电子器件检验细则.doc

浙江泰康电子有限公司企业标准 Q/AVU2.J041-2007电子器件检验细则批 准： 日 期： 2007-3-20发布 2007-3-20实施 浙江泰康电子有限公司发布电子器件检验细则 Q/AVU2.J041-20071. 总则及范围本检验细则根据我公司的具体情况而编制，适用于所有电子产品有源器件的初检（入库检验）和老化试验后的复测。未经检测或不合格品严禁入库、发放和组装。2. 外观质量2.1器件的型号、商标等表面标识应清晰可见。2.2封装表面平滑、完整、引脚光亮，无缺损、氧化和绣蚀现象。2.3外形、安装尺寸须符合封装标准。3.测试条件VF（M）和VCE（Sat）分别为二极管的（最大）正向导通压降和三极（MOS、IGBT、SCR）管的饱和导通压降，右侧为最大电流，要尽可能选择接近它的档位进行该项目检验。4.老化试验4.1电子器件初检合格后须进行高低温循环老化试验，时间总计8小时。4.2低温试验温度为-40+5，高温试验温度为60+5，循环时间各为2小时。4.3温度试验设备采用GDJS-100型高低温交变湿热试验箱。5检验方案采用GB/T2828.2-2003正常一次检验方案，接收质量限AQL0.40、检验水平IL11图形封装名称型号检验项目技术要求检测手段开关二极管IN4148/4448正向：VFM /450mA反向击穿电压VBR0.65V100VJL294-3型晶体管直流参数测试表整流二极管IN4007，6A10SJ56RAGWP37A4G4.LG5B2E29.105GU 3-1正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM /0.5A，反向击穿电压VBR正向：VFM /0.5A反向击穿电压VBR0.7V1400V0.7V600V0.7V180V0.7V180V肖特基二极管S44148正向：VFM /2A反向击穿电压VBR0.3V60V快恢复二极管ERA34-10正向：VFM /100mA反向击穿电压VBR3.0V1500V快恢复对管CTL12/22/32S快恢复对管FMXS/G/U-22S08GS、A7、A4A4t正向：VFM /5/10/20A反向击穿电压VBR正向：VFM /8A反向击穿电压VBR0.5V200V0.45V200/350/450V快恢复二极管DS（E）I60-10A正向：VFM /60A反向击穿电压VBR0.6V1500V超快恢复二极管Uo76正向：VFM /300mA反向击穿电压VBR0.55V1000VLED发光二极管正向：VFM /10mA反向击穿电压VBR1.8/2.2/5/6V图形封装名称型号检验项目技术要求检测手段0.5W玻封稳压管HZ3B1/2.8-3VC3V0/3VIN4689/5.1VIN4691/6.2VIN4702/15VIN4711/27V正向导通压降VF 反向稳定电压VZ测试电流：IZ5-10mA0.6-0.7V标称值5V2.85-3.15V4.85-5.35V5.89-6.51V14.2-15.7V25.7-28.3V稳压电源专用测试台1W玻封稳压管IN4733A/5.1VIN4734A/5.6VIN4735A/6.2VIN4739A/9.1VIN4740A/10VIN4745A/16VIN4752A/33VCC097227正向导通压降VF 反向稳定电压VZ测试电流：IZ5-10mA0.6-0.7V标称值5V4.85-5.35V5.32-5.88V5.89-6.51V8.65-9.55V9.5-10.5V15.2-16.8V31.4-34.6V2DW231/0.2W1、2脚有色点的为负，另一脚为正，3脚备用。5.8-6.6V单相整流桥QL-40A正向：VFM /40A反向击穿电压VBR2V150VJL294-3型晶体管直流参数测试表单相整流桥75L6P43K正向：VFM /40A反向击穿电压2V150VPNP型硅三极管9012、901585502SA73343.8E、F23、P37、 D571、DTC143EKA(F23)F23.47、1GM.2、E13BD.RR、1JR.1BL31L32、L33、L6、H039D1582、S9L（A.B）BDRV、JR23、N26N20、N10.27KRC403(NC)直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /500、50mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.1A用万用表测试1.2脚内阻100-30045V0.1V30V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V40V0.2V44K+/-5%JL294-3型晶体管直流参数测试表或QT型晶体管特性图示仪(当电流大于2A时)图形封装名称型号检验项目技术要求检测手段NPN型硅三极管9013、9014、8050100855512SA945、C18155609直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.5、0.05、1A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /700mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /600mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /100/150mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /100mA100-30030V0.1/0.2V60V0.2V160V0.2V50V0.1V40V0.1VJL294-3型晶体管直流参数测试表或QT型晶体管特性图示仪(当电流大于2A时)大功率硅三极管PNP型：A940A1441TIP127TIP42C直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /1.5A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /7A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /5A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /6A40-200150V0.2V100V0.3V100V0.3V60V0.3V大功率硅三极管NPN型：TIP41CD880直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /6A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /3A40-20060V0.2V60V0.2V大功率硅三极管2SC3979NPN型，全塑封直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /3A8800V1.5VNPN型硅三极管2SC26252SC4419C3679直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /20A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /6A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /5A10-45400V1.2V800V1.0V800V0.5VNPN型硅三极管2N30552N5685直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /15A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /50A15-4560V1.1V60V1.4V达林顿GTR模块NPN型：1DI300MP-030直流放大倍数hEF 击穿电压BVCEOVCE(Sat) /300A30-100300V2.5VJL294-3型晶体管直流参数测试表或QT型晶体管特性图示仪(当电流大于2A时)N-MOS场效应管50N06IRF32052SK1307-01MR直流放大倍数hEF