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目录电感和磁珠的联系与区别4片式磁珠和片式电感的应用场合5贴片电容6贴片电阻7DDRSDRAM8射频9看门狗定时器9DMA直接内存访问9DMA工作原理10RTC实时时钟10I2C总线101 I2C总线特点112 I2C总线工作原理113 I2C总线基本操作11I2S总线12I2S总线规范12串行数据（SD）12字段（声道）选择（WS）13时序要求：13I2S总线结构配置13SSP和USTART14SPI串行外设接口错误！未指定文件名。14SPI接口内部硬件图示：15MMC多媒体卡15MMC卡简介15MMC卡特点15小尺寸的多媒体卡（RS-MMC）16MMC 4.x 和 secureMMC16技术支持16SDIO条码扫描卡17功能17控制器局部总线CAN17CAN总线特点17GPIO通用输入/输出20ETM20跳线21JTAG23PHY以太网PHY芯片24概述24一、网卡的主要特点24网卡的功能24一、传输24二、图解网卡25主芯片25BOOTROM25LED指示灯26网络唤醒接口26数据汞26晶振26网线接口27传输介质类型27总线接口27UTP 非屏蔽双绞线28分类28发展29区别29MII介质无关接口29概述29MIICPU30MII接口30MII总线30MII相关接口介绍30MII工作原理31GMII简介32发送器32接收器32管理配置32RMII简介32MDIX33全双工半双工33双向半双工无线通信 IC TH712233RS-485标准34南北桥34LDO低压差线性稳压器35LDO概念35生产厂家36LDO的工作条件36NOR Flash 和 NAND Flash36NOR和NAND详解36性能比较37接口差别37容量和成本37可靠性和耐用性38位交换38坏块处理38易于使用38软件支持38电位器39电位器工作原理39电位器的结构特点及作用39去耦电容C计算39门电路TTL门OC门三态门40多发射极三极管40TTL门电路40三输入TTL与非门电路40扇出系数40TTL多余输入端处理41OC门集电极开路门41OC门电路结构42线与逻辑43OC门的“线与”功能44OC门实现电平转换44外接上拉电阻RC的计算45TSL三态输出门电路45三态门的电路结构45逻辑符号46三态门的主要应用实现总线传输46下拉电阻46上下拉电阻47注意事项47为什么要使用上拉电阻48信号回流路径48共模差模信号48共模信号48差模信号49差模和共模信号及其在无屏蔽对绞线中的EMC49对绞线中的差模信号49对绞线中的共模信号50差模干扰/共模干扰50数字地与模拟地50端接电阻52共轭匹配57封装集合58电感和磁珠的联系与区别1. 磁珠主要用于高频隔离，抑制差模噪声等。2.电感是储能组件，而磁珠是能量转换（消耗）器件电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC（电磁兼容性Electro Magnetic Compatibility）对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI（电磁干扰Electro-Magnetic Interference）问题。磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF（无线电频率radio frequency）电路，PLL（锁相环Phase Locking Loop），振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能组件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。地的连接一般用电感，电源的连接也用电感，而对信号线则采用磁珠。详细论述在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性组件和EMI滤波器组件。这些组件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装组件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除力以及其它类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件的其它性能特点基本相同1.片式电感： 在需要使用片式电感的实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路还包括高Q带通滤波器电路。 要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容，这是由于电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。 高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振电路稳定的温度变化特性。 电感构造：标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异仅仅在于封装不一样。电感结构包括介质材料（一般为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。 应用：l 在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要关注参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。l 当作为滤波器使用时，希望宽带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证最小的电压降。l DCR定义为组件在没有交流信号下的直流电阻。2. 片式磁珠 ：片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声，RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射，这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。通常高频信号为30Mhz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。磁珠构造：片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。