型传输线的出现，60 年代初，出现了平面微波电路，它是由微带元件、集总元件、3 / 44微波固态器件等无源微波器件和有源微波元件利用扩散、外延、沉积、蚀刻等制造技术，制作在一块半导体基片上的微波混合集成电路，即 HMIC，属于第二代微波电路。与以波导和同轴线等组成的第一代微波电路相比较，它具有体积小、重量轻等优点，避免了复杂的机械加工，而且易与波导器件、铁氧体器件连接，可以适应当时迅速发展起来的小型微波固体器件。又由于其性能好、可靠性强、使用方便等优点，因此被用于各种微波整机，并且在提高军用电子系统的性能和小型化方面起了显著的作用，至今仍是一种灵活有效的电路形式。二、微波固态电路的未来。当今社会是以信息发展为基础的时代，而微波是当今发展最为迅速的。下面就来谈谈微波固态电路未来的发展方向：1、当今微波固态电路的发展现状1）微波单片集成电路行业生命周期。通过对微波单片集成电路行业的市场增长率、需求增长率、产品品种、竞争者4 / 44数量、进入壁垒及退出壁垒、技术变革、用户购买行为等研判行业所处的发展阶段；2）微波单片集成电路行业市场供需平衡。通过对微波单片集成电路行业的供给状况、需求状况以及进出口状况研判行业的供需平衡状况，以期掌握行业市场饱和程度；3）微波单片集成电路行业竞争格局。通过对微波单片集成电路行业的供应商的讨价还价能力、购买者的讨价还价能力、潜在竞争者进入的能力、替代品的替代能力、行业内竞争者现在的竞争能力的分析，掌握决定行业利润水平的五种力量；4）微波单片集成电路行业经济运行。主要为数据分析，包括微波单片集成电路行业的竞争企业个数、从业人数、工业总产值、销售产值、出口值、产成品、销售收入、利润总额、资产、负债、行业成长能力、盈利能力、偿债能力、运营能力。5）微波单片集成电路行业市场竞争主体企业。包括企业的产品、业务状况、财务状况、竞争策略、市场份额、竞争力分析等。5 / 446）投融资及并购分析。包括投融资项目分析、并购分析、投资区域、投资回报、投资结构等。7）微波单片集成电路行业市场营销。包括营销理念、营销模式、营销策略、渠道结构、产品策略等2、微波固态电路的主要发展方向是什么？1）数字电子线路方向。从事单片机、FPGA(CPLD)、数字逻辑电路、微机接口(串口、并口、USB、PCI)的开发，更高的要求会写驱动程序、会写底层应用程序。2）射频、微波电路。也就是无线电电子线路。包括天线、微波固态电路等等，属于高频模拟电路。是各种通信系统的核心部分之一。3）微电子方向。集成电路的设计和制造分成前端和后端，前端侧重功能设计，FPGA(CPLD)开发也可以算作前端设计，后端侧重于物理版图的实现。6 / 443、微波固态电路主要面临的障碍是什么？由于微波的频率极高，波长又很短，共在空中的传播特性与光波相近，也就是直线前进，遇到阻挡就被反射或被阻断，因此微波通信的主要方式是视距通信，超过视距以后需要中继转发。 一般说来，由于地球曲面的影响以及空间传输的损耗，每隔 50 公里左右，就需要设置中继站，将电波放大转发而延伸。这种通信方式，也称为微波中继通信或称微波接力通信长距离微波通信干线可以经过几十次中继而传至数千公里仍可保持很高的通信质量。 微波通信由于其频带宽、容量大、可以用于各种电信业务传送，如电话、电报、数据、传真以及采色电视等均可通过微波电路传输。微波通信具有良好的抗灾性能，对水灾、风灾以及地震等自然灾害，微波通信一般都不受影响。但微波经空中传送，易受干扰，在同一微波电路上不能使用相同频率于同一方向，因此微波电路必须在无线电管理部门的严格管理之下进行建设。此外由于微波直线传播的特性，在电波波束方向上，不能有高楼阻挡，因此城市规划部门要考虑城市空间微波通道的规划，使之不受高楼的阻隔而影响通信。三、我对微波固态电路的投资。7 / 44对于微波固态电路来说，想要学好这门技术确实很难，但就对于未来的发展来说，对微波固态电路的投资将是一个明智的选择，不论是在经济上还是在技术上都会独领潮流。