Ib10mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /50A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /110A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /9A150060V1.5V55V0.4V600V2.5VN-MOS场效应管2SK962-01(TC-3P)IXTH75N10/15/20TO-247ADIXTK80N25TO-247AD直流放大倍数hEF Ib10mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /8A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /75A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /80A1500900V2.5V100/150/200V1.5V250V1.5VSCR单向可控硅MCR100-6/8TRIAC双向可控硅MAC97A6电流（hEF）/Ib10mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.8A电流（hEF）/Ib10mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /0.8A触发/维持特性400/800V0.7V触发/维持特性400/800V0.7VTRIAC双向可控硅TBA12/16-600BTBA41-600B电流（hEF）/Ib10mA击穿电压BVCEOVCE(Sat) /12/16A击穿电压BVCEOVCE(Sat) /40A触发/维持特性600V1.5V600V2.0V三端电源稳压器7805781278157820782479057912782079L051117M51117M34266G输出电压（V）512152024-5-1220-5535标称值5475-52511.4-12.614.3-15.819.0-21.023.0-25.0-475-（-5.25）-11.4-（-12.6）19.0-21.0-4.75-（-5.25）4.75-5.252.85-3.154.75-5.25JL294-3型晶体管直流参数测试表基准源TL431基准源LM3852.51.22.45-2.551.20-1.25专用测试台可调稳压器三端LM317五端L200C输入电压：15-2515-37输出电压：13.5-14.510-30稳压二极管性能参数表型号额定电压最小电压最大电压备注IN46781.81.7101.890IN46792.01.9002.100IN46802.22.0902.310IN46812.42.2802.520IN46822.72.5652.835IN46833.02.8503.150IN46843.33.1353.465IN46853.63.4203.780IN46863.93.7054.095IN46874.34.0854.515IN46884.74.4654.935IN46895.14.8455.355IN46905.65.3205.880IN46916.25.8906.510IN46926.86.4607.140IN 46937.57.1257.875IN46948.27.7908.610IN46958.78.2659.135IN46969.15.6459.555IN4697109.50010.50IN46981110.4511.55IN46991211.412.6IN47001312.3513.65IN47011413.3014.70IN47021514.2515.75IN47031615.2016.80IN47041716.1517.85IN47051817.1018.90IN47061918.0519.95IN47072019.0021.00IN47082220.9023.10IN47092422.8025.50IN47102523.7526.25IN47112725.6528.35IN47122826.6029.40IN47133028.5031.50IN47143331.3534.65IN47153634.2037.80电阻器1.1电阻单位的文字符号文字符号表示的单位R欧姆（100）K千欧姆（103）M兆欧姆（106）G千兆欧姆（109）T兆兆欧姆（1012）1.2表示允许偏差的文字符号文字符号允许偏差B0.1C0.25D0.5F1G2J5K10M20N302.电阻器的色标法2.1两位有郊数字的色标法。普通电阻器用4条色带表示标称值和允许偏差，其中二条表示阻值，一条表示偏差。详见如下表：颜色第一有效数第二有效数倍率允许偏差黑00100棕11101红22102橙33103黄44104绿55105篮66106紫77107灰88108白99109+50-20金10-15银10-210无色202.2三位有效数字的色标法。精密电阻器用五条色带表示标称值和允许偏差，其中三条表示阻值，一条表示偏差。详见如下表：颜色第一有效数第二有效数第三有效数倍率允许偏差黑000100棕1111011红2221022橙333103黄444104绿5551050.5篮6661060.25紫7771070.1灰888108白999109金10-1银10-23.电阻器的型号命名方法第一部分：主称第二部分：电阻材料第三部分：类别第四部分：序号字母含义字母含义字母产品类别用数字表示R电阻器T碳膜01普通H合成膜2普通3超高频S有机实芯4高阻5高阻N无机实芯67精密W电位器J金属膜8高压9特殊Y金属氧化膜G高功率G化学存积膜W微调I玻璃釉膜T可调X线绕D多圈3. 有特殊的电阻器按厂家规格书上的要求检验入库。3.1压敏电阻未注精度公差按10%检验入库。注：入库检验时，没有精度要求的按5%检验。二电容器 1电容器型号命名法表6电容器型号命名法第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征、分类第四部分：序号符号意义符号意义符号意义瓷介云母玻璃电解其他电容器C瓷介1圆片非密封箔式非密封对主称、材料相同，仅尺寸、性能指标略有不同，但基本不影响互使用的产品，给予同一序号；若尺寸性能指标的差别明显；影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。Y云母2管形非密封箔式非密封I玻璃釉3迭片密封烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封烧结粉固体密封Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他示例：(1) 铝电解电容器CD11 第四部分：序号 第三部分：特征分类（箔式） 第二部分：材料（铝） 第一部分：主称（电容器）(2) 圆片形瓷介电容器CC11 第四部分：序号 第三部分：特征分类（圆片） 第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器）(3)纸介金属膜电容器CZJX 第四部分：序号 第三部分：特征分类（金属膜） 第二部分：材料（纸介） 第一部分：主称（电容器） 2电容器的主要技术指标 (1) 电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。 (2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。表7容许误差2%5%10%20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI 電容常用字母代表誤差B: 0.1,C: 0.25,D: 0.5,F: 1,G: 2,J: 5,K: 10,M: 20,N: 30,Z:+80-20。 (3) 标称电容量：表8固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号E24E12E6容许误差5%（I）或（J）10%（II）或（K）20%（III）或（m）标称容量对应值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,68 注：标称