使用片式磁珠的好处： 小型化和轻量化 在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构，更好的消除信号的串绕。 极好的磁屏蔽结构。 降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。显着的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。 有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。要正确的选择磁珠，必须注意以下几点：1) 不需要的信號的频率范围为多少。 噪声源是谁。 需要多大的噪声衰减。 环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）。2)电路和负载阻抗是多少。3)是否有空间在PCB板上放置磁珠。前三条通过观察厂家提供的阻抗频率曲线就可以判断。在阻抗曲线中三条曲线都非常重要。总阻抗：总阻抗通过Z=R+2fL来描述。通过这一曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。片式磁珠在过大的直流电压下，阻抗特性会受到影响，另外，如果工作温升过高，或者外部磁场过大，磁珠的阻抗都会受到不利的影响。使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时，使用片式磁珠是最佳的选择。片式磁珠和片式电感的应用场合l 片式电感：射频（RF）和无线通讯，信息技术设备，雷达检波器，汽车电子，蜂窝电话，寻呼机，音频设备，PDA（个人数字助理），无线遥控系统以及低压供电模块等。l 片式磁珠：时钟发生电路，模拟电路和数字电路之间的滤波，I/O输入/输出内部连接器（比如串口，并口，键盘，鼠标，长途电信，本地局域网），射频（RF）电路和易受干扰的逻辑设备之间，供电电路中滤除高频传导干扰，计算机，打印机，录像机（VCRS）,电视系统和手提电话中的EMI噪声抑止。贴片电容贴片电阻命名方法元件封装电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管） 电源稳压块有78和79系列78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中指有多少脚，脚的就是DIP8贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下： 晶体管是我们常用的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。 还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100 还是470K都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下： 电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容 RAD0.1-RAD0.4 有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶体振荡器 XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5 当然，我们也可以打开C:Client98PCB98libraryadvpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。 这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。 对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5 ，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。 对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。 值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。 Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。 在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可序号类 别英 文 名 称 或 型 号封 装 方 式所 在 元 件 库1电 阻RES1/RES2AXIAL0.3-AXIAL1.0Miscellaneous Devices.IntLib2电 位 器RPOTVR3/ VR5/POT4MM-2Miscellaneous Devices.IntLib3电 感INDUCTORAXIAL0.4Miscellaneous Devices.IntLib4继 电 器RELAYDIP-P5/ X1.65Miscellaneous Devices.IntLib5无极性电容CAPRAD0.1-RAD0.4Miscellaneous Devices.IntLib6电 解 电 容CAP POLRB.2/.4或 RB.3/.6或 RB.4/.8Miscellaneous Devices.IntLib7一般二极管1N4007DIODE0.4或 DIODE0.7Miscellaneous Devices.IntLib8稳 压 管ZENERDIO10.46Miscellaneous Devices.IntLib9晶 振XTALBCY-W2/D3.1Miscellaneous Devices.IntLib10电 桥BRIDGEFLY-4或FLY4 4Miscellaneous Devices.IntLib11电 池BATTERYD系列 D-37 或D-38 Miscellaneous Devices.IntLib128段数码管D7SEG/7SEG/5082LEDDIP-10/C15.24RHDMiscellaneous Devices.IntLib13光电隔离器4N35DIP-6Miscellaneous Devices.IntLib14三 极 管8050BCY-W3/E4Miscellaneous Devices.IntLib15运 放LM324/LF358/A741DIP-8/JG008/SO8TI Operational Amplifier.IntLib16与 非 门74LS04DIP-14/DO14TI Logic Gate 2.IntLib17或 非 门74LS02DIP-14TI