如果我毕业后奋斗几年已经攒够一定资金的话，我会毫不犹豫的去投资微波固态电路。首先，我是学通信技术这门专业的，而且也修这门课程，虽不能说学的有多精但多少还是有点了解的，起码比起其它领域要上手快些。我上的是机电学校，学的是通信专业。我所认识的同学也是学这些的，我可以联系一下同学看有没有愿意和我一起投资的或是一起努力当技术顾问，这方面就充分考验我的人脉了。投资微波固态电路靠的还是技术，我会联系同学、学长请他们帮我参考，但主要还是得靠自己。既然决定投资，自己就必须对这方面充分了解，这就又开始了一段学习的旅程。第 1 章选择与填空题8 / 441. 微波是指频率在范围内的电磁波，对应的波长范围为。2. Ku 波段是指频率在范围内的电磁波，对应的波长范围为。 VHF 波段是指频率在范围内的电磁波，对应的波长范围为 UHF 波段是指频率在范围内的电磁波，对应的波长范围为 S 波段是指频率在范围内的电磁波，对应的波长范围为 C 波段是指频率在范围内的电磁波，对应的波长范围为3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是和，由于气体的会对微波/毫米波产生和。4.毫米波的四个大气“窗口”是、 。简答题1. 简述微波电路的发展历程由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。目前微波技术的发展趋势是朝小型化、高集成化、高可靠、低功耗、9 / 44大批量应用方向发展。2. 什么是 MMIC利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。第 2 章选择与填空题1. 列举几种常用的平面传输线2. 微带线主要传输的模式是，带线的传输主模是11. 槽线的传输模式是。12. 共面波导的传输模式是。8. 鳍线的传输模式是。10 / 443. 微带线最高工作频率的影响因素有5. 如果为了获得放大器最佳噪声匹配电路，用反射系数表示时应满足；如果为了获得最大功率增益，用阻抗表示时应满足。4. 定向耦合器常用表征参量有7. 耦合器的耦合度的定义是。9. 耦合器的方向性的定义是。10. 耦合器的隔离度的定义是。简答题1. 简述 MMIC 技术的优点答案：电路的体积、重量大大减小，成本低。与现有的微波混合集成电路 比较，体积可缩小 90%99%，成本可降低11 / 4480%90%。便于批量生产，电性能一致性好；制造 MMIC 是采用半导体批量加工工艺，一旦设计 的产品验证后就可大批量生产；电路在制造过程中不需要调整。可用频率范围提高，频带成倍加宽。由于避免了有源器件管壳封装寄生参量的有害影 响，所以电路工作频率和带宽大大提高。可靠性高，寿命长，MMIC 一般不需要外接元件，清除了内部元件的人工焊接，当集 成度较高时，接点和互连线减少，整机零部件数大量减少，所以可靠性大大提高。2. 简述阻抗匹配重要性的原因答：当负载与传输线匹配时，可传送最大功率，并且在馈线上功率损耗最小。对阻抗匹配灵敏的接收部件，可改进系统的信噪比。在功率分配网络中，阻抗匹配可降低振幅和相位误差。3. 简述微带电路拓扑结构的选择原则12 / 44答：微波的高频段，宜选用微带阻抗跳变式的阻抗变换器。微波低频端，宜采用分支微带结构。微波固态电路设计中，当微波管输入阻抗为容性时，宜选用电感性微带单元；当微波管输入阻抗为感性时，宜选用电容性微带单元；4. 简述 Wilkinson 功率分配器的工作原理答：5. 简述 MMIC 的基本工艺技术答：光刻工艺离子注入工艺薄膜淀积腐蚀工艺电镀工艺。6. 简述微带电路的制作要点。答：基片处理版图制作光刻接地孔金属化与电镀元件焊接7. 简述 3dB 分支线耦合器的工作原理。8. 简述混合环耦合器的工作原理。13 / 44第 3 章选择与填空题1. 晶体管器件可分为和。2. 用数学式子表示放大器绝对稳定的条件。K=/2|S12S21|18晶体管双端口网络绝对稳定的充要条件为3. 功率合成技术中的电路合成包含两种方式。4. 低噪声双极晶体管的两个重要的电参数是。5. 双极晶体管的噪声来源有。6. 微波晶体管放大器的增益包含三种。7. 描述功率放大器特性的参量有。8. 列举三种功率合成技术。14 / 449. 晶体管噪声系是指晶体管输入端与输出端的比值。17. 噪声系数的定义。10.功率双极晶体管常用的输出功率有三种。11. 功率增益的定义是。12. 双极晶体管的噪声来源有三部分：13. 线性输出功率 P1dB 是。14. 功率放大器是非线性工作，常采用以下三种分析方法：和。15. 功率晶体管放大器的工作类别有三类：和。16微波宽带放大器的电路结构的种类为。简答题1. 简述甲、乙、丙三类放大器的工作状态及特点。15 / 44答：甲类放大的工作特征是发射结处于正向偏压，晶体管在静态时维持较高的静态直流 电流。这类放大的特点是增益高、噪声低、线性好，但缺点是输出功率小且效率低，其理 论效率为 50%，实际只有 25%40%乙类放大的特征是发射结处于零偏压，晶体管在静态时也无直流电流，也是在外信号到来 时，开启发射极结才能进行放大，只是开启功率要比丙类小。这类放大器的特点与甲类相 比是输出功率大，效率高，其理论最高效率可达 78%；而与丙类相比是线性好，增益高 丙类放大的特征是发射结处于反向偏压，晶体管在静态时没有直流电流，当外信号到来时，将发射结打开，才起放大作用。这类放大的特点是输 出功率大，集电极效率高，最高理论效率可接近100%，实际可达 50%70%；其缺点是增益低、线性差和噪声大。2. 分别解释什么是转换功率增益、资用功率增益、实际功率增益答：转换功率增益：放大器负载吸收的功率 PL 与信源可用16 / 44功率 Pa 之比。资用功率增益：放大器输出端的资用功率PLa 与信号源资用功率 Pa 之比。实际功率增益：负载所吸收的功率与放大器输入功率之比。3. 简述晶体管四个 S 参数的物理意义。答：S11 是晶体管输出端接匹配负载时的输入端电压反射系数；S22 是晶体管输入端接匹配负载时的输出端电压反射系数。S21 式晶体管输出端接匹配负载时的正向传输系数，|S21|2 代表功率增益。S12 是晶体管输入端反向传输系数，代表晶体管内部反馈的大小。4. 简述高电子迁移率晶体管的特点。答：优秀的噪声特性和极低噪声系数。5. 简述高增益晶体管放大器的设计步骤。答：(1)选工作点检验稳定性增加稳定性计算双共轭匹配时源和负载的反射系数计算单级最大资用功率增益输入匹配网络的设计输出匹配网络的设计17 / 44级间匹配网络的设计6. 简述高增益晶体管放大器的设计方法。答：(1)选工作点检验稳定性增加稳定性计算双共轭匹配时源和负载的反射系数计算单级最大资用功率增益输入匹配网络的设计输出匹配网络的设计级间匹配网络的设计7. 简述低噪声晶体管放大器的设计方法。答：计算稳定系数按最小噪声系数设计输入匹配网络匹配输出级8. 简述晶体管功率放大器的小信号设计方法。答：依据级联放大器的要求选择器件。根据频率、带宽、成本目标和经验选择匹配电路结构根据工作类型和电源要求选择偏置电路对增益和输入匹配优化输入电路确定器件静态 I-V 曲线负载线提取封装寄生元件优化输出18 / 44匹配电路达最佳值 RL 若需要，增加电路元件，保证宽带无条件稳定。计算题4. 有三只双极晶体管在时的 S 参数如下：放大器的最大增益？三只双极晶体管的稳定性如何？详细说明时间过程。作业第 4 章选择与填空题1. 混频器的变频损耗为19 / 442. 检波器的主要技术指标3. 混频器的噪声系数包含三种4. 二极管作为混频器使用时的主要参数有5. 混频器的指标有6. 检波器常用的类型有7. 单管混频器的设计，至少要解决的四个问题是8. 射频反相型平衡混频器的输出电流中，被抵消的是的组合频率成分9. 双平衡混频器的特点有10. 混频器的主要技术指标11. 