Logic Gate 2.IntLib18连 接 器HEADER2HDR1*2Miscellaneous Connectors.IntLib198 位 CPU8031/8051/8751/8951DIP-8/SOT129-1/SOT187-2PhilipsMicrocontroller 8-Bit.IntLib20存 储 器EPROM 2764DIP-28/FDIP28WST Memory EPROM 16-512 Kbit.IntLib21数 模 转 换DAC0832DIP-20NSC Converter Digital to Analog.IntLib22模 数 转 换ADC0809NO28TI Converter Analog to Digital.IntLib23锁 存 器74373NO20TI Logic Latch.IntLib24施密特触发 器CD40106DIP-14ST Logic Gate.IntLib25D 触 发 器7474NO14TI Logic Flip-Flop.IntLibprotel元器件封装元件 代号 封装 备注电阻 RAXIAL0.3电阻 RAXIAL0.4电阻 RAXIAL0.5电阻 RAXIAL0.6电阻 RAXIAL0.7电阻 RAXIAL0.8电阻 RAXIAL0.9电阻 RAXIAL1.0电容 CRAD0.1 方型电容电容 CRAD0.2 方型电容电容 CRAD0.3 方型电容电容 CRAD0.4 方型电容电容 CRB.2/.4电解电容电容 CRB.3/.6电解电容电容 CRB.4/.8电解电容电容 CRB.5/1.0 电解电容保险丝FUSE FUSE二极管D DIODE0.4IN4148二极管D DIODE0.7IN5408三极管 QT0-126 三极管QTO-3 3DD15三极管Q T0-66 3DD6三极管Q TO-220 TIP42电位器VR VR1电位器 VR VR2电位器 VR VR3电位器 VR VR4电位器 VR VR5元件 代号 封装 备注插座 CON2 SIP2 2脚插座 CON3 SIP3 3插座 CON4 SIP4 4插座 CON5 SIP5 5插座 CON6 SIP6 6插座 CON16 SIP16 16插座 CON20 SIP20 20整流桥堆D D-37R 1A直角封装整流桥堆D D-38 3A四脚封装整流桥堆D D-44 3A直线封装整流桥堆D D-46 10A四脚封装集成电路U DIP8(S) 贴片式封装集成电路U DIP16(S) 贴片式封装集成电路U DIP8(S) 贴片式封装集成电路U DIP20(D) 贴片式封装 集成电路U DIP4 双列直插式集成电路U DIP6 双列直插式集成电路U DIP8 双列直插式集成电路U DIP16 双列直插式集成电路U DIP20 双列直插式集成电路U ZIP-15H TDA7294集成电路U ZIP-11H元件封装电阻 AXIAL无极性电容 RAD电解电容 RB-电位器 VR二极管 DIODE三极管 TO电源稳压块78和79系列 TO126H和TO-126V场效应管 和三极管一样整流桥 D44 D37 D46单排多针插座 CON SIP (搜索con可找到任何插座)双列直插元件 DIP晶振 XTAL1电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等;79系列有7905，7912，7920等.常见的封装属性有to126h和to126v整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中指有多少脚，脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关 通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100还是470K都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容 RAD0.1-RAD0.4有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7石英晶体振荡器 XTAL1晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5当然，我们也可以打开C:Client98PCB98libraryadvpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。中英文对照 1.电阻 固定电阻：RES 半导体电阻：RESSEMT 电位计；POT 变电阻；RVAR 可调电阻;res1.2.电容 定值无极性电容；CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容：CAPSEMI 可调电容：CAPVAR3.电感：INDUCTOR4.二极管：DIODE.LIB 发光二极管：LED5.三极管 :NPN16.结型场效应管：JFET.lib7.MOS场效应管8.MES场效应管9.继电器：PELAY. LIB10.灯泡:LAMP11.运放:OPAMP12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB) 13.开关;sw_pb原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb ,Dallas Microprocessor.ddb ,IntelDatabooks.ddb ,Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb ,General IC.ddb ,Miscellaneous.ddb部分 分立元件库元件名称及中英对照 AND -与门 ANTENNA -天线 BATTERY -直流电源 BELL -铃,钟 BVC -同轴电缆接插件 BRIDEG 1 -整流桥(二极管) BRIDEG 2 -整流桥(集成块) BUFFER- 缓冲器 BUZZER-蜂鸣器 CAP -电容 CAPACITOR -电容 CAPACITOR POL -有极性电容 CAPVAR -可调电容 CIRCUIT BREAKER -熔断丝 COAX -同轴电缆 CON -插口 CRYSTAL -晶体整荡器 DB -并行插口 DIODE -二极管 DIODE SCHOTTKY -稳压二极管 DIODE VARACTOR -变容二极管 DPY_3-SEG- 3段LED DPY_7-SEG- 7段LED DPY_7-SEG_DP -7段LED(带小数点) ELECTRO -电解电容 FUSE -熔断器 INDUCTOR -电感 INDUCTOR IRON -带铁芯电感 INDUCTOR3 -可调电感 JFET N -N沟道场效应管 JFET P -P沟道场效应管 LAMP -灯泡 LAMP NEDN -起辉器 LED -发光二极管 METER -仪表 MICROPHONE -麦克风 MOSFET -MOS管 MOTOR AC -交流电机 MOTOR SERVO -伺服电机 NAND -与非门 NOR -或非门 NOT -非门 NPN -NPN-三极管 NPN-PHOTO -感光三极管 OPAMP -运放 OR -或门 PHOTO -感光二极管 PNP -三极管 NPN DAR -NPN三极管 PNP DAR -PNP三极管 POT -滑线变阻器 PELAY-DPDT- 双刀双掷继电器 RES1.2 -电阻 RES3.4 -可变电阻 RESISTOR BRIDGE ? -桥式电阻 RESPACK ? -电阻 SCR -晶闸管 PLUG ?- 插头 PLUG AC FEMALE- 三相交流插头 SOCKET ? -插座 SOURCE CURRENT- 电流源 SOURCE VOLTAGE -电压源 SPEAKER -扬声器 SW ? -开关 SW-DPDY ?- 双刀双掷开关 SW-SPST ? -单刀单掷开关 SW-PB -按钮 THERMISTOR -电热调节器 TRANS1 -变压器 TRANS2 -可调变压器 TRIAC ?- 三端双向可控硅 TRIODE ? -三极真空管 VARISTOR -变阻器 ZENER ? -齐纳二极管 DPY_7-SEG_D- 数码管 SW-PB - 开关 7805-LM7805CTDDRSDRAMDDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。目前，RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四种规格。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能。射频射频（Radio Frequency RF）表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300KHz30GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。看门狗定时器看门狗定时器（WDT，Watch Dog Timer）实际上是一个计数器，一般给看门狗一个大数，程序开始运行后看门狗开始倒计数。如果程序运行正常，过一段时间CPU应发出指令让看门狗复位，重新开始倒计数。如果看门狗减到0就认为程序没有正常工作，强制整个系统复位。 此外，WatchDog还可以在你的程序陷入死循环的时候，让单片机复位而不用整个系统断电，从而保护你的硬件电路。看门狗定时器对微控制器提供了独立的保护系统，当系统出现故障时，在可选的超时周期之后，看门狗将以RESET信号作出响应，像x25045就可选超时周期为1.4秒、600毫秒、200毫秒三种。当你的程序死机时，x25045就会使单片机复位。DMA直接内存访问DMA的英文拼写是“Direct Memory Access”，汉语的意思就是直接内存访问，是一种不经过CPU而直接从内存存取数据的数据交换模式。在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数据的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU，这样就很大程度上减轻了CPU资源占有率，可以大大节省系统资源。DMA模式又可以分为Single-Word DMA（单字节DMA）和Multi-Word DMA（多字节DMA）两种，其中所能达到的最大传输速率也只有16.6MB/s。直接存储器存取方式，主要用于快速设备和主存储器成批交换数据的场合。在这种应用中，处理问题的出发点集中到两点：一是不能丢失快速设备提供出来的数据，二是进一步减少快速设备入出操作过程中对CPU的打扰。这可以通过把这批数据的传输过程交由一块专用的接口卡（DMA接口）来控制，让DMA卡代替CPU控制在快速设备与主存储器之间直接传输数据，此时每传输一个数据只需一个总线周期即可。从共同使用总线的角度看，DMA和CPU成为竞争对手关系。当完成一批数据传输之后，快速设备还是要向CPU发一次中断请求，报告本次传输结束的同时，请示下一步的操作要求。PIO模式下硬盘和内存之间的数据传输是由CPU来控制的；而在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数据的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU，这样就很大程度上减轻了CPU资源占有率。DMA模式与PIO模式的区别就在于，DMA模式不过分依赖CPU，可以大大节省系统资源，二者在传输速度上的差异并不十分明显。DMA模式又可以分为Single-Word DMA（单字节DMA）和Multi-Word DMA（多字节DMA）两种，其中所能达到的最大传输速率也只有16.6MB/s。 DMA 传送方式的优先级高于程序中断，两者的区别主要表现在对CPU的干扰程度不同。中断请求不但使CPU停下来，而且要CPU执行中断服务程序为中断请求服务，这个请求包括了对断点和现场的处理以及CPU与外设的传送，所以CPU付出了很多的代价；DMA请求仅仅使CPU暂停一下，不需要对断点和现场的处理，并且是由DMA控制外设与主存之间的数据传送，无需CPU的干预，DMA只是借用了一点CPU的时间而已。还有一个区别就是，CPU对这两个请求的响应时间不同，对中断请求一般都在执行完一条指令的时钟周期末尾响应，而对DMA的请求，由于考虑它得高效性，CPU在每条指令执行的各个阶段之中都可以让给DMA使用，是立即响应。DMA主要由硬件来实现，此时高速外设和内存之间进行数据交换不通过CPU的控制，而是利用系统总线。DMA方式是I/O系统与主机交换数据的主要方式之一，另外还有程序查询方式和中断方式DMA工作原理DMA 是所有现代电脑的重要特色，他允许不同速度的硬件装置来沟通，而不需要依于 CPU 的大量 中断 负载。否则，CPU 需要从 来源 把每一片段的资料复制到 暂存器，然后把他们再次写回到新的地方。在这个时间中，CPU 对于其他的工作来说就无法使用。 DMA 传输重要地将一个内存区从一个装置复制到另外一个。当 CPU 初始化这个传输动作，传输动作本身是由 DMA 控制器 来实行和完成。典型的例子就