本振反相型平衡混频器的输出电流中，被抵消的是的组合频率成分20 / 44简答题1. 说出 90 平衡混频器的三个优点。答案：平衡混频器的输入信号和本振功率都平分加到两个混频管，得到充分利用。一方面 大大降低了对本振输出功率的要求，另一方面输入信号的动态范围增加了一倍；抵消了本 振引入的噪声；能抑制混频产生的部分无用的组合频率成分。2. 简述双平衡混频器的特点。答案：多倍频程工作带宽；混频组合分量少：双平衡混频器比单平衡混频器组合谐波成分 要少一半；隔离度好；动态范围大。3. 环形电桥结构的优缺点与分支电桥相比有哪些？答案：环形电桥周长大，适于微波高频端，而分支电桥适于低频端；当输出口有反射时环 形电桥的本振口与射频口隔离度好；当输出口有反射时环形电桥的端口驻波比不如分支电 桥；环形电桥本振输入端与中频输出端交叉，结构21 / 44不易处理。4、说明图中的平衡式镜像回收混频器，当信号频率高于本振频率时，即(fsfL 或 fs=fL+fif)时，中频移相器应加在哪一个中频输出端，请写出详细推导过程。计算题作业微波固态电路习题集第一章、 微波晶体管电路(1) 微波晶体管的主要发展方向包括哪几个方面?(p1)A(2)为提高小信号和小功率硅微波双极晶体管的性能,一般在结构设计和工艺上采用哪些措施?为什么硅微波双极晶体管的特征频率不可能很高?(p3)(3)双极晶体管噪声主要来源有哪些?(p4-p5)22 / 44(4)请写出 MESFET 特征频率 fT 与直流跨导 gmo 和栅源电容Cgs 的近似表达式。说明 MESFET 的特征频率 fT 与直流跨导gmo 和栅源电容 Cgs 关系如何?减小 MESFET 的栅长与特征频率有何关系?(p9)A(5) MESFET 噪声主要来源有哪些? 其最小噪声系数与频率有何关系? (p10-p11)A(6) MESFET 噪声系数与直流工作点有何关系? (p11)A(7)何谓半导体的异质结?(p11)A(8)你能说出 HEMT 和 HBT 的中文意思吗?(p12-p14)A(9) HEMT 和 HBT 的显著优点有哪些?(p11、p15)(10)微波晶体管放大器主要性能参量有哪些?(p17)11）请写出线性两端口网络 S 参数的表达式，并简述晶体管 S 参数的物理意义。(12)晶体管正向和反向传输系数不等的物理意义是什么?23 / 44(p18)(13)微波放大器工作是否稳定的判据是什么? 如何判断？(p21)(14)微波放大器输入/输出端口绝对稳定的充要条件是什么?(p25)(15)请写出有源二端口网络噪声系数一般表达式,并说明表达式中各项的物理意义.(p27)A(16)低噪声放大器设计中最佳噪声匹配和最大功率增益匹配有何不同? 最佳噪声匹配时对传输功率有何影响？(p31,p35)A(17)宽带放大器主要电路形式通常有哪些?(p38)(18)微波功率放大器设计中,MESFET 哪些特性参数与输出功率密切相关?(p44)(19)简述放大器 1dB 压缩点输入和输出功率及三阶交调系数的定义.(p44-p45)24 / 44(20)介质谐振器稳频 FET 振荡器一般可分哪两种类型？各有何特点？(p54)(21）介质谐振器在反馈式介质稳频 FET 振荡器电路和反射型共源介质稳频 FET 振荡器电路中分别等效为何种电路？(22)列表比较双极晶体管，MESFET，HEMT 和 HBT 的参数。第二章、 微波混频器(1) 微波混频器(下变频器)在微波接收系统中的主要作用是什么?(p61)B(2) 肖特基势垒混频二极管主要参数有哪些?(pp65-p66)B(3) 梁式引线二极管的主要特点是什么?对二极管截止频率有何影响? (p66-p67)B(4) 简述二极管混频器非线性电阻的混频原理.(p69-p71)(5) 微波二极管混频器电路形式一般有几种？混频电路结25 / 44构特点及作用是什么?(p71)B(6)微波混频器的基本电路有哪些?(p71-p79)(7)简述微波单端混频器、微波平衡混频器、微波双平衡混频器的结构特点及优缺点.(p71-p79)(8)从物理意义上混频二极管电路可等效为一个什么网络?(p80)B(9)简述变频损耗的定义，指出其组成部分。(p84)(10)镜像回收混频器主要提高混频器的哪项性能? 从物理概念估计，镜像短路和镜像开路混频器哪种变频损耗最小？(p85)B(11)镜像带阻滤波器在镜像回收混频器中有哪些重要作用?(p86)(12) 镜像开路和镜像短路混频器噪声系数近似等于什么？(13）为什么镜像匹配混频器的双边带噪声系数比单边带噪26 / 44声系数低 3dB? 当测试系统中无镜像抑制滤波器时，噪声系数测量的结果是双边带噪声系数还是单边带噪声系数？为什么？(14）请写出前置放大器-混频器-中频放大器组件级联噪声系数表达式。.(p89)(15）改善微波接收机整机单边带噪声性能，系统上一般采用哪些方法？(16)分谐波混频器主要解决哪种困难?(p92)(17)简述谐波混频器原理.(p93)(18)微波 MESET 混频器的主要优点是什么?(p95)(19)单栅 FET 混频电路有哪几种形式? (p98)第三章、 微波上变频器和倍频器(1)微波上变频器和倍频器的主要作用是什么? (p103)27 / 44(2)为什么上变频器和倍频器多采用变容管和阶跃恢复二极管非线性电抗器件，而不采用非线性电阻器件？ (p103)C(3)实现上变频和倍频一般采用哪些器件? (p103)(4)倍频次数低，功率较大的倍频器一般采用哪种器件? (p103)(5)倍频次数高，功率较小的倍频器一般采用哪种器件? (p103)(6)变容管主要参数有哪些? (p104-p106)(7)门雷-罗威关系式表明了什么? (p108)(8)利用门雷-罗威关系式和微波变容管非线性变频效应可获得哪些主要实际应用? (p108-p110)(9)微波 FET 上变频器电路一般有几种形式? (p113-p115)(10)变容管倍频器有哪两种电路?并联型有何优点? (p117)28 / 44(11)MESFET 倍频器有何优点? (p132) C(12)双栅 FET 倍频器与单栅 FET 相比有哪些优点? (p133-p134)第四章、微波二极管负阻振荡器(1)微波振荡器主要性能要求有哪些?(p140)(2)体效应管振荡器和雪崩二极管振荡器哪个噪声低?(p146)(3)简述负阻振荡器的起振条件。(p153)D(4)负阻振荡器的基本电路有哪些?(p159-p162)(5）负阻振荡器对外电路的要求有哪些？(6)简述注入锁相振荡器原理.(p163)(7）提高频率稳定度的常用方法有哪些？(8）负阻振荡器调谐有哪几种方法？29 / 44第五章、微波控制电路(1)微波控制电路的主要包括哪些电路? (p176)E(2)微波控制电路主要起什么作用?广泛应用在哪些系统中? (p176)E(3)PIN 二极管特性与外加偏置电压有何关系?零偏、负偏和正偏时微波阻抗特性如何变化?(p177-p180)(4)SPST、SPDT 和 SPMT 各表示什么意思?微波开关的基本要求是什么?(p182)(5)微波开关有哪三种基本电路?各有何特点？串-并联开关有何优越性?(pp184-p189)(6）为改善开关性能，提高开关隔离度和功率容量一般采用什么方法？有何利弊？(pp184-p189)(7）请分别写出 PIN 管串联和并联时导通和截止状态下功率容量表达式。30 / 44(8)毫米波开关电路一般采用哪几种传输线形式?为什么?(p189-191)(9)MESFET 微波开关的主要优点是什么?(p193-p196)(10)你知道有哪四种不同特性的 PIN 二极管电调衰减器吗?(p196-p200)(11)MESFET 电调衰减器与 PIN 二极管衰减器相比有何优点?(p200-p201)(12)电压控制移相器有哪两类?数字移相器主要应用何种系统?(p201)(13)数字微波通信中微波调相用何种电路实现?四相相移键控采用的移相器有何特点?(p201)(14）MESFET 作为微波开关器件时，如何控制？有何特点？(15）简述反射型移相器的基本原理。实际电路要求移相器为两端口网络，通常反射型移相器采用哪些电路元件将单31 / 44端口电路变换为两端口电路？第六章、微波集成电路微波集成电路即第二代微波电路有何特点？F单片微波集成电路显著特点和优点有哪些？通常薄膜电路材料分为哪几类？MMIC 设计和制造中的要点及程序是什么？MMIC 设计如何保证一次成功？补充题:(1) 本课程所介绍的各种晶体管和二极管有哪些? 请逐一列出.(2) 本课程所介绍的各种晶体管和二极管主要构成哪些微波故态电路? 请逐一列出.32 / 44微波实验报告学院：电子与通信工程班级：硕 3122 班学号：3113313052姓名：王晓杰目录一、 实验一 A 整流器非线性分析. 3实验基础知识 . 3实验要求 .33 / 44. 3实验步骤 . 3实验总结 . 6二、 实验一 B 集总元件滤波器线性分析 . 7实验基础知识 . 7实验要求 . 7实验步骤 34 / 44. 8实验总结 . 10三、 实验三 阻抗调节器 . 11实验基础知识 . 11实验目的 . 11实验步骤 . 1135 / 44实验总结 . 13四、 实验二 功率分配器 . 14实验基础知识 . 14实验要求 . 14实验步骤 . 14实验总结 36 / 44. 17五、 实验四 微带低通滤波器 . 18实验基础知识 . 18实验要求 . 18实验步骤 . 19实验总结 . 2337 / 44一、实验一 A 整流器非线性分析实验基础知识整流器是把交流电转换成直流电的装置，可用于供电装置及侦测无线电信号等。整流器可以由真空管，引燃管，固态矽半导体二极管，汞弧等制成。相反，一套把直流电转换成交流电的装置，则称为“逆变器” 。实验要求本次试验要求设计一个非线性二极管整流器，并进行非线性分析及调节。实验步骤1完成非线性二极管整流器电路图如下2设计模拟频率如下3添加图表，往图表中添加测量项 Vtime,，V_,并分析电38 / 44路4添加图表，往图表中添加测量项 Vtime,，V_,并分析电路。5使用 Simulate/Tune tool 调节 MAG 及 R 参数观察Graph1 和 Graph2 变化观察得调节 MAG 会使得测量项，V_的幅值变大，而调节 R电路特性变化不大。微波固态电路课程教学大纲课程编号：02084025 02083025适用专业：电磁场与无线技术、电波传播与天线、电子信息工程、信息对抗技术 学 时 数：40 学 分 数： 开课学期：第二学期先修课程：电磁场理论或电磁场与波 、 微波技术基础39 / 44执 笔 者： 编写日期：2016 年 12 月 31 日 审核人：一、课程性质和目标授课对象：本科三年级学生课程类别：专业核心课、专业课教学目标：使学生了解各种常用微波半导体器件的种类、工作机理、主要特点和功能，初步掌握微波固态电路的类型、工作原理、应用领域和设计的原则，并对微波电路有初步了解。让电磁场与无线技术、电波传播与天线、电子信息工程、信息对抗技术等专业学生能掌握微波电路的基础知识，为从事电磁场与微波技术应用工作打下基础。二、课程内容安排和要求教学内容、要求及教学方法第一章：引言简单介绍微波的频段划分，微波电路的发展及其应用，要40 / 44求学生了解该章内容，从发展的眼光看待微波电路，增强学习的目的性。第二章：微波集成电路基础介绍微波平面集成传输线的种类和基本特性；微波单片集成电路最基本的知识，要求学生了解该部分内容。理解微带电路的不连续性，掌握常用的微带元件、阻抗变换电路及功率分配器和耦合器。第三章：微波晶体管放大器了解微波三极管的基本工作机理，要求理解固态器件的等效电路模型与参数，以及其主要性能指标和适用范围。本章主要讲授小信号晶体管放大器、晶体管功率放大器及晶体管振荡器电路的工作原理、适用范围、器件选择、主要性能技术指标，重点讨论电路分析设计与综合，以及优